什么是MOS控制型晶閘管
什么是MOS控制型晶閘管
MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬計(jì)的MCT元組成,每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管,一個(gè)控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護(hù)電路可以簡化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀(jì)80年代以來一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競爭對手IGBT卻進(jìn)展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
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