主板所支持的內存類型有哪些?
主板所支持的內存類型有哪些?
支持內存類型是指主板所支持的具體內存的類型。不同的主板所支持的內存類型是不相同的。早期的主板使用的內存類型主要有FPM、EDO、,SDRAM、RDRAM,目前主板常見的有DDR、DDR2內存。
FPM內存
FPM是Fast Page Mode(快頁模式)的簡稱,是較早的PC機普遍使用的內存,它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數據。現在早就被淘汰掉了。
EDO內存
EDO是Extended Data Out(擴展數據輸出)的簡稱,它取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔,每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數據,大大地縮短了存取時間,使存取速度提高30%,達到60ns。EDO內存主要用于72線的SIMM內存條,以及采用EDO內存芯片的PCI顯示卡。這種內存流行在486以及早期的奔騰計算機系統中,它有72線和168線之分,采用5V工作電壓,帶寬32 bit,必須兩條或四條成對使用,可用于英特爾430FX/430VX甚至430TX芯片組主板上。目前也已經被淘汰,只能在某些老爺機上見到。 |
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SDRAM內存
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態隨機存儲器)的簡稱,是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM采用3.3v工作電壓,帶寬64位,SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起,使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期,以相同的速度同步工作,與 EDO內存相比速度能提高50%。SDRAM基于雙存儲體結構,內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據時,另一個就已為讀寫數據做好了準備,通過這兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存,在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM曾經是長時間使用的主流內存,從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及,SDRAM也正在慢慢退出主流市場。
RDRAM內存
RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory(存儲器總線式動態隨機存儲器)的簡稱,是Rambus公司開發的具有系統帶寬、芯片到芯片接口設計的內存,它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數據,同時使用低電壓信號,在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持RDRAM的是英特爾820芯片組,后來又有840,850芯片組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持,但由于其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制,一直未能成為市場主流,其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代,市場份額很小。
DDR SDRAM內存
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙數據率同步動態隨機存儲器)的簡稱,是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內存標準。DDR SDRAM是SDRAM的更新換代產品,采用2.5v工作電壓,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據,這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度,并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內存帶寬,例如DDR 266與PC 133 SDRAM相比,工作頻率同樣是133MHz,但內存帶寬達到了2.12 GB/s,比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片組都支持DDR SDRAM,是目前最常用的內存類型。
DDR2內存
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DDR2的定義: ??? DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預取)。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
??? 此外,由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別: ??? 在了解DDR2內存諸多新技術前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題: ??? 從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。 ??? 這樣也就出現了另一個問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中,后者的內存延時要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。 2、封裝和發熱量: ??? DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。 ??? DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。 ??? DDR2內存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量,這一點的變化是意義重大的。 DDR2采用的新技術: ??? 除了以上所說的區別外,DDR2還引入了三項新的技術,它們是OCD、ODT和Post CAS。 ??? OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅動調整,DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性;通過控制電壓來提高信號品質。 ??? ODT:ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上,不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的,終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率,終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低;終結電阻高,則數據線的信噪比高,但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組,還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻,這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號品質,這是DDR不能比擬的。 ??? Post CAS:它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中,CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期,因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。 ??? 總的來說,DDR2采用了諸多的新技術,改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。 |
FB-DIMM
ECC并不是內存類型,ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一種具有自動糾錯功能的內存,英特爾的82430HX芯片組就開始支持它,使用該芯片組的主板都可以安裝使用ECC內存,但由于ECC內存成本比較高,所以主要應用在要求系統運算可靠性比較高的商業電腦中,例如服務器/工作站等等。由于實際上存儲器出錯的情況不會經常發生,而且普通的主板也并不支持ECC內存,所以一般的家用與辦公電腦也不必采用ECC內存。
一般情況下,一塊主板只支持一種內存類型,但也有例外。有些主板具有兩種內存插槽,可以使用兩種內存,例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM,現在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。
上圖中的主板就支持兩種內存類型(SDRAM和DDR SDRAM),采用兩種類型的內存插槽(藍色和黑色)區分。值得注意的是,在這些主板上不能同時使用兩種內存,而只能使用其中的一種,這是因為其電氣規范和工作電壓是不同的,混用會引起內存損壞和主板損壞的問題。
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