前言

我們聊聊芯片設(shè)計(jì)、流片、驗(yàn)證、制造、成本的那些事；流片對(duì)于芯片設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)就是參加一次大考。

流片的重要性就在于能夠檢驗(yàn)芯片設(shè)計(jì)是否成功，是芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，也就是將設(shè)計(jì)好的方案交給芯片制造廠生產(chǎn)出樣品。檢測(cè)設(shè)計(jì)的芯片是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求，或者是否需要進(jìn)一步優(yōu)化；如果能夠生產(chǎn)出符合要求的芯片，那么就可以大規(guī)模生產(chǎn)了。

上圖流程的輸入是芯片立項(xiàng)設(shè)計(jì)，輸出是做好的芯片晶圓。

一、晶圓術(shù)語(yǔ)

1. 芯片（chip、die）、器件（device）、電路（circuit）、微芯片（microchip）或條碼（bar）：所有這些名詞指的是在晶圓表面占大部分面積的微芯片圖形；

2. 劃片線（scribe line、saw line）或街區(qū)（street、avenue）：這些區(qū)域是在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片之間的間隔區(qū)。劃片線通常是空白的，但有些公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，或測(cè)試的結(jié)構(gòu)；

3. 工程實(shí)驗(yàn)片（engineering die）和測(cè)試芯片（test die）：這些芯片與正式芯片或電路芯片不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于晶圓生產(chǎn)工藝的電性測(cè)試；

4. 邊緣芯片（edge die）：在晶圓邊上的一些掩膜殘缺不全的芯片而產(chǎn)生的面積損耗。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費(fèi)會(huì)由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)。推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積；

5. 晶圓的晶面（wafer crystal plane）：圖中的剖面標(biāo)示了器件下面的晶格構(gòu)造，此圖中顯示的器件邊緣與晶格構(gòu)造的方向是確定的；

6. 晶圓定位邊（wafer flats）/凹槽（notche）：圖示的晶圓由注定位邊（major flat）和副定位邊（minor flat），表示這是一個(gè)P型<100>晶向的晶圓。300mm和450mm直徑的晶圓都是用凹槽作為晶格導(dǎo)向的標(biāo)識(shí)。這些定位邊和凹槽在一些晶圓生產(chǎn)工藝中還輔助晶圓的套準(zhǔn)。

二、芯片的流片方式（Full Mask、MPW）

Full Mask和MPW都是集成電路的一種流片（將設(shè)計(jì)結(jié)果交出去進(jìn)行生產(chǎn)制造）方式。Full Mask是“全掩膜”的意思，即制造流程中的全部掩膜都為某個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)；而MPW 全稱(chēng)為Multi Project Wafer，直譯為多項(xiàng)目晶圓，即多個(gè)項(xiàng)目共享某個(gè)晶圓，也即同一次制造流程可以承擔(dān)多個(gè)IC設(shè)計(jì)的制造任務(wù)。

1.Full Mask，“全掩膜”，即制造流程中的全部掩膜都為某個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)；Full Mask的芯片，一片晶圓可以產(chǎn)出上千片DIE；然后封裝成芯片，可以支撐大批量的客戶需求。

2.MPW全名叫Multi Project Wafer，和電路設(shè)計(jì)PCB的拼板打樣類(lèi)似，叫多項(xiàng)目晶圓。多項(xiàng)目晶圓就是將多個(gè)使用相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片，制造完成后，每個(gè)設(shè)計(jì)可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量對(duì)于原型（Prototype）設(shè)計(jì)階段的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試已經(jīng)足夠。這種操作方式可以讓流片費(fèi)下降90%-95%，也就大幅降低了芯片研發(fā)的成本。

晶圓廠每年都會(huì)有固定的幾次MPW機(jī)會(huì)，叫Shuttle （班車(chē)），到點(diǎn)即發(fā)車(chē)，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個(gè)規(guī)則，MPW按SEAT來(lái)鎖定面積，一個(gè)SEAT一般是3mm*4mm的一塊區(qū)域，一般晶圓廠為了保障不同芯片公司均能參與MPW，對(duì)每家公司預(yù)定的SEAT數(shù)目會(huì)限制（其實(shí)SEAT多成本就上去了，MPW意義也沒(méi)有了）。MPW優(yōu)勢(shì)投片成本小，一般就小幾十萬(wàn)，可以很好降低風(fēng)險(xiǎn)；需要注意的是MPW從生產(chǎn)角度是一次完整的生產(chǎn)流程，因此其還是一樣耗時(shí)間，一次MPW一般需要6~9個(gè)月，會(huì)帶來(lái)芯片的交付時(shí)間后延。

因?yàn)槭瞧碬afer，因此通過(guò)MPW拿到的芯片數(shù)目就會(huì)很有限，主要用于芯片公司內(nèi)部做驗(yàn)證測(cè)試，也可能會(huì)提供給極少數(shù)的頭部客戶。從這里大家可能已經(jīng)了解了，MPW是一個(gè)不完整的，不可量產(chǎn)的投片。

3.晶圓生產(chǎn)角度介紹MPW

畢竟芯片加工還是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過(guò)程，我相信很多朋友看完第一和小二之前理解的晶圓結(jié)構(gòu)，是下圖的，一個(gè)框歸屬于一個(gè)芯片公司。

實(shí)則不然，這就需要和晶圓的生產(chǎn)流程的光刻技術(shù)相關(guān)了；現(xiàn)階段的光刻技術(shù)DUV/EUV等，大多采用縮影的方式進(jìn)行曝光，如下圖所示：

采用1：5 放大的mask，對(duì)晶圓進(jìn)行曝光，一次曝光的矩形區(qū)域通常稱(chēng)為一個(gè)shot，完成曝光后，***自動(dòng)調(diào)整晶圓位置，對(duì)下個(gè)shot進(jìn)行曝光，如此循環(huán)（Step-and-Repeat），直到整個(gè)晶圓完成曝光，而這一個(gè)Shot的區(qū)域，則是大家一起分擔(dān)SEAT的區(qū)域；

如下示意圖中，一個(gè)Shot里面劃分4個(gè)小格，每個(gè)格子給到一家廠商的設(shè)計(jì)，MPW晶圓一般20個(gè)以內(nèi)用戶。

三、芯片ECO流程

ECO 指的是Engineering Change Order，即工程變更指令。ECO可以發(fā)生在Tapeout之前，過(guò)程中，或者之后；Tapeout之后的ECO，改動(dòng)少的可能僅需要改幾層Metal layer，改動(dòng)大可能需要?jiǎng)邮畮讓覯etal layer，甚至重新流片。ECO 的實(shí)現(xiàn)流程如下圖所示：

如果MPW或者FullMask的芯片，驗(yàn)證有功能或者性能缺陷，通過(guò)ECO對(duì)電路和標(biāo)準(zhǔn)單元布局進(jìn)行小范圍調(diào)整，保持原設(shè)計(jì)布局布線結(jié)果基本不變的前提下做小規(guī)模優(yōu)化，修復(fù)芯片的剩余違例，最終達(dá)到芯片的簽核標(biāo)準(zhǔn)。不能通過(guò)后端布局布線的流程來(lái)修復(fù)違例（重新走一遍流程太費(fèi)時(shí)了），而要通過(guò)ECO的流程來(lái)進(jìn)行時(shí)序、DRC、 DRV以及功耗等優(yōu)化。

四、流片Corner

1.Corner是芯片制造是一個(gè)物理過(guò)程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等），導(dǎo)致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同的。

在一片wafer上，不可能每點(diǎn)的載流子平均漂移速度都是一樣的，隨著電壓、溫度不同，它們的特性也會(huì)不同，把他們分類(lèi)就有了PVT（Process，Voltage，Temperature），而Process又分為不同的corner：TT：Typical N Typical P FF：Fast N Fast P SS：Slow N Slow P FS：Fast N Slow P SF：Slow N Fast P 第一個(gè)字母代表NMOS，第二個(gè)字母代表PMOS，都是針對(duì)不同濃度的N型和P型摻雜來(lái)說(shuō)的。NMOS和PMOS在工藝上是獨(dú)立做出來(lái)的，彼此之間不會(huì)影響，但是對(duì)于電路，NMOS和PMOS是同時(shí)工作的，會(huì)出現(xiàn)NMOS快的同時(shí)PMOS也快，或者慢，所以會(huì)出現(xiàn)FF、SS、FS、SF四種情況。通過(guò)Process注入的調(diào)整，模擬器件速度快慢，同時(shí)根據(jù)偏差大小設(shè)定不同等級(jí)的FF和SS。正常情況下大部分是TT，而以上5種corner在+/-3sigma可以覆蓋約99.73%的范圍，這種隨機(jī)性的發(fā)生符合正態(tài)分布。

2.Corner wafer的意義在工程片流片的時(shí)候，F(xiàn)AB會(huì)pirun關(guān)鍵層次調(diào)整inline variation，有的還會(huì)下backup wafer以保證出貨的wafer器件on target，即在TT corner附近。如果單純是為了做一些樣品出來(lái)，只進(jìn)行工程片流片，那可以不驗(yàn)證corner，但如果為了后續(xù)量產(chǎn)準(zhǔn)備，是必須要考慮corner的。由于工藝在制作過(guò)程中會(huì)有偏差，而corner是對(duì)產(chǎn)線正常波動(dòng)的預(yù)估，F(xiàn)AB也會(huì)對(duì)量產(chǎn)芯片的corner驗(yàn)證有所要求。所以在設(shè)計(jì)階段就要滿足corner，在各種corner和極限溫度條件下對(duì)電路進(jìn)行仿真，使其在各種corner上都能正常工作，才能使最終生產(chǎn)出的芯片良率高。

3.Corner Split Table策略 對(duì)于產(chǎn)品來(lái)講，一般corner做到spec上，正常情況下spec有6個(gè)sigma，如FF2（或2FF）表示往快的方向偏2個(gè)Sigma，SS3（或3SS）表示往慢的方向偏3個(gè)Sigma。Sigma主要表征了Vt的波動(dòng)，波動(dòng)大sigma就大，這里3個(gè)sigma就是在工藝器件的spec線上，可以允許超出一點(diǎn)點(diǎn)，因?yàn)榫€上波動(dòng)不可能正正好好做到spec上。

如下是55nm Logic工藝片的例，擬定的corner split table：

①#1 & #2 兩片pilot wafer，一片盲封，一片測(cè)CP；

②#3 & #4 兩片hold在Contact，為后道改版預(yù)留工程wafer，可以節(jié)省ECO流片時(shí)間 ；

③#5～#12 八片hold在Poly，等pilot的結(jié)果看是否需要調(diào)整器件速度，并驗(yàn)證corner；

④除了留有足夠的芯片用于測(cè)試驗(yàn)證，Metal Fix，還應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目需求，預(yù)留盡可能多的wafer作為量產(chǎn)出貨。

4.確認(rèn)Corner結(jié)果

首先，大部分都應(yīng)該落于四個(gè)corner決定的window范圍內(nèi)，如果出現(xiàn)大的偏差，那可能是工藝shift。如果各個(gè)corner的良率都沒(méi)影響符合預(yù)期，那說(shuō)明工藝窗口充分。如果有個(gè)別條件良率低，那就需要調(diào)整工藝窗口。Corner wafer的目的是驗(yàn)證設(shè)計(jì)余量，考察良率是否有損失。大體上，超出這個(gè)corner約束性能范圍內(nèi)的芯片報(bào)廢。

Corner驗(yàn)證對(duì)標(biāo)的是WAT測(cè)試結(jié)果，一般由FAB主導(dǎo)，但是corner wafer的費(fèi)用是由設(shè)計(jì)公司承擔(dān)的。一般成熟穩(wěn)定的工藝，同一片wafer上的芯片，同一批次的wafer甚至不同批次的wafer參數(shù)都是很接近的，偏差的范圍相對(duì)不會(huì)很大。工藝角（Process Corner）PVT(Precess Voltage Temperature)工藝誤差與雙極晶體管不同，在不同的晶片之間以及在不同的批次之間，MOSFETs參數(shù)變化很大。

為了在一定程度上減輕電路設(shè)計(jì)任務(wù)的困難，工藝工程師們要保證器件的性能在某個(gè)范圍內(nèi)，大體上，他們以報(bào)廢超出這個(gè)性能范圍的芯片的措施來(lái)嚴(yán)格控制預(yù)期的參數(shù)變化。

①M(fèi)OS管的快慢分別指閾值電壓的高低，快速對(duì)應(yīng)閾值低，慢速對(duì)應(yīng)閾值高。GBW=GM/CC ，其它條件相同情況下，vth越低，gm值越高，因此GBW越大，速度越快。（具體情況具體分析）

②電阻的快慢。fast對(duì)應(yīng)的是方塊電阻小，slow對(duì)應(yīng)的是方塊電阻大。

③電容的快慢。fast對(duì)應(yīng)的是電容最小，slow對(duì)應(yīng)的是容值最大。

五、流片成本和晶圓價(jià)格

40nm的流片Mask成本大概在80-90萬(wàn)美元，晶圓成本每片在3000-4000美元左右，加上IP merge，七八百萬(wàn)人民幣跑不掉了。

28nm工藝流片一次需要200萬(wàn)美元；14nm工藝流片一次需要500萬(wàn)美元；7nm工藝流片一次需要1500萬(wàn)美元；5nm工藝流片一次4725萬(wàn)美元；3nm工藝流片可能要上億美元；掩膜版、晶圓這兩項(xiàng)主要流片成本中，掩膜版最貴。

越先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，所需要的掩膜版層數(shù)就越多；因?yàn)槊恳粚印把谀ぐ濉睂?duì)應(yīng)涂抹一次光刻膠、曝光、顯影、刻蝕等操作，涉及材料成本、儀器折舊成本，這些成本都需要fabless客戶買(mǎi)單！

28nm大概需要40層，14nm工藝需要60張掩膜版；7nm工藝需要80張甚至上百?gòu)堁谀ぐ妫灰粚覯ask 8萬(wàn)美金，因此芯片必須量產(chǎn)，拉低成本！

40nm MCU工藝為例：如果生產(chǎn)10片晶圓，每片晶圓成本（90萬(wàn)+ 4000*10）/10=9.4萬(wàn)美元；生產(chǎn)10000片晶圓，每片晶圓成本（90萬(wàn)+4000*10000）/10000=4090美元。(晶圓量越大越便宜，不同產(chǎn)家報(bào)價(jià)也不一樣。)

晶圓代工價(jià)格來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)

臺(tái)積電今年給的最新報(bào)價(jià)：最先進(jìn)的制程3nm，每片晶圓19865美元，折合人民幣大概14.2w左右。

結(jié)語(yǔ)

芯片從設(shè)計(jì)到成品有幾個(gè)重要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，但芯片成本構(gòu)成的比例確大不相同，一般為人力成本20%，流片40%，封裝35%，測(cè)試5%。

芯片流片是高風(fēng)險(xiǎn)的事情，這個(gè)風(fēng)險(xiǎn)有多高，這個(gè)概率在15%-35%左右；不同的團(tuán)隊(duì)和芯片種類(lèi)概率也不一樣。有模擬芯片公司即使在團(tuán)隊(duì)完備、思路清晰的情況下，還是耗了8年時(shí)間，歷經(jīng)18次流片，才最終完成了傳感器模擬計(jì)算IP驗(yàn)證，打造出了理想中的那顆超低功耗、超近傳感芯片。

編輯：黃飛