單結(jié)晶體管的應(yīng)用

單結(jié)晶體管具有大的脈沖電流能力而且電路簡單，因此在各種開關(guān)應(yīng)用中，在構(gòu)成定時(shí)電路或觸發(fā)SCR等方面獲得了廣泛應(yīng)用。它的開關(guān)特性具有很高的溫度穩(wěn)定性，基本上不隨溫度而變化。

圖4所示為單結(jié)晶體管組成的振蕩電路。所謂振蕩，是指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。當(dāng)合閘通電時(shí)，電容C上的電壓為零，管予截止，電源VBB通過電阻R對C充電，隨時(shí)間增長電容上電壓uC逐漸增大；一旦UEB1增大到峰點(diǎn)電壓UP后，管子進(jìn)入負(fù)阻區(qū)，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入回路迅速放電，iE隨之迅速減小，當(dāng)UEB1減小到谷點(diǎn)電壓Uv后，管子截止；電容又開始充電。上述過程循環(huán)往返，只有當(dāng)斷電時(shí)才會停止，因而產(chǎn)生振蕩。由于充電時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于放電時(shí)間常數(shù)，當(dāng)穩(wěn)定振蕩時(shí)，電容上電壓的波形如圖4(b)所示。

圖4 單結(jié)晶體管組成的振蕩電路及波形

為了提高使用可靠性，在使用過程中應(yīng)注意以下問題：

（1）在第二基極B2上串聯(lián)1個(gè)限流電阻R2，限制單結(jié)管的峰值功率

（2）電路中的CT或VP（峰值電壓）較大時(shí)，CT上應(yīng)串聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻，以保護(hù)發(fā)射極B1不受到電損傷。例如：電容CT大于10μF或VP大于30V時(shí)就應(yīng)適當(dāng)串電阻，這個(gè)附加電阻的阻值至少應(yīng)取每微法CT串1Ω電阻。否則，較大的電容器放電電流會逐漸損傷單結(jié)管的EB1結(jié)，使振蕩器的振蕩頻率或單穩(wěn)電路的定時(shí)寬度隨著時(shí)間的增長而逐漸發(fā)生變化。

（3）在某些應(yīng)用中，用一只二極管與單結(jié)管的基極B2或發(fā)射極E相串聯(lián)，這樣可改善溫度穩(wěn)定性及減小電源電壓變化的影響

（4）單結(jié)管和硅可控整流器的抗輻照特性很差，不宜在輻照環(huán)境中使用。