美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來改善
2019-08-20 10:22:36
7258 DRAM制造商正在進(jìn)入下一階段的擴(kuò)展，但是隨著存儲(chǔ)技術(shù)接近其物理極限，他們面臨著一些挑戰(zhàn)。 DRAM用于系統(tǒng)中的主存儲(chǔ)器，當(dāng)今最先進(jìn)的設(shè)備基于大約18nm至15nm的工藝。DRAM的物理極限約為
2019-11-25 11:33:185883 幣從臺(tái)積電（TSMC）采樣的首批測(cè)試級(jí)5nm產(chǎn)品，而Canaan預(yù)計(jì)將于2020年第一季度接收其首批5nm芯片。 比特大陸已經(jīng)收到了其首批5nm芯片，Canaan預(yù)計(jì)將在明年第一季度接收其5nm芯片
2020-01-03 15:12:554948 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量產(chǎn)20nm UltraScale系列產(chǎn)品之后，全球領(lǐng)先的All Programmable解決方案提供商賽靈思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC產(chǎn)品。再次實(shí)現(xiàn)了遙遙領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2015-03-04 09:47:261887 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 華為日前正式發(fā)布麒麟家族新成員麒麟650芯片。麒麟650采用了領(lǐng)先的16nm FinFET plus工藝，是全球第三款采用此尖端工藝的手機(jī)芯片，也是第二款16nm FinFET plus工藝量產(chǎn)
2016-04-30 00:22:0031747 在目前市面上常見的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:364402 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 著稱，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開發(fā)出16nm工藝不過由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:491675 業(yè)界消息指出，記憶體大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號(hào)的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。
2017-03-06 09:18:32753 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。 據(jù)報(bào)道，SK
2020-10-31 06:47:001341 1. 傳三星3 納米工藝平臺(tái)第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報(bào)道，盡管受NAND和DRAM市場(chǎng)拖累，三星電子業(yè)績(jī)暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個(gè)3nm芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報(bào)告，當(dāng)季三星
2023-07-31 10:56:44482 英特爾首座全自動(dòng)化300 mm晶圓高量產(chǎn)廠。45 nm芯片的即將量產(chǎn)意味著32 nm/22 nm工藝將提到議事日程上，英特爾將于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM與特許
2019-07-01 07:22:23
工藝已經(jīng)是10nm+了，第一版10nm工藝由于最終性能和功耗等問題，已經(jīng)被英特爾徹底放棄。因此我們將在2020年和2021年分別看到10nm的第二個(gè)改進(jìn)版本10nm++和第三個(gè)改進(jìn)版本10nm
2020-07-07 11:38:14
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
，DRAM可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過SRAM;就相同容量的芯片而言，DRAM的價(jià)格也大大低于SRAM。這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)使DRAM成為計(jì)算機(jī)內(nèi)存的主要角色。DRAM的行列地址分時(shí)復(fù)用控制和需要刷新控制，使得它比SRAM的接口要
2020-12-10 15:49:11
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
的商機(jī)仍然暢旺，在供給端僅有三星、SK海力士、美光，加上新技術(shù)量產(chǎn)困難，在這些現(xiàn)實(shí)下，2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量，可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的話，英特爾預(yù)計(jì)在2017年二季度將實(shí)現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到146億美元。因此如果存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)價(jià)格在二季度及余下時(shí)間里都能持續(xù)增長(zhǎng)，三星電子將會(huì)取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
市場(chǎng)的35%。明年，至少兩家中國集成電路供應(yīng)商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。盡管國產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會(huì)與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
%提高到70%以上。三星此前表示，已確保4nm第二代和第三代的穩(wěn)定良率，準(zhǔn)備于2023年上半年量產(chǎn)。
此外，三星計(jì)劃在2023年4月、8月、12月提供4nm的多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)。這是2019年三星
2023-05-10 10:54:09
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2018-11-19 14:58:25
內(nèi)建封裝（PoP）技術(shù)。 臺(tái)積電明年靠著16納米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器，不僅可以有效對(duì)抗三星及GlobalFoundries的14納米FinFET制程聯(lián)軍，還可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
、DRAM芯片針腳的作用Intel在1979年發(fā)布的2188DRAM芯片，采用16Kx1 DRAM 18線DIP封裝。是最早出現(xiàn)的一款DRAM芯片。我們現(xiàn)在來解讀一下它所代表的意義：“16K x 1”是指
2010-07-15 11:40:15
2015年發(fā)生的iPhone 6芯片門事件，每個(gè)蘋果(Apple)產(chǎn)品的消費(fèi)者一拿到手機(jī)時(shí)，都迫不及待地想要知道自己的手機(jī)采用的是臺(tái)積電(TSMC，16nm)或是三星(SAMSUNG，14nm)的芯片
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
為什么說三星16nm MCU的關(guān)鍵在于MRAM技術(shù)，一半是進(jìn)入20nm以下領(lǐng)域，除了eMRAM暫無他法。另一半則在于，三星在MRAM技術(shù)上的布局由來已久，而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀，也有
2023-03-21 15:03:00
與DDR2供給吃緊帶動(dòng)整體平均售價(jià)上揚(yáng)。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達(dá)24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨(dú)立出來
2008-05-26 14:43:30
全球進(jìn)入5nm時(shí)代目前的5nm制造玩家，只有臺(tái)積電和三星這兩家了。而三星要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，就今年來看，臺(tái)積電將統(tǒng)治全球的5nm產(chǎn)業(yè)鏈。在過去的一年里，臺(tái)積電的5nm研發(fā)節(jié)奏很快，該公司在2019
2020-03-09 10:13:54
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長(zhǎng)，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
/5nm等邏輯工藝，還會(huì)用在DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上。 早前，三星還宣布，其位于華城的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)。據(jù)悉，V1廠為三星第一條專門生產(chǎn)EUV技術(shù)的生產(chǎn)線，該工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)的產(chǎn)品為7nm 7LPP
2020-02-27 10:42:16
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
并沒有：雙模式的布板雖然昂貴而且有局限，但是滿足了高分辨率掩膜層的需求。在節(jié)點(diǎn)是否需要finFET晶體管上也有爭(zhēng)論。Intel、IBM和UMC持贊成態(tài)度；三星、TSMC和GLOBALFOUNDRIES則
2014-09-01 17:26:49
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
3GB-8GB+64GB-256GB范圍的八種不同配置。三星和美光所推出的多芯片封裝uMCP解決方案有望替代eMCP成為5G手機(jī)向中低端市場(chǎng)普及的最佳解決方案，將可滿足移動(dòng)市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的性能和容量的需求
2019-12-25 14:38:44
2023年1月13日，知名物理IP提供商 銳成芯微（Actt） 宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。近年來，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
。 1989年486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用0.8μm工藝。 1990年三星推出16MbDRAM。 1991年華邦成功開發(fā)首顆64KSRAM。 1992年64M
2018-05-10 09:57:19
017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 聯(lián)發(fā)科、展訊通信在 16nm 工藝芯片上較勁，紛紛推出八核 A53 架構(gòu) 4G 芯片。展訊 SC9860 現(xiàn)在已經(jīng)量產(chǎn)供貨，而聯(lián)發(fā)科 Helio P20 需要等到下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，展訊首次在產(chǎn)品導(dǎo)入時(shí)間上走在了聯(lián)發(fā)科前面。
2016-05-20 10:53:091104 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:53858 ，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11277 
以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。
2017-02-11 16:08:11660 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572482 據(jù)報(bào)道，全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)聯(lián)發(fā)科在近日確定減少對(duì)臺(tái)積電6月至8月約三分之一的訂單，在當(dāng)前的環(huán)境下是一個(gè)合適的選擇，轉(zhuǎn)而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對(duì)高通等芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。
2017-05-02 09:59:01721 驍龍835的手機(jī)，而在跑分測(cè)試中，10nm制程工藝的驍龍835CPU性能跟采用16nm制程工藝的麒麟960性能差別不大，這是為什么呢？
2017-05-16 11:40:481578 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡(jiǎn)單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910 小米很有可能會(huì)推出搭載澎湃S2的新機(jī)，澎湃S2采用臺(tái)積電16nm工藝是沒有太大的懸念，相對(duì)澎湃S1較為落后的28nm在功耗上有顯著優(yōu)勢(shì)，但和旗艦級(jí)的10nm工藝相比還是有一定差距。
2017-10-14 12:01:002716 臺(tái)積電南京工廠將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nm FinFET制造工藝，僅次于10nm FinFET，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
2017-12-10 09:30:46910 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 處理器的洗禮，在麒麟950處理器上已經(jīng)成熟起來，這款處理器號(hào)稱三項(xiàng)世界第一——首個(gè)商用A72 CPU核心、首個(gè)16nm FinFET Plus工藝以及首個(gè)商用Mali-T880 GPU核心。不過麒麟950
2018-02-18 07:55:48569 的一個(gè)關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:003532 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809 今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723 DRAM芯片組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:014789 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143 在本視頻中，了解Xilinx采用高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲(chǔ)器帶寬。
2018-11-27 06:20:003624 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:541444 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:583972 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291003 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033215 大多數(shù)讀者應(yīng)該知道Intel 的處理器、TSMC生產(chǎn)的SoC（System on Chip）等邏輯半導(dǎo)體的相關(guān)工藝，也明白到這些規(guī)則只不過對(duì)產(chǎn)品的命名罷了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味著什么？
2020-07-22 14:33:123769 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:292234 的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進(jìn)，或者說1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％
2021-01-27 17:28:331589 關(guān)于芯片工藝，Intel前幾天還回應(yīng)稱友商的7nm工藝是數(shù)字游戲，Intel被大家誤會(huì)了。不過今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡(jiǎn)稱10nm SF，號(hào)稱是有史以來節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次，沒換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:063538 
2020年，市面上出現(xiàn)了大量5nm工藝的芯片，諸如蘋果A14仿生、麒麟9000以及驍龍888等旗艦芯片均采用5nm工藝。而根據(jù)最新的報(bào)道顯示，在批量生產(chǎn)5nm工藝芯片的同時(shí)，臺(tái)積電也在研發(fā)更加先進(jìn)的3nm工藝，目前3nm工藝的研發(fā)正在有序進(jìn)行中。
2020-12-21 15:17:481799 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532207 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％，能讓5G手機(jī)性能更好、機(jī)身更輕薄、續(xù)航更持久。
2021-01-31 10:16:421915 針對(duì)新能源汽車中的自動(dòng)駕駛、智能座艙和電氣化應(yīng)用，易靈思推出40nm Trion系列中T13F169/F256和T20F169/F256共四顆車規(guī)級(jí)FPGA，同時(shí)16nm鈦金系列Ti60F225將于今年7月完成車規(guī)認(rèn)證，屆時(shí)將會(huì)成為本土首顆車規(guī)級(jí)16nm FPGA產(chǎn)品。
2022-03-07 11:05:291320 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:581483 的重要性，我國目前最先進(jìn)的制程7nm還正在研發(fā)當(dāng)中，那么2nm芯片與7nm芯片的差距有多大呢？ 拿臺(tái)積電的7nm舉例子，臺(tái)積電最初用DUV光刻機(jī)來完成7nm工藝，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝要比上一代16nm工藝密度高3.3倍，性能提升達(dá)到了35%以上，同樣性能下功耗減少了65%，在當(dāng)時(shí)
2022-06-24 10:31:303662 （FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:521441 臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝，將于2025年量產(chǎn)，其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:312636 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756 
UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：本周五｜從6nm到16nm，毫米波IC設(shè)計(jì)如何一“波”搞定？ 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-03-27 22:50:02470 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 Ansys多物理場(chǎng)平臺(tái)支持英特爾16nm工藝的全新射頻功能和其他先進(jìn)特性，能夠通過與芯片相關(guān)的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性來加速完成設(shè)計(jì)并提高性能
2023-08-15 09:27:50310 
最新消息，中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門（MOEA）推出了一項(xiàng)針對(duì)16nm及以下芯片研發(fā)的補(bǔ)貼計(jì)劃，旨在支持當(dāng)?shù)仄髽I(yè)，幫助中國臺(tái)灣成為集成電路設(shè)計(jì)的領(lǐng)先者。
2024-03-21 14:19:0087 自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來，臺(tái)積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝的三星也不甘落后，先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100三款芯片。盡管力求后發(fā)制人，但三星的5nm之路依舊并非一帆風(fēng)順。
2021-01-20 03:53:003301
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