三極管的檢測方法和判斷口訣 1?中、小功率三極管的檢測 A?已知型號和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞 (a)?測量極間
2009-11-28 11:23:47
12016 本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測方法，以兩單元為例:用模擬萬用表測量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:268505 本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu)，其次對IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測量。
2018-05-22 09:15:539392 之前文章光模塊/AOC/DAC技術(shù)門檻低？我們有提到過，網(wǎng)工經(jīng)常會遇到各式各樣的光模塊問題。那如果當(dāng)我們遇到故障，該如何進(jìn)行排查分析？本文我們就來講講幾種判斷光模塊異常的常用方法
2023-08-19 09:18:282421 由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08248 
本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計(jì)。
2021-08-20 16:56:497224 
IGBT模塊工作原理以及檢測方法,希望會對大家有所幫助
2011-08-09 18:30:26
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
短路等。 由于混合驅(qū)動(dòng)模塊本身的過流保護(hù)臨界電壓動(dòng)作值是固定的(一般為7～10V)，因而存在著一個(gè)與IGBT散熱器模塊配合的問題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在 IGBT模塊散熱器集電極與驅(qū)動(dòng)模塊之間
2012-06-19 11:26:00
在實(shí)際工作過程中通過測量模塊的殼溫及功率，得到實(shí)時(shí)工作過程中的結(jié)溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時(shí)反饋到系統(tǒng)中，從而增加IGBT模塊的壽命預(yù)測精度。
2020-12-10 15:06:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
請哪位高手指點(diǎn)一下，如何測量IGBT單管的好壞，謝謝
2012-07-25 21:49:17
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
IGBT的測量
2012-08-13 14:15:14
各位大神好，想請教一個(gè)問題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊，型號是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊，是驅(qū)動(dòng)模塊，不是驅(qū)動(dòng)芯片，我在網(wǎng)上查找到了EXB840，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn)，所以想問有沒有類似的新產(chǎn)品，求推薦型號。
2021-01-04 10:40:43
IGBT 被阻 斷http://t.cn/zHum3Rv，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進(jìn)第二次測量時(shí)http://t.cn/zHum3Rv，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極
2013-06-18 16:13:38
各位大師，我有一個(gè)igbt想要判斷它的好壞。igbt內(nèi)部的一些電容和二級管是不是可以被測試啊。還有哪些測試方法呢，謝謝
2015-01-12 17:32:13
一文解讀HEVC視頻標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)內(nèi)濾波，看完你就懂了
2021-06-03 06:08:38
如圖2所示。IGBT通過兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測試電流，然后第二個(gè)脈沖會測量測試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗
2019-03-06 06:30:00
一文看懂色環(huán)電感封裝尺寸的測量方法gujing編輯：谷景電子色環(huán)電感作為一種應(yīng)用非常廣泛的電感產(chǎn)品，大家對于色環(huán)電感使用的問題也是非常關(guān)心。從色環(huán)電感選型，到色環(huán)電感的應(yīng)用故障解決方案等。我們在前
2022-11-22 22:36:36
一文讀懂接口模塊的組合應(yīng)用有哪些？
2021-05-17 07:15:49
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
的通態(tài)導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2019-10-06 07:00:00
般不超過4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。檢測絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡易方法1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換
2016-12-15 14:21:12
的無線電噪聲濾波器可以降低輸出端的線路噪聲。五、變頻器IGBT模塊的檢測方法判斷極性選擇R*1KΩ，如果一極和其他兩極的電阻是無窮大的，并且筆交換后電阻仍然是無限的，那么極點(diǎn)是G。另外兩極再次測量，如果電阻
2023-02-02 17:02:08
變頻器中使用的IGBT模塊是七單元集成模塊（FP15R12KE3G），即三單元整流器，三單元逆變器和一體式制動(dòng)器。模塊具有溫度自檢單元，通過萬用表的二極管文件測量。1. 整流橋的靜態(tài)測量三相橋式
2023-02-16 18:03:09
問題，其原理大家可自己畫圖分析一下。對于IGBT模塊，我們介紹最簡單的測量方法（專業(yè)不是這樣測量）將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1、e1、c2、e2之間以及柵極g與e1、e2之間正反
2018-08-10 13:59:06
專業(yè)上門回收ABBIGBT模塊天津誠信回收新舊IGBT模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊山東浙江江蘇安徽江西高價(jià)回收三菱IGBT模塊收購英飛凌IGBT模塊二手IGBT模塊全國各地區(qū)高價(jià)回收IGBT
2021-10-25 21:49:20
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應(yīng)，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應(yīng)，對它們的好壞判斷及及區(qū)分可以用動(dòng)靜態(tài)測量方法來完成。一、靜態(tài)測量判斷MOS管和IGBT管的好壞先將
2019-05-02 22:43:32
通過電流和電壓探頭以及標(biāo)準(zhǔn)的示波器進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運(yùn)行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實(shí)驗(yàn)方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合在一
2018-12-07 10:19:13
專業(yè)長期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話
2020-07-30 13:20:09
本文從精簡結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2021-05-14 06:07:09
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊，有誰有渠道的幫幫忙！
2020-01-12 10:47:52
法判斷IGBT的好壞。判斷IGBT的方法1、判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余
2011-12-14 11:29:51
原標(biāo)題：圖文講解變頻器IGBT更換維修方法下面分享這臺安邦信G9/11KW變頻器維修案例故障原因：IGBT模塊壞 第一步：將模塊拆出來至于怎么拆,正常是用錫槍把管腳焊錫吸干凈,模塊可以完好無損拆出來
2021-09-03 07:08:24
各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問題？
2021-04-08 06:21:04
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
197 富士IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2008-01-08 10:45:44109 三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊Mitsubishi Electric The 5th Generation IGBT Modules & IPM Modules
2010-02-19 11:10:01681 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件，其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 IGBT驅(qū)動(dòng)模塊EXB841使用方法的改進(jìn)
摘要: 本文對目前在電力電子技術(shù)中廣泛使用的IGBT驅(qū)動(dòng)模塊EXB841的使用方法進(jìn)行了改進(jìn)，克服了EXB841本身的缺陷，提高了保護(hù)
2010-05-08 15:11:3684 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15924 
西門康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:291025 
三菱IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:511093 
三極管的工作狀態(tài)判斷方法:測量三極管的三個(gè)電極對地電位如圖：
2008-07-14 10:21:2917494 
IGBT管的好壞檢測方法
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管
2009-07-02 18:39:438814 
關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測量方法
0 引 言
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是GTR和MOSFET的一種新型復(fù)合器件，自問世以來就以輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)
2009-11-23 10:33:411865 
用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時(shí)，由此可見，IGBT管放大能力的判斷方法類似于三極管放大倍數(shù)的判斷。
2011-02-15 11:19:392990 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
并聯(lián)IGBT模塊靜動(dòng)態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:415 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）：黑表筆接的為發(fā)射極（E）。 2、判斷好壞將萬用表撥在R10KQ檔，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)時(shí)極（E），此時(shí)萬用表的指針在零位。
2017-11-01 10:26:4330 器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。下面來看看如何檢測的吧。
2018-01-12 09:30:5959643 
IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測的準(zhǔn)確度;然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻.
2018-01-26 15:25:1750975 
的重要因素。基于壓接式IGBT模塊雙脈沖測試平臺，介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 IGBT管好壞的檢測方法：IGBT 管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測的準(zhǔn)確度
2018-05-18 00:00:0070281 
株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種能同時(shí)滿足極端高低溫狀況下的汽車級IGBT模塊雙脈沖測試方法和系統(tǒng)，具有測試操作簡單、成本低、系統(tǒng)集成度以及測試效率高的優(yōu)勢。
2020-11-16 10:17:414436 
使用萬用表監(jiān)測判斷IGBT管的放大能力
2021-03-18 16:40:2220 的影響袁為 IGBT 模塊的實(shí)際工況運(yùn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以及功率能力評估提供參考遙同時(shí)袁還提出了一種驅(qū)動(dòng)電阻的優(yōu)化切換方法和一種最佳驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)參數(shù)的選擇方法遙
2021-05-17 09:51:1964 電磁爐IGBT好壞判斷方法綜述
2021-06-17 09:53:4836 擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極（S）和柵極（G），這時(shí)IGBT被阻斷，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
2021-06-22 11:36:5448 以上萬用表測量 IGBT 的方法采用的是：
1.IGBT型號
Infineon IGBT (BSM75GB170DN2)
2.萬用表：
勝利萬用表VC890D。
2021-12-22 10:10:4646 igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:176503 
PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)，包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:39513 IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?
2022-12-29 09:08:553117 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-05 10:45:103099 
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-17 14:56:472736 
正確理解IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系，對了解產(chǎn)品特性，指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用足產(chǎn)品特性，符合規(guī)范很有幫助，熟悉標(biāo)準(zhǔn)的工程師會在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中更游刃有余。
2023-02-07 16:52:55987 
模塊壓裝方式，開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法，可實(shí)現(xiàn)單面熱阻測試，對比單面與雙面熱阻值、實(shí)測值與仿真值之間的差異，并討論差異產(chǎn)生原因與修正手段。測試結(jié)果表明，該方法具有良好的可重復(fù)性與可推廣性，可為雙面散熱汽車 IGBT 模塊的熱測試提供參考。
2023-02-08 12:49:001123 變頻器（VFD）在運(yùn)行時(shí)突然發(fā)出爆炸聲，同時(shí)外部保險(xiǎn)絲燒斷，拆機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞，其他板卡正常。在拆解VFD板的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)它的電源板和電流檢測
2023-02-11 11:07:203213 IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT單管的封裝形式比較簡單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:509150 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:254883 IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:141760 
IGBT模塊在電力電子變流領(lǐng)域應(yīng)用尤為廣泛，其吸收電容的選型計(jì)算成為熱點(diǎn)。由于IGBT模塊關(guān)斷時(shí)會產(chǎn)生較高的尖峰附加電壓，疊加在母線電壓上容易導(dǎo)致IGBT模塊燒毀（IGBT模塊開通時(shí)的尖峰附加電壓
2023-02-23 09:11:1216 工作中會遇到這樣一些情況：損壞的IGBT模塊要分析失效原因，或者外觀完好的模塊要判斷是否有異常，在缺乏專門儀器的情況下，數(shù)字萬用表作為常用工具，可以幫助我們快速判別IGBT好壞，這時(shí)一般會用到萬用表
2023-02-23 16:05:133 IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？ 答：當(dāng) PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。 我在說明變頻器逆變原理的時(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。 電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著
2023-02-23 15:45:563 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartranslator，IGBT）模塊的普遍應(yīng)用，電力電子可靠性要求不斷提高，而過熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965 
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；
2023-07-14 08:55:101659 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運(yùn)行中測量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22753 
為了正確使用光模塊并滿足通信需求，了解如何準(zhǔn)確判斷光模塊的發(fā)射端和接收端顯得十分重要，今天就跟著小易來看看如何能快速判斷光模塊的收發(fā)端吧！
2023-08-24 15:24:441156 igbt測量好壞方法萬用表 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件，可用于各種電氣設(shè)備中，如電力電子設(shè)備和汽車。對于一個(gè)電氣工程
2023-09-02 11:20:152227 IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531805 
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號，而且
2023-10-19 17:01:221318 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451107 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊損壞時(shí) 如何測量好壞.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 09:47:280 IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系解讀
2023-12-14 11:38:45443 
。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082
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