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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>緩沖/存儲技術(shù)>三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達(dá)1Gbps

三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達(dá)1Gbps

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請問哪位有三星的2440u***驅(qū)動的,需要win7 64位的?
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廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進(jìn)平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330(3G模塊)的整合,預(yù)計(jì)明年1月將可以向整個亞太地區(qū)進(jìn)行三星AP的平板電腦方案的推廣。
2012-12-21 19:28:08

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2012-12-21 19:36:06

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手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)

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2013-05-13 17:34:01

新技術(shù)世代即將來臨,存儲器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲器大廠都卯盡全力,在96的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五代的96V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00

有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請教

三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02

用于3D打印應(yīng)用的系統(tǒng)級DLP開發(fā)板設(shè)計(jì)包括BOM及原理圖

描述高速 DLP? 子系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)提供系統(tǒng)級 DLP 開發(fā)板設(shè)計(jì),適用于需要高分辨率、超高速度和生產(chǎn)可靠性的工業(yè)數(shù)字平版印刷術(shù)和 3D 打印應(yīng)用。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)通過集成最高分辨率的 DLP 數(shù)字微鏡器件
2018-09-29 09:40:52

芯片的3D化歷程

優(yōu)勢,或許,未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來,存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中,也
2020-03-19 14:04:57

請問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

高價(jià)收購三星DDR3

三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15

速率(1Gbps至4.25Gbps) 850nm 小封裝可

速率(1Gbps至4.25Gbps) 850nm 小封裝可插拔(SFP)收發(fā)器 HFRD-14.0 SFP收發(fā)器參考設(shè)計(jì)(圖1)包括一個高速VCSEL驅(qū)動器(MAX3795)、一個雙路溫控可調(diào)電阻(DS1859)、一個高速限幅
2010-04-12 08:59:1436

HMC746LC3C 支持高達(dá)13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)13 GHz的時鐘頻率

HMC746LC3C是一款A(yù)ND/NAND/OR/NOR門,設(shè)計(jì)支持高達(dá)13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)13 GHz的時鐘頻率。 HMC746可輕松配置為提供下列任一種邏輯功能: AND、NAND
2023-11-06 21:44:45

HMC726LC3C高達(dá)13 Gbps的串行數(shù)據(jù)傳輸速率

HMC726LC3C是一款A(yù)ND/NAND/OR/NOR門,設(shè)計(jì)支持高達(dá)13 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)13 GHz的時鐘頻率。 HMC726可輕松配置為提供下列任一種邏輯功能: AND、NAND
2023-11-06 21:50:26

MAX3795 多速率VCSEL驅(qū)動器,1Gbps至4.25

MAX3795 多速率VCSEL驅(qū)動器,1Gbps至4.25Gbps、帶有診斷監(jiān)視器   概述 MAX3795是高速VCSEL驅(qū)動器,用于小外形(SFF)
2008-10-22 21:34:04969

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533

三星推出64GB moviNAND閃存芯片

三星推出64GB moviNAND閃存芯片 三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片,單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713

為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星
2016-08-02 14:53:261209

韓企 3D NAND 閃存今年第三季有望占據(jù)全球過半份額

市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11633

西數(shù)力挺QLC:首發(fā)96層3D NAND閃存!SSD行業(yè)要變天

現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710

喜大普奔三星大力生產(chǎn)最強(qiáng)643D閃存:這回SSD可以安心降價(jià)了

三星全球最大的NAND閃存芯片制造商,這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn),可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況,當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54573

三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

長江存儲643D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的643D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395

聯(lián)蕓科技對外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解,MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片,已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:316838

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日,三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991

長江存儲計(jì)劃量產(chǎn)643D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)643D NAND閃存芯片,這對價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263

華為何剛親測聯(lián)通5G網(wǎng)絡(luò) 下載速率1Gbps

工信部透露5G牌照發(fā)放在即,中國將進(jìn)入5G商用元年,而5G有多快?4日,在華為上海研究所,華為手機(jī)產(chǎn)品線總裁何剛現(xiàn)身用5G折疊屏手機(jī)HUAWEI Mate X接入聯(lián)通5G網(wǎng)絡(luò),親測下載速率1Gbps
2019-06-08 18:00:005849

三星嵌入式存儲芯片 全球量產(chǎn)速度最快

三星最新宣布,已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:15747

長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的643D NAND閃存

長江存儲643D NAND閃存全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021051

我國首次實(shí)現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片的量產(chǎn) 將大幅縮短與國際先進(jìn)水平的差距

近日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實(shí)現(xiàn)643D NAND閃存芯片的量產(chǎn),將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516

中國首次量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)643D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241028

中國首款64層的3DNAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)

紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)
2019-10-14 16:04:32791

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存
2020-04-20 09:06:01473

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)
2020-07-30 11:40:1017363

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

的應(yīng)用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn),相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度,可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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