報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM，SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會(huì)停止DRAM的投資。從目前各新興存儲(chǔ)器的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，讀寫(xiě)速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對(duì)功耗問(wèn)題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
。 DRAM是易失性存儲(chǔ)器，這意味著當(dāng)存儲(chǔ)位放電的電容器時(shí)，DRAM將丟失其存儲(chǔ)器的內(nèi)容。這花費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)度可能會(huì)有所不同，但是通常會(huì)在幾毫秒內(nèi)放電。結(jié)果，DRAM需要刷新周期，該刷新周期讀取數(shù)據(jù)位，然后將
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén)，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
，指定材料，設(shè)置電機(jī)運(yùn)行方式及驅(qū)動(dòng)電路，計(jì)算電機(jī)性能、確定初始尺寸，并在很短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行數(shù)百個(gè)假設(shè)-條件分析。RMxprt 可以自動(dòng)構(gòu)建一個(gè)完整的Maxwell 3D或2D工程，QQ
2014-06-13 17:09:22
老師給舉了個(gè)例子，說(shuō)是就像測(cè)試規(guī)定時(shí)間內(nèi)電燈開(kāi)關(guān)的次數(shù)。這個(gè)課題的題目是壽命實(shí)驗(yàn)，用的NI采集卡，采集對(duì)象是電壓，雙通道給的要求就是：用戶給出一個(gè)時(shí)間，測(cè)量在此時(shí)間內(nèi)雙通道的采集次數(shù)我的想法是，這個(gè)
2015-12-17 12:17:54
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫(xiě)不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
LVDT位移不發(fā)生變化時(shí)，AD698所產(chǎn)生的輸出電壓在短時(shí)間內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化，但時(shí)間一長(zhǎng)就會(huì)有20mv~40mv的變化，電壓變大變小的情況都有。并且，在不接LVDT的情況下，把手指搭在AD698芯片上
2023-11-17 06:01:30
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。3、容量和成本：NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為
2015-11-04 10:09:56
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
DRAM控制器方向的時(shí)鐘及由控制器向DRAM方向的時(shí)鐘兩個(gè)系統(tǒng)，通過(guò)改變讀操作與寫(xiě)操作時(shí)所利用的時(shí)鐘，實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，基本上采用了接近理想的處理方式。 圖的右上
2008-12-04 10:16:36
加大增加引腳，但是為了降低成本和功耗，所以還是要減少地址引腳數(shù)量。3. 大容量DRAM芯片一般采用多路尋址技術(shù)，這么做雖使DRAM芯片復(fù)雜，同時(shí)也使DRAM接口更加復(fù)雜，但是可以獲得
2010-07-15 11:40:15
分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失，一般信息保存時(shí)間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對(duì)其刷新一次。因此，采用 DRAM的計(jì)算機(jī)必須配置動(dòng)態(tài)刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器。
2011-11-28 10:23:57
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
Type-C是近幾年大規(guī)模普及的充電接口，目前所發(fā)布的手機(jī)基本上都是該接口，而原來(lái)的Micro USB接口也逐漸減少使用，那為什么Type-C接口能在短時(shí)間內(nèi)迅速取代Micro USB接口呢？筆者
2021-09-14 07:34:39
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-05-19 15:59:37
控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向?qū)⑻幚?b class="flag-6" style="color: red">器的BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲(chǔ)器讀請(qǐng)求。對(duì)微處理器的存儲(chǔ)器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時(shí)，被編程的存儲(chǔ)器范圍片選有效。
2019-11-07 06:01:59
（較新的加速度計(jì)）的數(shù)據(jù)表中讀到，“為了確保擁有與所選 ODR 同步的第一個(gè) DRDY 上升沿（避免圖 2 中的情況：“DRDY 信號(hào)同步”）在啟用 ODR 之前將 I1_ ZYXDA 位設(shè)置為“1”。沒(méi)有運(yùn)氣。你能給我一個(gè)建議，如何在開(kāi)機(jī)后的最短時(shí)間內(nèi)從 LIS2DH 讀取有效數(shù)據(jù)嗎？先感謝您！
2023-01-04 08:48:17
本文探討了幾個(gè)設(shè)計(jì)考量和方法用以緩解GDDR6 DRAM實(shí)施所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。特別指出了在整個(gè)接口通道保持信號(hào)完整性的重要性。必須特別重視GDDR6存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的每個(gè)階段，才能夠成功解決信號(hào)完整性
2021-01-01 06:29:34
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
系統(tǒng)需要大容量存儲(chǔ)器的情況下，這種方式將使成本猛增。如果采用DRAM存儲(chǔ)器，則可以大幅度降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本；但DRAM有復(fù)雜的時(shí)序要求，給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了很大的困難。為了方便地使用DRAM，降低系統(tǒng)成本
2011-02-24 09:33:15
隨著移動(dòng)電話向著具有豐富媒體功能的無(wú)線平臺(tái)發(fā)展，對(duì)功率預(yù)算的控制是開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)。降低存儲(chǔ)器的功耗可以顯著延長(zhǎng)移動(dòng)電話的電池壽命。為了降低存儲(chǔ)器的功耗，業(yè)界使用了兩種不同的基于DRAM的存儲(chǔ)器架構(gòu)：本地
2009-10-08 15:53:49
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性，使用N削D來(lái)獲得高寫(xiě)入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長(zhǎng)時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器：新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
地址有效算起，到有效數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間；圖1.4 (b)中t1 是從地址和使能信號(hào)穩(wěn)定到寫(xiě)信號(hào)有效所需的最小時(shí)間，t2 是寫(xiě)信號(hào)無(wú)效之前必須保持的最小時(shí)間，t3是寫(xiě)信號(hào)無(wú)效之后地址信號(hào)仍需保持的最小時(shí)間。t1、t2、t3 相加就是一個(gè)寫(xiě)周期時(shí)間。圖1.4 存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)時(shí)序原作者：英尚微電子
2022-11-17 16:58:07
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)、訪問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:46
10 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入
2017-11-17 17:28:15996 
紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的一個(gè)顯著特點(diǎn)就是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有易失性，必須在規(guī)定時(shí)間內(nèi)對(duì)其刷新。在本系統(tǒng)中采用8031的定時(shí)器1定時(shí)中斷實(shí)現(xiàn)對(duì) DRAM 的刷新。其定時(shí)中斷刷新的程序如下： 刷新時(shí)，先將Tl
2018-03-17 11:30:002948 
劉愛(ài)力表示，中國(guó)電信雖然大部分業(yè)務(wù)均在內(nèi)地，但如果不是能與用戶分享公司的發(fā)展，再加上要考慮公司未來(lái)股價(jià)走勢(shì)等諸多問(wèn)題，故而公司短時(shí)間內(nèi)未有回A 股上市的決定。
但中電信是有計(jì)劃將旗下子公司如翼支付或一些資管公司分拆上市，只是還沒(méi)有決定在A股或者赴港上市。劉愛(ài)力表示，翼支付剛完成了新一輪融資。
2018-05-29 09:51:00862 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 “2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。
2018-07-26 17:47:13530 RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間
2018-09-21 22:27:01229 
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間
2018-09-22 00:06:011049 
，并成功實(shí)現(xiàn)無(wú)束縛飛行。就外觀而言，該飛行器有兩大特色：一對(duì)額外的翅膀（四翼）和頂部的太陽(yáng)能電池。它可以在短時(shí)間內(nèi)不受束縛地飛行。
2019-07-07 10:38:263756 雖然深圳的企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本在不斷上漲，但是深圳的優(yōu)勢(shì)在于制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈非常的齊全，這不是其他城市短時(shí)間內(nèi)能夠趕上的。
2019-07-29 15:17:323555 任何關(guān)于電源完整性的討論都包括對(duì)目標(biāo)阻抗和平坦阻抗要求的概念的大量強(qiáng)調(diào)。但我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)專門(mén)用于平坦阻抗的穩(wěn)壓器模塊(VRM)?本文不僅將討論該特定問(wèn)題，還將解決如何在5秒或更短時(shí)間內(nèi)完成該問(wèn)題。
2019-08-12 10:34:552095 
業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對(duì)DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 
DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686 
12月25日消息 根據(jù)網(wǎng)易暴雪游戲客服團(tuán)隊(duì)的消息，暴雪游戲平臺(tái)近期受到了持續(xù) DDOS 攻擊，官方稱無(wú)法斷言能在短時(shí)間內(nèi)完全解決該問(wèn)題。 暴雪表示，近期受到的一系列大型惡意“分布式拒絕服務(wù)（DDOS
2020-12-25 15:14:171666 終止科創(chuàng)板上市”，這意味著，聯(lián)想的科創(chuàng)板IPO之路，只走了短短一個(gè)工作日。 為何聯(lián)想會(huì)選擇在這么短時(shí)間內(nèi)提交就撤回申請(qǐng)？這個(gè)問(wèn)題在當(dāng)時(shí)眾說(shuō)紛紜，有人猜測(cè)聯(lián)想達(dá)不到科創(chuàng)板上市標(biāo)準(zhǔn)，有人猜測(cè)是因?yàn)槁?lián)想負(fù)債率過(guò)高，也有機(jī)構(gòu)報(bào)告
2021-11-08 14:38:301249 如何在短時(shí)間內(nèi)解決電廠鍋爐風(fēng)機(jī)軸修復(fù)問(wèn)題？
2022-05-25 16:10:500 華強(qiáng)北眾生相2021年，受到國(guó)內(nèi)外疫情的影響，加上2020年被壓抑的需求得到釋放，導(dǎo)致消費(fèi)電子銷(xiāo)量大幅上漲，繼而使芯片需求在短時(shí)間內(nèi)暴漲，而本地芯片供應(yīng)也很難跟上，大多只能向海外求購(gòu)，但疫情導(dǎo)致物流受阻，芯片供應(yīng)減少，市場(chǎng)中開(kāi)始掀起炒作的浪潮，很多人的夢(mèng)從這一刻開(kāi)始。
2022-08-22 09:32:312395 如果你的Linux服務(wù)器突然負(fù)載暴增，告警短信快發(fā)爆你的手機(jī)，如何在最短時(shí)間內(nèi)找出Linux性能問(wèn)題所在？來(lái)看Netflix性能工程團(tuán)隊(duì)的這篇博文，看它們通過(guò)十條命令在一分鐘內(nèi)對(duì)機(jī)器性能問(wèn)題進(jìn)行診斷。
2022-12-28 09:21:36138 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 在電力系統(tǒng)中，電容器是一種重要的電氣設(shè)備，常用于提高功率因數(shù)、改善電網(wǎng)穩(wěn)定性等方面。然而，電容器作為一種電壓敏感的元件，對(duì)于電壓波動(dòng)非常敏感，特別是在短時(shí)間內(nèi)的過(guò)電壓情況下，可能引發(fā)嚴(yán)重的問(wèn)題。為什么電力電容器不允許短時(shí)間內(nèi)過(guò)電壓運(yùn)行？
2024-02-26 14:30:26120
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