引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是微納制造技術的關鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導體制造業中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131396 
光刻膠為何要謀求國產替代？中國國產光刻膠企業的市場發展機會和挑戰如何？光刻膠企業發展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發總監潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料，目前主要被日美把控，國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢，國內廠商在光
2021-08-12 07:49:005381 電子發燒友原創 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區別如下
2021-01-12 10:17:47
數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。 常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息
2012-01-12 10:51:59
，之后經過物鏡投射到曝光臺，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會在晶圓上蝕刻出電路。 而激光器負責光源產生，而光源對制程工藝是決定性影響的，隨著半導體工業節點
2020-07-07 14:22:55
SU-8光刻膠 SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，在近紫外光（365nm-400nm）范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比
2018-07-12 11:57:08
。光刻機的曝光波長也在由紫外譜g線 (436nm)→i線(365nm)→248nm→193nm→極紫外光（EUV）→X射線，甚至采用非光學光刻（電子束曝光、離子束曝光），光刻膠產品的綜合性能也必須隨之
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方沒有殘留；工藝參數：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
電介質和濾波應用的旋涂材料 PC3 系列 產品可用于平坦化，臨時行粘接層和保護涂層。 BDC1/PDC1/ZPDC1 系列 產品可作為高效參雜層，代替昂貴的CVD參雜工序。 RD6系列 光刻膠顯影液，可用
2010-04-21 10:57:46
環境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學反應性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
光刻膠的玻璃烘烤一段時間，以使光刻膠中的溶劑揮發，增加與玻璃表面的粘附性。E. 曝光：用紫外光（UV）通過預先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發生反應，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模
2019-07-16 17:46:15
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術，在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
區別在于材料的化學結構和光刻膠對光的反應方式。對于正性光刻膠，暴露在紫外線下的區域會改變結構，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準備。負性光刻膠則正好相反，受光照射的區域會聚合，這會使其變得更難溶解
2022-04-08 15:12:41
光刻技術中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當掩膜版與硅片接觸和對準時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
噴膠機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠；通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
什么是SOI技術？在實現CAN收發器EMC優化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統中的主脈沖電源,給出了主電路拓撲結構,重點介紹了三級磁
2010-04-22 11:41:29
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
曝光：用紫外光（UV）通過預先制作好的電極圖形掩模版照射光刻膠表面，使被照光刻膠層發生反應，在涂有光刻膠的玻璃上覆蓋光刻掩模版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光：（如圖所示）F． 顯影：用顯影液處理玻璃
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻膠 光刻制造過程中，往往需采用20-30道光刻工序，現在技術主要采有紫外線(包括遠紫外線)為光源的光刻技術。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉移的工藝步驟。刻蝕環節是復制
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計數器是一款新型液體顆粒監測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學品、有機化學品、有機溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數器，采用英國普洛帝核心技術創新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統，可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉移到基片上，從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 ? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機，未來可用于生產7nm工藝芯片，而根據最新消息稱，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機，國產SSD固態硬盤將迎來重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 這是一種老式的旋轉涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造，但仍在使用傳統的深紫外光刻(DUV)技術。
2018-10-17 15:44:564730 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發極紫外（EUV）光刻機，其公司認為，一旦當今的系統達到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機來繼續縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 光刻膠是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應用領域包括：半導體領域的集成電路和分立器件、平板顯示、LED、以及倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等產品的制作過程。
2019-02-11 13:54:5224578 
光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發生變化，經適當溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。
2019-02-19 09:17:0638454 近日，日本對韓國進行出口限制，光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498 光刻膠概念股南大光電10月23日公告，擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項目。
2019-10-24 16:47:213114 今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ArF光刻膠開發和產業化項目”落地實施。目前該項目完成的研發技術正在等待驗收中，預計2019年底建成一條光刻膠生產線，項目產業化基地建設順利。
2019-12-16 13:58:527318 據國外媒體報道，在芯片的制造過程中，光刻機是必不可少的設備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機也就至關重要。
2020-03-07 10:50:591943 據國外媒體報道，半導體行業光刻系統供應商ASML（阿斯麥）去年交付了26臺極紫外光刻機（EUV），調查公司Omdia表示，其中約一半面向大客戶臺積電。ASML此前公布，2019年，共向客戶交付了26
2020-04-09 11:20:062310 對于芯片制造廠商來說，光刻機的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工藝已經提升至5nm和3nm之后，極紫外光刻機就顯得更為重要。而ASML作為全球唯一有能力制造極紫外光刻機的廠商，他的一舉一動，牽動著所有相關產業上下游廠商的心。
2020-04-15 15:44:364093 4月17日消息，據國外媒體報道，在智能手機等高端設備芯片的工藝提升到5nm之后，能生產5nm芯片的極紫外光刻機就顯得異常重要，而作為目前全球唯一能生產極紫外光刻機的廠商，阿斯麥的供應量直接決定了各大芯片制造商5nm芯片的產能。
2020-04-18 09:09:433544 光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據第三方機構智研咨詢統計，2019年全球光刻膠市場規模預計近90億美元，
2020-09-15 14:00:1416535 技術水平與國際先進水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術含量相對較低的PCB領域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國內企業可以大規模生產。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252958 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 》中明確提出，要加快新材料產業強弱項，加快在光刻膠、高強高導耐熱材料、耐腐蝕材料等領域實現突破。 成立于1996年的深圳市容大感光科技股份有限公司，作為我國首批PCB感光油墨生產制造商之一，多年來始終堅持自主創新，致力于高
2020-10-22 15:20:153201 將先完成，預計2021年2月開始量產，屆時信越化學將得以在中國臺灣地區生產可與極紫外光（EUV）光刻技術兼容的光刻膠，以滿足臺積電等臺廠客戶的需求。 日本的工廠將建在新瀉縣，預計2022年開始運作。屆時中國臺灣地區的光刻膠將增產50%，日本
2020-10-22 17:25:323413 日前三星電子副董事長李在镕前往荷蘭拜訪光刻機大廠ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應提早交付三星已經同意購買的極紫外光光刻設備（EUV）。
2020-10-24 09:39:061509 根據報道，信越化學將會在日本和臺灣地區興建工廠，位于臺灣地區云林工廠將先完成，預計2020年2月開始量產，屆時信越化學將得以在臺灣地區生產可與極紫外光（EUV）光刻技術兼容的光刻膠，以滿足臺積電等臺廠客戶的需求。
2020-11-05 09:31:382014 數百道工藝的層層打磨，一顆嶄新的芯片才正式誕生。 而芯片制造所需的關鍵設備就是光刻機，但是我們今天不談光刻機，我們要來聊一聊光刻機中最重要的材料光刻膠。 光刻膠又稱為光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，受紫外光曝
2020-11-14 09:36:575407 
在5nm、6nm工藝大規模投產、第二代5nm工藝即將投產的情況下，芯片代工商臺積電對極紫外光刻機的需求也明顯增加。而外媒最新援引產業鏈消息人士的透露報道稱，臺積電已向阿斯麥下達了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:141640 光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 ? 導 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。 光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，
2020-12-29 09:14:542095 對于阿斯麥（ASML）來說，他們正在研發更先進的光刻機，這也是推動芯片工藝繼續前行的重要動力。 ASML是全球目前唯一能制造極紫外光刻機的廠商，其在推出TWINSCAN NXE:3400B和NXE
2020-12-29 11:06:572287 12月29日消息，據國外媒體報道，ASML正在研發更先進、效率更高的高數值孔徑極紫外光刻機：NXE:5000系列，設計已經基本完成，預計在2022年開始商用。
2020-12-30 10:29:302159 據國外媒體報道，臺積電和三星電子的芯片制程工藝，均已提升到了 5nm，更先進的工藝研發也在推進，并在謀劃量產事宜。 在制程工藝提升到 5nm 之后，也就意味著臺積電、三星等廠商，對極紫外光刻機的需求
2021-01-25 17:10:181352 ，對極紫外光刻機的需求會不斷增加，而全球目前唯一能生產極紫外光刻機廠商的阿斯麥，也就大量供應極紫外光刻機。 英文媒體在最新的報道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業前列的臺積電，在今年預計可獲得 18 臺極紫外光刻機，三星和英特爾也將
2021-01-25 17:21:543321 對于臺積電來說，他們今年依然會狂購極紫外光刻，用最先進的工藝來確保自己處于競爭的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511137 近日，荷蘭的光刻機制造商阿斯麥（ASML）發布2020年度財報，全年凈銷售額達到140億歐元，毛利率達到48.6%。ASML同時宣布實現第100套極紫外光刻（EUV）系統的出貨，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:232588 2月2日消息，據國外媒體報道，臺積電和三星電子，從阿斯麥購買了大量的極紫外光刻機，用于為蘋果、高通等客戶代工最新的智能手機處理器。 而從外媒的報道來看，除了臺積電和三星，存儲芯片制造商SK海力士
2021-02-02 18:08:482632 2月25日消息，據國外媒體報道，芯片制程工藝提升至5nm的臺積電和三星，已從阿斯麥購買了大量的極紫外光刻機，并且還在大量購買。
2021-02-26 09:22:011530 5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152624 光刻膠是光刻機研發的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 ，必須：1）保證光刻膠粘附，防止圖案被蝕刻；2）防止蝕刻劑滲透到光致抗蝕劑/材料界面。為了避免后一種現象，了解蝕刻劑是否穿透光刻膠以及其擴散速率是至關重要的。 蝕刻垂直滲透的界面修飾已經在之前的工作中得到了證明。我
2022-01-18 15:20:01410 
待加工基片上。其被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是微細加工技術的關鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23758 
光刻機是制作芯片的關鍵設備，利用光刻機發出的紫外光源通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的硅片曝光，使光刻膠性質變化、達到圖形刻印在硅片上形成電子線路圖。我國目前還是采用什深紫外光的193nm制程工藝，如上海微電子裝備公司（CMEE）制程90nm工藝的光刻機，那么90nm光刻機能生產什么芯片呢？
2022-06-30 09:46:2131257 目前，光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術，EUV使用的是深紫外光刻技術。EUV為先進工藝芯片光刻的發展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415833 半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品，海外進口依賴較重，不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432574 熱點新聞 1、 ASML 阿斯麥 CEO 透露高數值孔徑極紫外光刻機 2024?年開始出貨 據國外媒體報道，光刻機制造商阿斯麥的 CEO 兼總裁彼得?維尼克 (Peter Wennink)，在本周
2022-11-18 19:00:033971 科學家利用選擇性紫外光刻實現復合纖維材料的光纖微圖案化
2022-12-22 14:58:13194 
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線波長更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機，250W的功率，每天耗電達到三萬度。
生產效率仍不
2023-06-08 15:56:42283 
UVPhotoresistforg-lineandi-line撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復旦大學鄧海9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動
2022-02-14 09:41:46280 
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2022-02-15 11:23:37280 MODEL：XT-01-UVlitho-手動版一、產品簡介光刻技術是現代半導體、微電子、信息產業的基礎，是集成電路最重要的加工工藝。光刻膠在紫外光的照射下發生化學變化，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程
2022-12-20 09:24:261212 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導體行業生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:56442 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34381 光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規模持續提升，中國有望承接半導體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50200 
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