什么是漏極,場效應管的結(jié)構(gòu)原理是什么?

漏極

　　場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者

　　在兩個高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個場效應管。

　　N型導電溝道結(jié)型場效應管的電路符號。

　　將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極和漏極，很薄的N區(qū)稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管的結(jié)構(gòu)原理：

在兩個高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個場效應管。如圖所示：

（a） （b）

N型導電溝道結(jié)型場效應管的電路符號。

將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極（s）和漏極（d），很薄的N區(qū)稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

電壓放大倍數(shù)

輸入電阻

輸出電阻

共漏極放大電路也具有電壓放大倍數(shù)小于1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點。