什么是MQV多量子肼激光器

量子阱（QW：Quantum Well）激光器與F—P腔雙異質結激光器的結構基本相同，只是有源區的厚度非常薄。普通F—P腔激光器的有源區厚度為1000～2000?，而量子阱激光器的有源區厚度只有10～100?。它的結構特點是：兩種不同成分的半導體材料在一個維度上以薄層的形式交替排列而形成周期結構，從而將窄帶隙的很薄的有源層夾在寬帶隙的半導體材料之間，形成勢能阱。當有源區的厚度小于電子的德步羅意波的波長時，電子在該方向的運動受到限制，態密度呈類階梯形分布，從而構成超晶格結構。量子阱激光器工作原理的詳細分析需要求解勢阱中電子波函數滿足的薛定諤方程，超出了本書的范圍。

通常用于半導體量子阱的QW結構主要有三種類型，即多量子阱（MQW）、漸變折射率波導限制型單量子阱（GRIN—SCH—SQW）和帶有超晶格緩沖層的漸變折射率波導限制型單量子阱（SLB—GRIN—SQW）。這三種結構的能帶示意圖如圖2—82所示。由圖2—82，可以進一步理解其名稱中“阱”的概念。

QW激光器與一般的雙異質結激光器相比，有一系列優越的特性：

1）閾值電流很低，據報道，國際上的最好水平的QW激光器的閾值電流已降低到只有0.55mA，而激光器的輸出功率卻相當高。

2）譜線寬度窄，頻率啁啾改善。頻率啁啾（chirp）是指對激光器進行直接調制時，由于注入電流的變化，引起載流子濃度的變化，進而導致折射率的變化，結果使發射光譜的動態譜線展寬。激光器的譜線寬度與頻率啁啾都和線寬增強因子α密切相關，而α又與有源區的厚度有關，量子阱激光器的α可降低為一般F—P腔激光器的60%左右，從而使發射譜線變窄，頻率啁啾得到改善。

3）調制速率高，用超晶格結構制造的激光器的調制速度可以遠遠高于體材料制作的激光器。