分析：450mm，EUV，TSV都將延遲

現在不用再期待了，根據IC insights公司的數據，看起來兩個兩個正在顯現的重要的IC制造技術都將延遲，包括450mm晶圓和遠紫外（EUV）光刻技術。

根據分析，450mm晶圓廠量產可能要比預期的時間晚兩年，要等到2015年或2016年。而EUV將會錯過16nm節點，因此要等到2015年的13nm節點才能引入。

另一個技術，基于硅穿孔（TSV）的3D器件還處于萌芽期并“過高估計”了，IC insight分析師Trevor Yancey表示。對于TSV的3D器件的吹噓太多了，但在基板、測試和成本方面，還有很多問題需要解決。

一些人認為TSV要進入主流應用還需要更長的時間。換句話來說，能幫助延續摩爾定律的三個技術——450mm，EUV和TSV——目前還是談論多于實際。

450mm技術轉移的延遲并不奇怪。IC insights公司主席Bill McClean在一個活動上表示：“經濟不景氣讓450mm技術變得無關緊要。”

根據報道，英特爾，臺積電和三星正在分別推進45mm“原型”工廠在2012年的到來。這幾家公司在尋找在32nm節點上的45mm“演示”工具和22nm上的“導入工具”。有人認為450mm工廠不會出現，他們認為研發費用太高了。沒有人清楚誰會為工具和研發費用買單。

在前不久的半導體產業策略座談會（ISS）上，有謠言說450mm技術已經延遲了，據說要等到15nm節點才會有導入工具。有人推測，經濟衰退，加上工具供應商的支持不足，是導致延遲的原因之一。

450mm量產工廠不會再2014年之前出現，Yancey表示。他認為450mm更可能出現的時間是“2015年或2016年”。

Yancey同時相信量產工廠采用EUV也將遲于新的目標日期，預期是2013年的16nm邏輯節點。有可能EUV會支持第二代的16nm器件，但“看起來這也不會發生”，他說道。

更有可能的情況是EUV在2015年的13nm邏輯節點上進入量產工廠，他表示。基于先前的考慮，還有功率源、光刻膠和掩膜等問題需要解決。

英特爾和Sematech公司的警告日前再一次響起。芯片制造協會日前警告資金短缺和掩膜檢測問題將影響EUV光刻的實施。三星也發出了這樣的警告