SRAM的結(jié)構(gòu)框圖
SRAM的結(jié)構(gòu)框圖
- sram(113779)
相關(guān)推薦
SRAM存儲器結(jié)構(gòu)框圖解
SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成,SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲器。計算機的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
FPGA驅(qū)動SRAM(轉(zhuǎn))
快,基本上一個時鐘就可以讀取和寫入數(shù)據(jù),當(dāng)然這時鐘不能太快,不能超過芯片規(guī)定的最小時間。首先肯定是先看datasheet。首先看看sram的結(jié)構(gòu)框圖。有20位地址總線,對地址進行譯碼,得到存儲器的單元
2015-03-19 20:17:25
GPIO功能描述結(jié)構(gòu)與框圖配置模式
GPIO功能描述結(jié)構(gòu)框圖配置模式typedef enum{GPIO_Mode_AIN= 0x00, //模擬輸入 GPIO_Mode_IN_FLOATING= 0x04, //浮空輸入
2022-01-19 06:35:21
【中級】labview每日一教【11.17】基本結(jié)構(gòu)框圖的新特性
在利用LabVIEW開發(fā)應(yīng)用程序前,必須先要了解并熟悉LabVIEW中自帶的基本結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)的合理組合與搭建,是成功實現(xiàn)應(yīng)用的必要條件。本文將介紹LabVIEW中最簡單,也是最常用的三種結(jié)構(gòu)——順序、分支和循環(huán)結(jié)構(gòu)。 基本結(jié)構(gòu)框圖的新特性
2011-11-17 09:29:04
【中級】labview每日一教【12.2】labview基本結(jié)構(gòu)框圖的新特性
——順序、分支和循環(huán)結(jié)構(gòu)。 labview基本結(jié)構(gòu)框圖的新特性[hide] [/hide]labview基本結(jié)構(gòu)框圖的新特性視頻:[hide] http://yunpan.cn/lk/48lm1kwsll[/hide]
2011-12-02 09:24:50
什么是SRAM
這里寫自定義目錄標(biāo)題(一)為什么要擴展外部SRAM(二)什么是SRAM簡介 存儲器型號 容量 原理框圖 引腳配置 通訊方式 讀寫特性 讀取數(shù)據(jù)時序圖 讀取數(shù)據(jù)的時序要求 寫入數(shù)據(jù)時序圖 寫入數(shù)據(jù)
2021-08-05 08:22:50
分享一款不錯的基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)介紹基于SRAM編程技術(shù)的PLD電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
2021-04-08 06:51:29
單端口SRAM與雙端口SRAM電路結(jié)構(gòu)
存取電路的不同,目前大 致可以將 SRAM 單元分為上述三種端口的類型,下面分別介紹這些單元的結(jié)構(gòu)。 圖 1 SRAM單元基本結(jié)構(gòu) 單端口 SRAM根據(jù)圖1中反相器的不同,單端口SRAM單元有電阻負(fù)載型
2020-07-09 14:38:57
如何知道VI層次結(jié)構(gòu)中的VI在程序框圖中的位置
如何知道VI層次結(jié)構(gòu)中的VI在程序框圖中的位置,看一個大型復(fù)雜的程序時,我從VI層次框圖開始看,但不知道子VI在程序框圖中的具體位置,所以無法理解該子VI的具體功能,求大神指點,謝謝。
2013-12-31 08:39:15
如何設(shè)計具有相似功能且基于SRAM編程技術(shù)的電路結(jié)構(gòu)?
CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu)是怎樣的?如何設(shè)計具有相似功能且基于SRAM編程技術(shù)的電路結(jié)構(gòu)?基于SRAM編程技術(shù)的PLD電路結(jié)構(gòu)是怎樣設(shè)計的?基于SRAM編程技術(shù)的P-Term電路結(jié)構(gòu)是怎樣設(shè)計的?基于SRAM編程技術(shù)的可編程互連線電路結(jié)構(gòu)是怎樣設(shè)計的?
2021-04-14 06:51:43
是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存?
我正在使用 S32k358 uC,我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中,我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存?
2023-04-23 08:01:09
設(shè)計SRAM電路時,使用雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)
在設(shè)計SRAM電路時,使用雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)可以使電路的容錯能力變好,請問大家雙聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)是什么?
2019-10-11 11:40:47
詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)
隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機存儲器的特點隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作,但當(dāng)電源斷開時,存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同,主要可以分為動態(tài)隨機存儲器
2022-11-17 16:58:07
頻譜分析儀原理結(jié)構(gòu)框圖
頻譜分析儀是常用的電子測量儀器之一,他的功能是分辨輸入信號中各個頻率成分并測量各個頻率成分的頻率和功率。下面看一下傳統(tǒng)頻譜分析儀的原理和現(xiàn)代頻譜分析儀(或稱為信號分析儀)的發(fā)展。圖1是傳統(tǒng)的掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖。圖1傳統(tǒng)掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-01 06:37:50
頻譜分析儀原理結(jié)構(gòu)框圖
頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖。圖1傳統(tǒng)掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖輸入信號進入頻譜分析儀后與本振混頻,當(dāng)混頻產(chǎn)物等于中頻時,這個信號送到檢波器,檢波器輸出視頻信號,通過放大、采樣、數(shù)字化后決定CRT顯示信號的垂直
2018-09-18 16:27:09
基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計與實現(xiàn)
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計與實現(xiàn)作者:楊奇 楊瑩摘要:本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件,介紹了使用CPLD 進行接口連接和編程控制,來構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:1045
以DSP為核心的控制結(jié)構(gòu)框圖
以DSP為核心的控制結(jié)構(gòu)框圖
以DSP為核心的控制結(jié)構(gòu)框圖
控制電路以DS
2009-07-17 08:25:333614
LM2579的管腳配置和內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖.
LM2579的管腳配置和內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖.
LM2579可完成升降壓,極性反轉(zhuǎn)等DC/DC變化功
2009-11-14 14:53:481683
RH5RC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖.
RH5RC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖.
RH5RC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖所示,它由基
2009-11-14 16:43:07838
CX20106內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
考慮到調(diào)制解調(diào)時可靠性,利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進行調(diào)制解調(diào),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖6 所示。
2010-01-06 18:08:232289
基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計
基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計
針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求,采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu),完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計。 與一般布局的
2010-01-12 10:03:47983
超級大電容模式結(jié)構(gòu)框圖
超級大電容模式結(jié)構(gòu)框圖
超級電容模式是針對以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的,因為前兩種結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定
2010-01-04 18:28:021235
變速雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
變速雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
2010-02-22 09:53:065082
燃料電池發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
燃料電池發(fā)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
系統(tǒng)中能量流圖如圖10 所示,在燃料電池的輸
2010-02-22 10:08:243975
SRAM,SRAM原理是什么?
SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479
SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲矩陣(又稱存儲體)、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲矩陣是存儲
2010-03-24 16:28:393895
CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
考慮到調(diào)制解調(diào)時可靠性,利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進行調(diào)制解調(diào),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如下圖 所示。
2010-01-08 11:13:313314
同步突發(fā)式SRAM
同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示,它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同,不同之處只是在輸出緩沖器中沒有配置鎖存器。
2011-05-30 11:01:391457
SG3525引腳功能和結(jié)構(gòu)框圖
電子發(fā)燒友為大家提供了SG3525引腳功能和結(jié)構(gòu)框圖,還有采用SG3525來實現(xiàn)SPWM控制信號的輸出的工作原理。
2011-08-05 11:21:5725808
Maxim公司血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖
本電路圖是Maxim公司的醫(yī)療產(chǎn)品血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖。具體如下圖所示: 圖 Maxim公司的醫(yī)療產(chǎn)品血糖儀內(nèi)部結(jié)構(gòu)功能框圖
2012-09-26 14:36:239161
Labview之程序框圖禁用結(jié)構(gòu)
Labview之程序框圖禁用結(jié)構(gòu),很好的Labview資料,快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 10:56:220
順序結(jié)構(gòu)與選擇結(jié)構(gòu)_算法框圖的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計
電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料—順序結(jié)構(gòu)與選擇結(jié)構(gòu)_算法框圖的基本結(jié)構(gòu)及設(shè)計
2016-08-08 17:19:150
SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
2017-10-10 08:58:4211
采用5管單元的SRAM結(jié)構(gòu)實現(xiàn)CPLD可編程電路的設(shè)計
顯然,設(shè)計基于SRAM編程技術(shù)的CPLD可以很好解決上述應(yīng)用問題。CPLD的設(shè)計和實現(xiàn)的關(guān)鍵問題是核心可編程電路結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)。因此,本文主要探討針對CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu),如何設(shè)計具有相似功能且基于SRAM編程技術(shù)的電路結(jié)構(gòu),從而更好滿足動態(tài)重構(gòu)系統(tǒng)中實現(xiàn)復(fù)雜狀態(tài)機和譯碼電路的應(yīng)用。
2020-04-25 10:21:001687
SRAM隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)
關(guān)于SRAM隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機存儲器的特點 隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作,但當(dāng)電源斷開時,存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同,主要可以分為動態(tài)隨機存儲器(DRAM)與靜態(tài)隨機存儲器
2020-04-30 15:48:132878
SRAM的性能介紹以及它的結(jié)構(gòu)解析
SRAM它也由晶體管組成。接通代表1,斷開表示0,并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新,但停機或斷電時,它們同DRAM一樣,會丟掉信息。SRAM的速度非常快,通常能以20ns
2020-06-29 15:40:1212300
SRAM和DRAM的區(qū)別
SRAM的S是Static的縮寫,全稱是靜態(tài)隨機存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫,全稱是動態(tài)隨機存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢?首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu),你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的,比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個存儲bit單元的結(jié)構(gòu):
2020-08-22 09:21:0018044
兩種SRAM的電路結(jié)構(gòu)?
SRAM是隨機存取存儲器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù),因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552
讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu),幾個混合結(jié)構(gòu)的管理策略
的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。 讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu) 直接用MRAM代替SRAM可能導(dǎo)致性能下降。因此提出了用兩種策略來緩解這個矛盾:一是引入讀取優(yōu)先的寫入緩沖器;二是引入SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)。二者可以結(jié)合起來以改善
2020-11-17 16:31:48419
評論
查看更多