0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
直接調用字庫顯示字，但是忽然發現，要存字庫就要外擴至少256KFLASH，用傳統的并行擴展好像很麻煩，而且IO不夠用啊，有哪位大神知道怎樣擴展512K的FLASH，然后又能盡量節省IO口？？菜鳥求助！！！
2013-01-02 21:17:57
512k*8的RAM芯片需要多少條地址線進行尋址？需要多少條數據線？具體過程是怎樣的？
2023-04-19 16:32:31
from 2k x 8 to 512k x 8 with package sizes from 26 pins to 32 pins. When a socket is mated with a CMOS
2012-01-04 12:09:15
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個字節寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時BCD格式的世紀、年、月
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
AT87F51是一個低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，帶有4K字節的快速閃存可編程只讀存儲器。該設備是采用Atmel的高密度非易失性內存技術和行業標準MCS - 51（TM）的指令集和引腳兼容
2013-09-03 11:39:03
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出帶有非易失存儲器(EEPROM)的±0.5℃精度數字溫度傳感器和溫度調節器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調節門限，而其他類似的器件
2018-10-29 10:51:29
我們使用的PIC32 MZEFH2018超過512K限制使用一個皮卡3’程序員去特色。關于如何更新這個領域的程序有什么想法？ 以上來自于百度翻譯 以下為原文 We are using a
2018-12-20 16:31:28
我使用的是MPLAB X IDE v3.35、PicKit3和PIC32MX360F512L。我還在為應用程序的非易失性存儲保存這個內存的一個塊。考慮到一個512K的存儲設備，這個值是有意義
2019-11-05 15:39:52
我有 2 個 esp01 512k，我想從抽屜里拿出來與 RPi Pico 一起使用。
我用 2 個版本的“固件 AT COMmand”將它們全部刷寫。
我將
工具與這兩個固件一起
2023-05-25 06:59:55
采用的是安信可的模塊，sram 512k程序主要實現了softAP 配網，藍牙gatt server和gatt client，及wifi tcp socket通信一般運行12小時左右，就會持續報錯
2023-03-03 09:10:46
stm32H750速度能不能支持24BIT,512k的ADC工作？如果判斷某款ARM芯片速率對于某款ADC來說夠不夠，要怎么判斷？
2020-10-30 22:00:27
為什么stm32f103vgt6的flash我只能檢測到512k？（原本應該是1mb的），好像檢測不到它的flash大小
2023-08-08 08:16:53
為什么stm32f103vgt6的flash我只能檢測到512k？（原本應該是1mb的），好像檢測不到它的flash大小
2024-03-20 06:27:03
的，這個程序用的FLASH一PAGE是4K，而我用的 一PAGE 是8K .我的程序在512K內讀寫沒有任何問題.我用oflash去燒寫這個FLASH可以寫512K的后都沒問題，然后我的程序去讀也沒問題，可以讀到512K以后的內容，只是不能把數據寫不進去512K以后的內容。
2019-08-01 23:05:58
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
芯片的FLASH的起始地址為0x08000000,SIZE = 0x80000共512K字節；RAM的起始
2022-02-24 06:58:39
我工程中使用靜態方法進行線程創建，本來13個，今天增加一個后，立即就死機，進入hard fault,如果拿到一個，保留新增的，不會死機；感覺是創建線程個數有數量限制似的；使用N32G452 512K Flash/125k RAM,編譯后顯示資源其實只是用了約一半左右；不知道為啥會死機
2023-02-02 14:29:27
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
KB 閃存 ROM（eZ80 內部）板載 520 KB 總 RAM（512K 外部加 8K 內部）4MB非易失性存儲（可選，可通過更換IC升級）實時時鐘SSD1963 供電的 7.0 英寸 TFT
2022-08-23 07:08:31
1 NAND Flash和NOR Flash閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應用于手機、MP3、數碼相機、筆記本電腦等數據
2019-07-19 07:15:07
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲提供了一些想法。一定有工程師經常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲呢？本文將會介紹
2021-12-20 06:42:35
你好！所以我有一個外部EEPROM，512k通過I2C連接到我的PIC32MX。現在，我想建立一個引導加載程序，它讀取EEPROM并閃爍PIC的程序內存。簡單！在和諧1.081中，您可以選擇I2C
2019-07-22 06:05:46
易失性FPGA的電源特性是什么？如何在進行板級設計時，降低系統的靜態與動態功耗？
2021-04-08 06:47:53
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計數器模式中使用Time1。下面的函數在代碼中定期調用。每次調用上述函數后，Timer1應該重置為零。有時它不是這樣發生的，但有時它像預期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現的問題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
用VISA 讀u***2.0 的數據 VISA緩沖不夠， 超過512K字節數據 會有丟失，如何把緩沖區擴大至1310720（1280*1024）個字節，我是想用labview VISA顯示圖像
2014-12-18 16:25:23
請教24L01怎么設置傳輸速率為512K？？
2013-09-12 22:34:47
TMS320C6701外部RAM由兩片512K×16位SRAM組成32位的系統，鏈接到DSP的CE3地址空間，編寫程序對RAM區進行讀寫測試，寫入數據格式為（i|（i
2018-07-25 06:03:50
題目：某計算機字長16位，主存容量128KW，請用16K 8 的靜態RAM存儲芯片和32K 16的ROM芯片，為該機設計一個主存儲器。要求18000H1FFFFH為ROM區，其余為RAM區。畫出存儲器結構及其與CPU連接的框圖。答案：...
2021-07-28 06:33:04
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-7 14:22 編輯
CC3200的flash可以用512K的嗎？因為產品尺寸問題，需要選用小封裝（2*3mm）的512K的flash。CC3200應該可以用512K的吧？
2018-06-07 02:53:47
1.stm32f103ze，FSMC初始化已經正確，而且單字節讀寫沒有問題。在使用IAR編譯器的情況，內存只能設置一個范圍,如下圖（1）。現在我想使用擴展的512k內存，像使用內部內存一樣使用。如
2018-11-12 08:50:56
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監控)，以及512K的× 8非易失性靜態RAM。用戶訪問DS1557內部所有寄存器完成了一個字節寬
2010-09-15 09:51:32
731 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:52
18 The CY62157E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 16 bits. This device
2017-09-14 10:58:172 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:00:058 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:00:050 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:04:0721 TheISSI IS61WV51232Axx/Bxx and IS64WV51232Bxx are high-speed， 16M-bit static RAMs organized as 512K
2017-09-20 11:07:467 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1647P-120相關產品參數、數據手冊，更有DS1647P-120的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1647P-120真值表，DS1647P-120管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-21 22:05:45
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1647-120相關產品參數、數據手冊，更有DS1647-120的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1647-120真值表，DS1647-120管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-21 22:06:51
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1647-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1647-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1647-120+真值表，DS1647-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-22 19:09:46
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1647P-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1647P-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1647P-120+真值表，DS1647P-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-22 19:10:21
2SA1647、2SA1647-Z 數據表 (D14839EJ5V0DS00)
2023-05-06 19:10:370 2SA1647、2SA1647-Z 數據表 (D14839EJ5V0DS00)
2023-06-26 20:56:540
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