硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
1098 
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現(xiàn)代存儲器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類（1）半導體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
1.存儲器和總線架構(gòu)1.1系統(tǒng)架構(gòu)圖1I總線:此總線用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線獲取指令。此總線訪問的對象是包含代碼的存儲器（內(nèi)部 Flash
2021-08-05 07:41:43
存儲器擴展方式是什么？IO擴展方式是什么？
2022-01-17 08:24:15
存儲器映射是什么意思？其映射過程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設計片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲器理解存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲器的分類存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質(zhì)分半導體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
單片機內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲器的工作原理
2021-02-04 07:46:15
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
一種存儲器的編碼方法，應用于包含存儲器的裝置，存儲器中包含第一存儲體、第二存儲體和第三存儲體，包括：獲取存儲器的帶寬信息；依據(jù)帶寬信息選取編碼操作的操作時機；在到達操作時機時，檢測針對第一存儲體
2019-11-15 15:44:06
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進行連接的？
2021-09-16 07:12:10
用于串行總線應用的示波器分段存儲器
2012-11-01 15:32:39
目前高級應用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
則可直接連接至用于內(nèi)部 SL2/SL3 RAM 的 4 個寬 1024 位存儲器組。內(nèi)部存儲器組使 XMC 中的預取邏輯功能能夠在未來每次請求訪問物理 RAM 之前獲取程序和數(shù)據(jù)，從而避免后續(xù)訪問停滯
2011-08-13 15:45:42
當系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
從三個層面認識SRAM存儲器
2021-01-05 07:09:10
大家好，之前玩過51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊時看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器，手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
為什么有的電子設備用eMMC存儲器 ？而有的用DDR存儲器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個停車場計時系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時出現(xiàn)兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應車的狀態(tài)（在不在車庫內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
一、stm32的存儲器一共4G大小，地址范圍0x0000 0000到0xFFFF FFFF，分成8個塊（Block0~Block7），每塊大小為512M。其中片上外設地址(0x4000 0000
2021-08-23 08:12:15
三相變壓器用于傳輸大量電力。三相變壓器需要對電力系統(tǒng)網(wǎng)絡各個階段的電壓進行升壓和降壓。三相變壓器以兩種方式構(gòu)建。
三***立的單相變壓器適合三相操作。
單個三相變壓器，其中所有三相的鐵芯
2023-04-23 17:48:56
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
和一些常量有16根地址總線，所以CODE的尋址范圍是 0000H~FFFFH 共64KB 2.DATA 數(shù)據(jù)存儲器用于存放程序運行過程中的數(shù)據(jù)有8根地址總線，所以DATA的尋址空間為 00H~FFH
2016-04-15 15:30:05
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來信息，并且難以修復。 7、光盤存儲器 價格低，容量大，耐用，可用于長期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤慢得多。光盤存儲器三大類型：CD光盤存儲器，DVD 光盤存儲器，BD光盤存儲器。
2019-06-05 23:54:02
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而
2019-06-26 07:11:05
變頻器控制電路中電機用三角形接法還是用星型接法？單相變頻器和三相有何區(qū)別？單相變頻器和三相變頻器就電機接線方法上有何區(qū)別？為什么？
2023-03-28 16:46:02
，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲器之外，哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器。感謝和問候蘇巴什
2019-08-15 07:02:35
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
MB的存儲器映射空間。其中，STRB0所對應的存儲映像區(qū)間是不連續(xù)的兩段區(qū)問，一段是03FH～7FFFFFH(共31.999 MB)，另一段是880000H～8FFFFFH(共2 MB);STRBl
2019-06-14 05:00:08
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
如何實現(xiàn)擴展存儲器的設計？
2021-10-28 08:08:51
IAM即將完成PSOC3（我的第一個主要項目）的創(chuàng)建者項目，并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護。在TRM或某個地方，閃存保護不能用于保存SPC數(shù)據(jù)（如EEPROM存儲器）的字節(jié)。我的問題是：如何識別
2019-06-18 09:14:56
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經(jīng)設法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
STM32的存儲器由哪些組成？怎樣去啟動STM32存儲器？
2021-09-24 07:03:23
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機存儲電路里的數(shù)據(jù)存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
程序存儲器ROM和數(shù)據(jù)存儲器RAM分開編址，屬于“哈佛”結(jié)構(gòu)。程序存儲器ORM用于固化程序，常數(shù)和數(shù)據(jù)表。數(shù)據(jù)存儲器用于存放程序運行中產(chǎn)生的各種數(shù)據(jù)并用于堆棧。51單片機存儲器結(jié)構(gòu)如圖所示：51單片機存儲器在物理結(jié)構(gòu)上分成四個空間：片內(nèi)程序存儲器、片外程序存儲器、片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和片外數(shù)據(jù)存儲器。從
2021-12-01 08:24:14
單片機中數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
什么存儲介質(zhì)適用于intel optane SSD 800P，900P，905P，intel optane SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)是所有相變存儲器或相變存儲器的一部分，如果它們
2018-11-19 14:18:38
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
存儲器芯片是什么？存儲器可分為哪幾類？存儲器術(shù)語的定義有哪些？如何去測試存儲器芯片的功能？測試向量是什么？它的執(zhí)行方式以及測試目的分別是什么？
2021-04-15 06:18:54
靜態(tài)隨機存儲器SRAM存儲數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
應用于存儲及網(wǎng)絡應用中的新一代存儲器
近年來由于因特網(wǎng)業(yè)務的平均帶寬每6個月至9個月就增加一倍因此對用于業(yè)務傳輸?shù)木W(wǎng)絡容量帶寬以及用于存儲生成該業(yè)務
2010-03-18 10:44:57
21 相變存儲器驅(qū)動電路的設計與實現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
相變存儲器技術(shù)基礎 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22630 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù)。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:00961 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 BM蘇黎世研究中心的科學家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
2011-07-07 09:26:182615 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲應用需要寫
2011-09-07 16:33:051446 
用于LED制造的MOCVD技術(shù)
2017-02-07 13:27:5211 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 耶魯大學和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機隨機存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場推進暨江蘇時代芯存半導體有限公司相變存儲器工廠竣工運營啟動儀式。
2018-03-28 14:58:196707 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器，最主要包括相變半導體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054081 旺宏電子董事會決議通過明年新增資本支出新臺幣 8.65 億元（約1.9億人民幣），并繼續(xù)與 IBM 合作開發(fā)相變化存儲器。
2018-12-31 16:49:003678 NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器（PCM），該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。
2019-01-15 14:30:531143 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:016997 
為了解決這個問題，IBM的研究人員給相變存儲器引入了一個所謂的投影段（projection segment）。投影段是該團隊在2015年首次提出的，它是一個金屬氮化物導電層，包裹著相變材料芯，并在電極之間平行于相變材料芯運行。投影段將信息的寫入和讀取過程分開。
2019-08-29 11:51:133464 據(jù)介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點的存儲器，而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
通過采用基于相變存儲的模擬芯片，機器學習可以加速一千倍。相變存儲（PCM）是基于硫?qū)倩锊ＡР牧希茉谑┘雍线m電流時將介質(zhì)從晶態(tài)變?yōu)榉蔷B(tài)并再變回晶態(tài)，基于材料所表現(xiàn)出來的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)。
2019-11-18 15:21:44853 
相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本應用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 華中科技大學成功研制全球最低功耗相變存儲器：比主流產(chǎn)品1000倍 來源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學集成電路學院獲悉，該學院團隊研制出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699 在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:401484 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論