上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報(bào)導(dǎo)，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。

　　SSD（近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬碟（Hard disk），因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash（儲(chǔ)存型快閃記憶體），大搶市占率，除了比市占更還要比技術(shù)。

　　東芝及西部數(shù)據(jù)于日前同時(shí)發(fā)布新聞稿宣布，已領(lǐng)先全球研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，正式開(kāi)始向客戶(hù)送樣，預(yù)計(jì)將通過(guò)本月7月完工的日本四日市工廠“新第 2 廠房”量產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)間都預(yù)計(jì)為2017年上半年。

　　當(dāng)時(shí)市場(chǎng)都解讀NAND Flash龍頭三星，因64層堆疊技術(shù)尚未有產(chǎn)出消息，因此認(rèn)為將被東芝及西部數(shù)據(jù)超車(chē)，但根據(jù)韓國(guó)媒體《Electronics Weekly》報(bào)導(dǎo)，三星表示，預(yù)計(jì)將于今年底前量產(chǎn)4G V-NAND及18納米制程的DRAM，目前進(jìn)展順利。