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DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

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2010-11-07 09:37:51770

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

  DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-10 09:31:52685

DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

  DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM,按照
2010-11-10 09:36:271532

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

  DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:43:53877

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:53:311843

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-12-07 10:21:02966

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器,可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685

DS1248,DS1248P帶有隱含時(shí)鐘非易失RAM

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181184

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218

DS1086L 3.3V擴(kuò)頻EconOscillator

DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時(shí)鐘發(fā)生器,可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過頻譜擴(kuò)展(抖動(dòng))的方波輸出。
2012-03-22 15:45:06863

3.3V—5V連接技巧與訣竅

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2015-12-14 14:11:200

as7c316098b REV 1.0 1024K×16位高速CMOS SRAM

The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words
2017-09-19 17:32:524

3.3v 32K×8的CMOS SRAM(常見的I/O)AS7C3256A

The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262,144-bit Static Random-Access Memory (SRAM) device
2017-09-20 09:32:584

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2017-10-10 08:56:325

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案,它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512

NV-SRAM是什么,它的主要特征是什么

NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NVSRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59668

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

NV SRAM開發(fā)開始以來,其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336

DS1345YP-70+ - (Maxim Integrated) - 存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1345YP-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DS1345YP-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DS1345YP-70+真值表,DS1345YP-70+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:48:32

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