薄膜集成電路,什么是薄膜集成電路

thin film hybrid integrated circuit

在同一個基片上用蒸發、濺射、電鍍等薄膜工藝制成無源網路,并組裝上分立的微型元件、器件,外加封裝而成的混合集成電路。所裝的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半導體芯片或單片集成電路。

按無源網路中元件參數的集中和分布情況，薄膜集成電路分為集中參數和分布參數兩種。前者適用范圍從低頻到微波波段，后者只適用于微波波段。

1.特點與應用 　與厚膜混合集成電路相比較，薄膜電路的特點是所制作的元件參數范圍寬、精度高、溫度頻率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度較高、尺寸較小。但是所用工藝設備比較昂貴、生產成本較高。

薄膜混合集成電路適用于各種電路，特別是要求精度高、穩定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合于微波電路。

2.主要工藝 　

薄膜混合集成電路所用基片有多種，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有時也用藍寶石和單晶硅基片。為了實現緊密組裝和自動化生產，一般使用標準基片。

在基片上形成薄膜有多種方法。制造薄膜網路常用物理汽相淀積(PVD)法,有時還用陽極氧化或電鍍法。在物理汽相淀積法中，最常用的是蒸發工藝和濺射工藝。這兩種工藝都是在真空室中進行的，所以統稱為真空成膜法。用這兩種方法，可以制造無源網路中的無源元件、互連線、絕緣膜和保護膜。陽極氧化法可以形成介質膜，并能調整電阻膜的阻值。在制造分布參數微波混合集成電路時，用電鍍法增加薄膜微帶線的厚度，以減少功耗。

3.薄膜材料 　在薄膜電路中主要有四種薄膜：導電、電阻、介質和絕緣薄膜。導電薄膜用作互連線、焊接區和電容器極板。電阻薄膜形成各種微型電阻。介質薄膜是各種微型電容器的介質層。絕緣薄膜用作交叉導體的絕緣和薄膜電路的保護層。各種薄膜的作用不同，所以對它們的要求和使用的材料也不相同。

　　對導電薄膜的要求除了經濟性能外，主要是導電率大，附著牢靠，可焊性好和穩定性高。因尚無一種材料能完全滿足這些要求，所以必須采用多層結構。常用的是二至四層結構，如鉻-金（Cr-Au）、鎳鉻-金（Ni Cr-Au）、鈦-鉑-金（Ti-Pt-Au）、鈦-鈀-金（Ti-Pd-Au）、鈦-銅-金（Ti-Cu-Au）、鉻-銅-鉻-金（Cr-Cu-Cr-Au）等。

微型電容器的極板對導電薄膜的要求略有不同，常用鋁或鉭作電容器的下極板，鋁或金作上極板。

對電阻薄膜的主要要求是膜電阻范圍寬、溫度系數小和穩定性能好。最常用的是鉻硅系和鉭基系。在鉻硅系中有鎳-鉻(Ni-Cr)、鉻-鈷（Cr-Co）、鎳-鉻-硅（Ni-Cr-Si）、鉻-硅（Cr-Si）、鉻-氧化硅(Cr-SiO)、鎳鉻-二氧化硅（NiCr－ ）。屬于鉭基系的有鉭（Ta）、氮化鉭（Ta2N）、鉭-鋁-氮（Ta－Al－N）、 鉭-硅（Ta-Si）、鉭-氧-氮（Ta-O-N）、鉭-硅-氧（Ta-Si-O）等。

對介質薄膜要求介電常數大、介電強度高、損耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和鉭系。即氧化硅（SiO）、二氧化硅（）、氧化鉭（ ）和它們的雙層復合結構： -SiO和 -SiO2。有時還用氧化釔( )，氧化鉿( )和鈦酸鋇( )等。

為了減小薄膜網路中的寄生效應，絕緣薄膜的介電常數應該很小,因而采用氧化硅（SiO）、二氧化硅( )、氮化硼（BN）、氮化鋁（AlN）、氮化硅 （ ）等，適合于微波電路。