芯片是信息時代的基礎與推動力，碳納米管技術被認為是后摩爾時代的重要選項。今日報道由北大申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進展。

芯片是信息時代的基礎與推動力，現有CMOS技術將觸碰其極限。碳納米管技術被認為是后摩爾時代的重要選項。

理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實現三維集成，系統層面的綜合優勢將高達上千倍，芯片技術由此可能提升至全新高度。

北京大學電子學系彭練矛教授團隊在碳納米管CMOS器件物理和制備技術、性能極限探索等方面取得重大突破，放棄傳統摻雜工藝，通過控制電極材料來控制晶體管的極性，抑制短溝道效應，首次實現了5納米柵長的高性能碳管晶體管，性能超越目前最好的硅基晶體管，接近量子力學原理決定的物理極限，有望將CMOS技術推進至3納米以下技術節點。

2017年1月20日，標志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題，在線發表于《科學》（Science， 2017， 355： 271-276）;被包括IBM研究人員在內的同行在《科學》《自然?納米技術》等期刊24次公開正面引用，并入選ESI高被引論文。相關工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日報》等國內外主流學術媒體和新華社報道;

《人民日報》（海外版）評價碳管晶體管的“工作速度是英特爾最先進的14納米商用硅材料晶體管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味著中國科學家“有望在芯片技術上趕超國外同行”，“是中國信息科技發展的一座新里程碑”。