Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:07
11441 3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號(hào)，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:128497 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。
2020-02-10 19:46:29853 有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。 ? ? ? 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁
2022-07-28 14:35:41813 
每32位都是相同的。1、例程中測(cè)試nand flash的第一步是對(duì)0x03840000~0x03880000進(jìn)行操作.那么這個(gè)測(cè)試的地址是指在0x70000000的基礎(chǔ)上的偏移地址么？2、nand
2019-01-11 11:19:55
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
` 請(qǐng)問如果用labview保存出來的數(shù)據(jù)如上圖是一幅幅XY graph的疊加1024x124X33的3D array另外有XYZ 三維的定義X--wavelength1024的array
2012-09-25 08:12:46
一體化。2D到3D數(shù)據(jù)的高效轉(zhuǎn)化浩辰3D可以直接打開DWG和DXF圖紙來進(jìn)行編輯繪圖，并且可以通過快速建模設(shè)計(jì)環(huán)境將DWG圖紙直接轉(zhuǎn)化為3D模型。1、創(chuàng)建3D草圖打開二維圖紙，在「工具」選項(xiàng)卡中，選擇
2021-02-24 17:22:41
、再制造及延壽的增材制造技術(shù)等6大領(lǐng)域的31個(gè)正在實(shí)施的重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行了分析。??3D打印應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)展，由零部件擴(kuò)大到整機(jī)??3D打印技術(shù)已成為提高航天器設(shè)計(jì)和制造能力的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，其在航空航天
2019-07-18 04:10:28
的每個(gè)部件都有一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)。而3D打印則不同，整體制造一步到位，這就節(jié)省了產(chǎn)品各個(gè)零部件的物流運(yùn)輸成本，提高了生產(chǎn)效率。[img][/img]其次，在原型產(chǎn)品制作方面，3D打印具有明顯的原型產(chǎn)品
2018-08-11 11:25:58
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
巨大目前VR/AR技術(shù)已成功應(yīng)用到了數(shù)字顯示領(lǐng)域，消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品和各類需求和想象逐漸得到實(shí)現(xiàn)，進(jìn)一步刺激了消費(fèi)者對(duì)于VR/AR產(chǎn)品的購買欲望。部分企業(yè)已成功運(yùn)用這些技術(shù)生產(chǎn)出AR眼鏡、裸眼3D顯示器、3D智能手機(jī)等熱門產(chǎn)品，迎合了當(dāng)下的市場(chǎng)消費(fèi)熱點(diǎn)。
2020-11-27 16:17:14
，此項(xiàng)技術(shù)要真正應(yīng)用到影視領(lǐng)域卻還為時(shí)尚早——和當(dāng)年的IMAX一樣，涉及到影院的設(shè)備改造和升級(jí)換代，代價(jià)不菲。《阿凡達(dá)》給IMAX帶來了春天，3D全息聲音技術(shù)在電影院的長驅(qū)直入，也要仰仗某一部神作的出現(xiàn)
2013-04-16 10:39:41
的傳輸速率，更因簡化了糾錯(cuò)算法，進(jìn)而降低了功耗，一舉數(shù)得。進(jìn)一步凸顯了成本效益。3D NAND FLASH是現(xiàn)在和未來，19nm 的2D NAND FLASH是過去和現(xiàn)在。目前，在車規(guī)的應(yīng)用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
, 是Nand Flash的寫入操作的基本/最小的單位。【Nand Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的整體架構(gòu)】簡單說就是，常見的nand flash，內(nèi)部只有一個(gè)chip，每個(gè)chip只有一個(gè)plane。而有
2018-06-12 10:10:18
X4代V850 MCU D70f3506的部份數(shù)據(jù)讀取，有人有這個(gè)的手冊(cè)或資料。有償提供。
2017-11-20 15:30:17
:16264558TEL:*** 該工程包含了電機(jī)的幾何模型、運(yùn)動(dòng)和機(jī)械參數(shù)設(shè)置、材料屬性、鐵心損耗、以及電源與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置。在Maxwell中，通過電磁分析可以對(duì)RMxprt計(jì)算得到的參數(shù)進(jìn)一步細(xì)化，并提高其精度。
2014-06-13 17:09:22
嗨，大家好，我的印象是Xilinx ISE軟件的質(zhì)量越來越差。 ISE 14.7 Bitgen中存在一個(gè)錯(cuò)誤：將SPI選項(xiàng)切換到x4會(huì)導(dǎo)致將額外的多引導(dǎo)頭插入Spartan 6比特流。這意味著
2018-10-23 10:13:08
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)而存儲(chǔ)到SD NAND中，取物時(shí)輸入的物品ID和取出時(shí)間一并放入SD NAND中（我也是看中了SD NAND與原始NAND相比其具有嵌入式壞塊管理和更強(qiáng)的嵌入式ECC。即使在異常斷電，它仍然可以
2023-11-15 18:07:57
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（多至 20K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
具有高達(dá)48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)20 KB的FLASH和
至3K字節(jié)
2023-09-14 08:16:19
NAND Flash大廠改用電荷擷取閃存(Charge Trap Flash；CTF)技術(shù)，但目前僅止于研發(fā)階段。此外，3D Flash技術(shù)也是未來的趨勢(shì)之一。而東芝和三星都趨之若鶩
2022-01-22 08:05:39
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時(shí)，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
來實(shí)現(xiàn)基于這些約束的三維重建的完整管道。 在這個(gè)項(xiàng)目中，作者的目標(biāo)是朝著實(shí)時(shí)生成3D視覺數(shù)據(jù)邁進(jìn)一步。首先，在CPU上生成3D點(diǎn)云，然后使用Mesh Lab可視化它。由于Mesh Lab不適合實(shí)時(shí)
2021-01-07 17:25:42
，西部數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器類型還沒完全從2D NAND轉(zhuǎn)換成3D NAND，現(xiàn)在3D NAND只占總產(chǎn)量的65%，換言之西部數(shù)據(jù)生產(chǎn)的所有存儲(chǔ)器還有三分之一是2D NAND。?另外，在本月12號(hào)，西部數(shù)據(jù)宣布
2022-02-03 11:41:35
層3D NAND產(chǎn)出量，同時(shí)加快96層3D NAND技術(shù)的推進(jìn)。據(jù)悉，西部數(shù)據(jù)最新采用96層BiCS4的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達(dá)1.33Tb，相較于
2022-02-01 23:19:53
S29GL512S11DHIV10閃存芯片S29GL512S10GHI010隨著原廠3D NAND技術(shù)的發(fā)展，從2018下半年開始，各家均開始向96層3D技術(shù)升級(jí)，今天西部數(shù)據(jù)推出了其新一代96層
2022-02-02 08:45:13
SSD產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)表示，成功研發(fā)出X4架構(gòu)的BiCS3代表著西部數(shù)據(jù)的一個(gè)重大進(jìn)展，也顯示我們在NAND Flash技術(shù)的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位，同時(shí)也使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁└噙x擇的存儲(chǔ)解決方案。由于NAND
2022-02-04 10:27:01
近年來，3D打印技術(shù)全面開花！好像隔兩天你就會(huì)聽到3D打印引領(lǐng)發(fā)展潮流的相關(guān)報(bào)道。最近，我讀到一篇有關(guān)第一臺(tái)太空3D打印機(jī)的報(bào)道。NASA希望3D打印將在某一天隨時(shí)隨地為打印備用零件提供資源，并且在
2018-09-11 14:04:15
與“W＃”連接，D [03]必須與“HOLD＃”連接另外x4特色SPI FLASH有DQ2 / HOLD＃和DQ3 / W＃組合（例如Micron N25Q256A11EF840E）我認(rèn)為XAPP586圖5不正確。你能告訴我這個(gè)問題嗎？ - 問候，維克多附：
2020-05-29 15:27:13
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
的3D身體運(yùn)動(dòng)跟蹤技術(shù)有助于客戶為體育健身器材和醫(yī)療保健儀器以及游戲企業(yè)提供創(chuàng)新的解決方案。MEMS運(yùn)動(dòng)傳感時(shí)代即將來臨，我們將進(jìn)一步強(qiáng)化我們在市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”可穿戴式無線3D運(yùn)動(dòng)跟蹤技術(shù)將會(huì)在采用云
2012-12-13 10:38:42
的3D節(jié)目也可）。4、與顯示設(shè)備無關(guān)，適用于多種顯示設(shè)備。5、與觀看者無關(guān)，多人觀看同一屏幕時(shí)，觀者可憑愛好自選2D或3D模式，互不干擾。6、不降低原有的2D顯示質(zhì)量。簡述至此。其所展示的商機(jī)是有目共睹
2010-01-27 16:24:43
的3D節(jié)目也可）。4、與顯示設(shè)備無關(guān)，適用于多種顯示設(shè)備。5、與觀看者無關(guān)，多人觀看同一屏幕時(shí)，觀者可憑愛好自選2D或3D模式，互不干擾。6、不降低原有的2D顯示質(zhì)量。簡述至此。其所展示的商機(jī)是有目共睹
2010-01-27 16:26:25
的3D節(jié)目也可）。4、與顯示設(shè)備無關(guān)，適用于多種顯示設(shè)備。5、與觀看者無關(guān)，多人觀看同一屏幕時(shí)，觀者可憑愛好自選2D或3D模式，互不干擾。6、不降低原有的2D顯示質(zhì)量。簡述至此。其所展示的商機(jī)是有目共睹
2010-01-27 16:27:19
的3D節(jié)目也可）。4、與顯示設(shè)備無關(guān)，適用于多種顯示設(shè)備。5、與觀看者無關(guān)，多人觀看同一屏幕時(shí)，觀者可憑愛好自選2D或3D模式，互不干擾。6、不降低原有的2D顯示質(zhì)量。簡述至此。其所展示的商機(jī)是有目共睹
2010-01-27 21:56:15
的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用nand flash 是在核心板上的，所以也沒有什么原理圖，就看一下在核心板上的吧
2016-03-19 19:19:44
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn)，同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長江存儲(chǔ)：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
AD17.1.5軟件，3D與2D模型不能相互轉(zhuǎn)換，按3可以進(jìn)入3D模型，按2不可以進(jìn)入2D模型，這個(gè)是怎么回事啊？
2019-09-20 05:35:16
。但是，在檢查對(duì)象為多層基板的情況下，需要高電壓。對(duì)于特定電壓，圖像清晰度與X射線管功率成正比。
總而言之，X射線檢查技術(shù)為SMT檢查方法帶來了新的改革，可以認(rèn)為它是PCBA制造商進(jìn)一步提高制造工藝和產(chǎn)品質(zhì)量的最佳選擇。
原作者：booksoser 汽車電子工程知識(shí)體系
2023-04-24 16:38:09
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會(huì)一臉茫然，這個(gè)3D微波是應(yīng)用在哪個(gè)場(chǎng)景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
前言
大家好，我們一般在STM32項(xiàng)目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中，經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲(chǔ)芯片，我這里采用（雷龍） CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個(gè)常見的3D打印工藝，與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似，3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料，這些材料一層層的疊加在一
2022-11-18 07:32:23
測(cè)量金屬制品的長度、寬度、高度等維度參數(shù)。
除了測(cè)量金屬表面的形狀和輪廓外，光學(xué)3D表面輪廓儀還可以生成三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)和色彩圖像，用于進(jìn)一步分析和展示：
1、三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)可以用于進(jìn)行CAD模型比對(duì)、工藝
2023-08-21 13:41:46
基于 Kintex-7 XC7K325T的半高PCIe x4雙路萬兆光纖收發(fā)卡 一、板卡概述 板卡采用Xilinx公司的XC7K325T-2FFG900I芯片作為主處理器，由北京太速科技研發(fā)，可應(yīng)用
2022-01-27 14:40:07
提供全球領(lǐng)先的底層技術(shù)，賦能衣食住行、醫(yī)療、教育、娛樂等各行業(yè)的無窮3D視覺應(yīng)用。此次發(fā)布C158模組不但擁有銀牛NU4000強(qiáng)大的綜合能力，還進(jìn)一步貼合本土化應(yīng)用。為確保及時(shí)響應(yīng)客戶的需求，特意針對(duì)
2021-11-29 11:03:09
此類內(nèi)存的開發(fā)要求最低，且易于整合到系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。東芝正通過增強(qiáng)其高性能和高密度內(nèi)存產(chǎn)品陣容來滿足這種需求，并將繼續(xù)占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。來源：電子發(fā)燒友網(wǎng)融融網(wǎng)——軍民融合生態(tài)圈
2018-09-13 14:36:33
大家好，我需要AcPress基于FX3的PCI-E X4到USB 3（FX3）適配器卡/接口和/或GeBER文件，如果有人知道這是否存在的話？讓我做出這個(gè)決定的是，在進(jìn)行一些搜索時(shí)，我遇到了下面
2019-08-21 14:22:07
度/角頭引腳■ 3D 打印燈絲■ 用于激光切割場(chǎng)景光盤的 3 毫米厚木材（x4 A4 尺寸）這些是我使用的一些我最喜歡的工具，可以推薦：■ 電池供電膠槍■ 博世鉆頭螺絲刀
2022-06-30 06:49:41
如標(biāo)題所述，我想從相同的實(shí)現(xiàn)為同一FPGA（Artix-7）生成2種類型的比特流（SPI x4和SelectMAP x16）。這有點(diǎn)可能嗎？目前，我有兩種不同的實(shí)現(xiàn)運(yùn)行（由于約束集 - 在xdc文件中的CONFIG_MODE是不同的），它們必須單獨(dú)運(yùn)行以生成相應(yīng)的比特流。
2020-06-09 07:40:00
本文介紹的三個(gè)應(yīng)用案例展示了業(yè)界上先進(jìn)的機(jī)器視覺軟件和及其圖像預(yù)處理技術(shù)如何促使2D和3D視覺檢測(cè)的性能成倍提升。
2021-02-22 06:56:21
如何同時(shí)獲取2d圖像序列和相應(yīng)的3d點(diǎn)云？以上來自于谷歌翻譯以下為原文How to obtain the sequence of 2d image and corresponding 3d point cloud at the same time?
2018-11-13 11:25:01
請(qǐng)問PCB 中2D 庫中怎么導(dǎo)出3D
2019-09-11 22:17:15
LS1046A核心板中，對(duì)外引出的P21（mini PCIE），PCIE X1接口P2，P23,。我現(xiàn)在打算只用一個(gè)msata接口接硬盤。問題：現(xiàn)在還需要配置一個(gè)pcie x4的接口，用于與自研的底板（FPGA）數(shù)據(jù)傳輸。請(qǐng)問是否有這種配置模式？謝謝
2022-01-14 07:49:23
3D視覺技術(shù)有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
我想索取S32K3X4EVB-Q172開發(fā)板的3D模型。我已經(jīng)下載了硬件設(shè)計(jì)文件，但沒有包含 3D 模型。你能給我一份 .step 格式的嗎？
2023-03-24 07:12:57
PCIE x4 Gen2 高速數(shù)據(jù)傳輸， 包括所有源代碼，驅(qū)動(dòng)和PC端程序
2021-06-23 09:38:33
解決。作為該技術(shù)的領(lǐng)先者，在嵌入式圖像市場(chǎng)有十多年經(jīng)驗(yàn)的富士通設(shè)計(jì)、開發(fā)并幫助客戶集成領(lǐng)先的2D和3D圖像顯示控制器。 圖2：利用3D圖像，單一物體可以旋轉(zhuǎn)至任何角度，縮放至任意大小，突出任意部位
2014-08-14 14:00:59
設(shè)計(jì)。由浩辰CAD公司研發(fā)的浩辰3D作為從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到制造全流程的高端3D設(shè)計(jì)軟件，不僅能夠提供完備的2D+3D一體化解決方案，還能一站式集成3D打印的多元化數(shù)據(jù)處理，無需將模型數(shù)據(jù)再次導(dǎo)出到其他軟件
2021-05-27 19:05:15
In many cases, there is a complementary choice of automated 3D X-ray and off-axis 2D X
2019-10-28 06:18:12
半導(dǎo)體模型并將其投入生產(chǎn)實(shí)踐，尤其是3D器件結(jié)構(gòu)，使摩爾定律又持續(xù)了數(shù)十年。”2015年曾有報(bào)道稱，F(xiàn)inFET未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm。發(fā)展至今，我們也看到，F(xiàn)inFET技術(shù)仍然還被用于7nm中
2020-03-19 14:04:57
pnoz 皮爾茲全系列皮爾茲PNOZ X1 X2.1 X3 X4 X2.8P X2P XV2 XV2P XV3 XV3P X6 X10 S1 S3 S4 S5 S6 S7 S10 M1P系列，數(shù)量不限，有貨的老板聯(lián)系
2021-08-24 11:57:36
體化端到端模式，專業(yè)定位于***、平板電腦、PMP播放器、數(shù)碼相框等各類手持式移動(dòng)終端設(shè)備，通過該方案，***終端與平板電腦、PMP廠家在原有的2D終端基礎(chǔ)上零開發(fā)工作量就可推出裸眼3D產(chǎn)品。億思達(dá)
2012-07-31 16:59:22
用了stk 的例程測(cè)試srio與switch連接，port 是x4模式，dsp與 switch建鏈之后，發(fā)現(xiàn)SP0_ERR_STAT的值是2，但SP1_ERR_STAT，SP2_ERR_STAT，SP3_ERR_STAT三個(gè)均為9。這樣正常嗎？x4 模式下是否要判斷另外3個(gè)port的狀態(tài)？
2018-07-24 08:24:41
請(qǐng)問怎么將AD中的3D封裝庫轉(zhuǎn)換為2D的封裝庫
2019-06-05 00:35:07
顯示應(yīng)用。 Microchip人機(jī)界面部門總監(jiān)Roland Aubauer博士表示：“自推出GestIC以來，Microchip在開發(fā)基于手勢(shì)的技術(shù)方面一直處于行業(yè)領(lǐng)先地位。對(duì)于在顯示應(yīng)用中添加3D
2018-11-07 10:45:56
NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 3D NVM主要廠商產(chǎn)品路線圖近階段，3D非易失性存儲(chǔ)（NVM）領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，例如Western Digital（西部數(shù)據(jù)）收購了SanDisk，中國政府在存儲(chǔ)領(lǐng)域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚(yáng)鑣，以進(jìn)一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:164171 
無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没瑖H廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:494303 西部數(shù)據(jù)公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤（EFD），豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲(chǔ)存解決方案，
2018-10-18 16:52:411295 美國愛達(dá)荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級(jí)單元）NAND 技術(shù)提升市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的進(jìn)一步舉措——其廣受歡迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154 外媒報(bào)道稱，存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競(jìng)爭。在本周的 Storage Field Day
2019-03-14 16:08:572708 存儲(chǔ)解決方案提供商西部數(shù)據(jù)日前宣布推出了64層3D NAND打造的固態(tài)硬盤。該技術(shù)使西部數(shù)據(jù)能夠提供更低功耗，更高性能，耐用度更高且容量更大的新型固態(tài)硬盤。
2019-05-13 11:18:194105 （高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)，產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:113408 長江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277 根據(jù)消息報(bào)道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:344317 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成
2020-07-24 15:09:131525 架構(gòu)，其橫向單元陣列密度比第五代技術(shù)提高了約10%2。與112層堆疊技術(shù)相比，這種橫向擴(kuò)展技術(shù)上的提升，結(jié)合162層堆疊式垂直存儲(chǔ)器，能夠使晶圓尺寸減小約40%3，從而優(yōu)化了成本。西部數(shù)據(jù)與鎧俠團(tuán)隊(duì)還采
2021-02-22 18:28:362185 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 目前業(yè)界有很多樂觀的降價(jià)反彈，但目前大部分供應(yīng)商和客戶都個(gè)別通知價(jià)格調(diào)整，西部數(shù)據(jù)給客戶發(fā)了漲價(jià)信，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)出現(xiàn)驚人的上漲，是業(yè)界第一次全面大漲價(jià)格。得益于西部數(shù)據(jù)大規(guī)模價(jià)格上漲的消息，12月6日nand相關(guān)集團(tuán)的股價(jià)表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)。
2023-12-07 14:37:03220 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
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