16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 在28納米產(chǎn)品和新平開發(fā)軟件平臺Vivado發(fā)布后，賽靈思并沒有停止新工藝開發(fā)的腳步。日前賽靈思宣布了其20納米的產(chǎn)品規(guī)劃。 賽靈思全球高級副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總
2012-11-14 10:43:401136 SuVolta公司展示其「深度耗盡通道」（ Deeply Depleted Channel；DDC ）技術(shù)在效能及功耗方面的優(yōu)勢。
2013-01-10 11:36:181040 Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達(dá)克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協(xié)議，共同開發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 在國際電子電路研討會大會（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4（低功耗雙數(shù)據(jù)速率4）移動DRAM。
2015-09-11 10:21:011421 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 瑞薩電子今日宣布，將開發(fā)全新微控制器（MCU），以支持最近發(fā)布的低功耗（LE）藍(lán)牙? 5.3規(guī)范。
2021-10-21 15:34:201291 
（Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
要解決一系列的技術(shù)難題。為此，我們邀請F(tuán)PGA企業(yè)、EDA企業(yè)、IP企業(yè)、芯片制造企業(yè)共同探討新工藝技術(shù)的研發(fā)關(guān)鍵點(diǎn)。 Altera技術(shù)經(jīng)理相奇博士：40納米技術(shù)應(yīng)對高靜態(tài)功耗和高速I/O挑戰(zhàn)
2019-05-20 05:00:10
上受益于和TSMC的合作。這種緊密的合作關(guān)系使Altera能夠在CycloneIII中充分發(fā)揮TSMC低功耗65nm工藝技術(shù)的優(yōu)勢，和競爭器件相比，大大降低了功耗。我們在45nm產(chǎn)品開發(fā)中也取得了很大進(jìn)步，將在2008年推出我們的首款45nm產(chǎn)品。
2019-07-16 08:28:35
可穿戴設(shè)備可分為哪幾類？低功耗藍(lán)牙技術(shù)在可穿戴電子中有什么應(yīng)用？
2021-05-24 07:16:07
EMC設(shè)計、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計技術(shù)在目前比以往任何時候都更有價值。隨著元件集成更多功能，并越來越小型化，對低功耗的要求持續(xù)增長。當(dāng)把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時，限制設(shè)計的低功耗非常重要。如何減小動態(tài)和靜態(tài)功耗？如何使功耗最小化？
2019-08-27 07:28:24
MATLAB&STM32CubeMX聯(lián)合開發(fā)系列——不用手寫一行代碼就能實(shí)現(xiàn)CAN通訊從第一次搭建好MATLAB和STM32CubeMX的聯(lián)合開發(fā)環(huán)境有一段時間了，之前已經(jīng)發(fā)布了兩個實(shí)例
2021-08-17 08:00:20
最近在學(xué)習(xí)MATLAB/RTW與STM32f407，遇到一些問題，請問誰有過類似聯(lián)合開發(fā)的經(jīng)驗或者資料？不勝感謝!!!!
2016-02-01 20:45:21
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括：多于10萬個器件的設(shè)計復(fù)雜度、大于幾GHz的時鐘主頻、納米級的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無線/有線通訊協(xié)議的支持問題?！ ?
2019-10-11 06:39:24
通 驍龍 8 Gen 1：2021年12月1日公布，4納米工藝技術(shù)制造3、蘋果A14 Bionic：2020年9月15日公布，5納米工藝技術(shù)制造4、高通 驍龍 888 Plus：2021年6月28日公布
2021-12-25 08:00:00
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)公司微捷碼（Magma）設(shè)計自動化有限公司近日宣布，已和專為消費(fèi)性應(yīng)用提供超低功耗65納米FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）技術(shù)的先驅(qū)者SiliconBlue科技公司正式簽定技術(shù)
2019-07-26 07:29:40
如何利用Freeze技術(shù)的FPGA實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計？
2021-04-29 06:27:52
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價值， 為客戶提供具備 ASIC 級功能
2019-08-09 07:27:00
和傳統(tǒng)藍(lán)牙技術(shù)相比，低功耗藍(lán)牙技術(shù)的低功耗是如何實(shí)現(xiàn)的？
2021-05-18 06:23:30
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
的方法來控制靜態(tài)功耗以及UPF的實(shí)現(xiàn)方法，然后描述UPF在設(shè)計流程中的應(yīng)用?！ ?shù)字IC設(shè)計面臨的挑戰(zhàn) 制造工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展比預(yù)期增加了更多的功耗。每一個新工藝都具有固有的更高的動態(tài)和漏電電流密度
2020-07-07 11:40:06
低功耗藍(lán)牙有哪些特性？低功耗藍(lán)牙有哪些技術(shù)？
2021-05-14 07:08:40
請詳細(xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
如何利用FPGA設(shè)計技術(shù)降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
立足自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，企業(yè)才有生命力。2005 年，中芯國際在成功開發(fā)0.25 微米、0.18 微米、0.13微米集成電路生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上，向90 納米國際主流技術(shù)發(fā)起挑戰(zhàn)。2006 年中芯國
2009-12-14 11:39:00
34 摘要：介紹了幾種高開關(guān)速度、低電源電壓等極、低功耗的BiCMOS邏輯門電路，并分析了它們的工作原理及其工藝技術(shù)情況。結(jié)果表明，這些電路的電源電壓可達(dá)到20V以下，而且信號
2010-05-13 09:59:2919 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 低功耗的FPGA芯片領(lǐng)導(dǎo)者Actel公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工廠聯(lián)華電子 (UMC) 宣布，雙方已合作進(jìn)行Actel次世代以Flash為基礎(chǔ)的FPGA (現(xiàn)場可編程門陣列) 芯片之生產(chǎn)。此FPGA芯片將采用
2008-11-22 18:35:42704 中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:44793 英飛凌與諾基亞將聯(lián)合開發(fā)4G技術(shù)
芯片廠商英飛凌宣布與諾基亞合作制造用于下一代移動網(wǎng)絡(luò)的芯片，使它向諾基亞高端手機(jī)供應(yīng)芯片又邁進(jìn)了一步。
英飛凌星
2009-11-27 09:02:47269 英飛凌與諾基亞將聯(lián)合開發(fā)4G技術(shù)
據(jù)國外媒體報道，芯片廠商英飛凌宣布與諾基亞合作制造用于下一代移動網(wǎng)絡(luò)的芯片，使它向諾基亞高端手機(jī)供應(yīng)芯片又邁
2009-11-27 15:03:33493 松下與Tesla聯(lián)合開發(fā)新一優(yōu)鋰離子電池技術(shù) Tesla馬達(dá)公司與松下公司于2010年1月8日宣布，聯(lián)合開發(fā)新一優(yōu)電動汽車用鋰離子電池技術(shù)，Te
2010-01-09 08:34:46753 Telsa宣布和松下聯(lián)合開發(fā)新款車用電池
蓋世汽車訊 綜合外電報道，全球電動車制造商Tesla近日宣布，Tesla將和日本松下公司聯(lián)合開
2010-01-11 08:47:34608 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺開發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進(jìn)可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21383 統(tǒng)一工藝和架構(gòu)，賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布，為推進(jìn)可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工程師在全球發(fā)布賽靈思
2010-03-02 08:48:51576 新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09588 Achronix半導(dǎo)體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán)，并計劃開發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財年開始出樣?；?b class="flag-6" style="color: red">28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷碼(Magma®)設(shè)計自動化有限公司日前宣布，一款經(jīng)過驗證的支持Common Platform™聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術(shù)的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 中國頂尖IC設(shè)計公司已經(jīng)采用了28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片，而9.2% 本地?zé)o晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計及大規(guī)模量產(chǎn)。
2011-09-07 11:23:501556 中國頂尖設(shè)計公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片，而本地9.2%無晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 ARM公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工商聯(lián)電近日共同宣布達(dá)成長期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術(shù)驗證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術(shù)的
2011-10-13 09:32:44631 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子) 于2011年6月14日宣布開發(fā)新型超低功耗近場 距離(低于1米的范圍內(nèi))無線技術(shù)，通過此技術(shù)實(shí)現(xiàn)極小終端設(shè)備(傳感器節(jié)點(diǎn))即可將各種傳感器信息發(fā)送
2011-10-18 09:38:14480 瑞薩電子公司和工業(yè)通信系統(tǒng)設(shè)備供應(yīng)商Hilscher公司今天宣布聯(lián)合開發(fā)新型片上系統(tǒng)(SoC)
2011-11-24 08:43:34545 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:27754 本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面，其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（NASDAQ:CDNS）今天宣布，歷經(jīng)廣泛的基準(zhǔn)測試后，半導(dǎo)體制造商聯(lián)華電子（NYSE：UMC；TWSE：2303）（UMC）已采用Cadence? “設(shè)計內(nèi)”和“簽收”可制造性設(shè)計（DFM）流程對28納米設(shè)計進(jìn)行物理簽收和電學(xué)變量優(yōu)化。
2013-07-18 12:02:09905 聯(lián)華電子和寬帶存取與家庭網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的領(lǐng)先供貨商Lantiq今日（28日）共同宣布，Lantiq應(yīng)用于有線電話的SPT170高壓電源管理芯片產(chǎn)品，已于聯(lián)華電子進(jìn)入量產(chǎn)。
2014-10-30 09:40:49848 2015年4月27日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競爭對手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 ， LDE） Analyzer 分析方案通過聯(lián)華電子認(rèn)證，支援其28納米HPCU（High Performance Compact，高效能精簡型）制程技術(shù)。
2016-04-15 10:09:071939 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 “我們與 Cadence 密切合作
開發(fā)參考流程，幫助我們的客戶加快其差異化的
低功耗、高性能芯片的設(shè)計，”中芯國際設(shè)計服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示，“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實(shí)現(xiàn)工具與中芯國際
28納米工藝的緊密結(jié)合，能夠幫助設(shè)計團(tuán)隊將
28納米設(shè)計達(dá)到更低的
功耗以及更快的量產(chǎn)化?！?/div>
2016-06-08 16:09:562242 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上海——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 晟矽微電子股份有限公司（“晟矽微電”，股份代號：430276）今日聯(lián)合宣布，基于95納米單絕緣柵一次性編程MCU（95納米CE 5V OTP MCU）工藝平臺開發(fā)的首顆微控制器（Microcontroller Unit, MCU）（產(chǎn)品型號MC30P6230）已成功驗證，即將導(dǎo)入量產(chǎn)。
2017-11-03 10:37:249818 臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理金平中指出，臺積電的超低功耗平臺包括55納米超低功耗技術(shù)、40納米超低功耗技術(shù)、22納米超低功耗／超低漏電技術(shù)等，都已經(jīng)被各種穿戴式產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用采用，同時，臺積電也把超低功耗
2017-12-11 15:03:291409 大會(ITS World Congress 2016)上展示聯(lián)合開發(fā)的新型V2X參考設(shè)計方案 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）和車聯(lián)網(wǎng)(V2X)及聯(lián)網(wǎng)自動駕駛汽車
2018-04-25 22:20:002144 于聯(lián)電55納米超低功耗工藝（55ULP）的 PowerSlash 基礎(chǔ)IP方案。智原 PowerSlash 與聯(lián)電工藝技術(shù)相互結(jié)合設(shè)計，為超低功耗的無線應(yīng)用需求技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化，滿足無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求。 智原科技營銷暨投資副總于德洵表示：物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用建構(gòu)過程中，效能往往受制于低功耗技術(shù)。
2018-03-05 15:08:005142 中芯國際仍在努力提升自己的28納米工藝技術(shù)，曾在三星電子公司和臺積電擔(dān)任高管的梁孟松，去年擔(dān)任中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官，他的加入將有助于中芯國際開發(fā)自己的14納米工藝技術(shù)。三星電子公司和臺積電目前正競相生產(chǎn)7納米工藝技術(shù)芯片。
2018-05-18 08:58:134552 南京飛騰電子近日宣布，正式發(fā)布業(yè)界最低功耗的安全 NB-IoT 模組 FT780，該模組是由飛騰電子和中興微電子基于 RoseFinch7100 超低功耗 NB-IoT 芯片上聯(lián)合開發(fā)，尺寸僅為 18mm x16mmx2.3mm，是目前業(yè)界最小的模塊，適用于超低功耗和超小型化的應(yīng)用場景。
2018-10-07 19:16:574276 近日，華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159 華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 繼寶馬與戴姆勒（奔馳母公司）宣布成立合資出行集團(tuán)之后，寶馬戴姆勒商談聯(lián)合開發(fā)電動車平臺。
2019-03-21 16:47:403702 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 低功耗，簡稱“LPE”)工藝。人工智能(AI)增強(qiáng)型云就緒Fusion Design Platform提供前所未有的全流程設(shè)計實(shí)現(xiàn)質(zhì)量和設(shè)計收斂速度，實(shí)現(xiàn)三星5LPE工藝技術(shù)提供的超高性能和低功耗，加速新一波半導(dǎo)體設(shè)計的開發(fā)，包括高性能計算(HPC)、汽車、5G和人工智能細(xì)分市場。
2019-06-12 13:48:353552 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 聯(lián)華電子2日表示，在使用USB 2.0測試載具并成功通過硅驗證之后，正式宣布更先進(jìn)的22納米制程技術(shù)就緒。
2019-12-03 15:40:342106 12月16日消息，據(jù)國外媒體報道，周二，由賈躍亭創(chuàng)辦的美國電動汽車初創(chuàng)企業(yè)法拉第未來（Faraday Future，簡稱FF）宣布與飛利浦知識產(chǎn)權(quán)與標(biāo)準(zhǔn)公司達(dá)成一項聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。
2020-12-16 10:15:581536 ，以提高產(chǎn)能。 而從英文媒體最新的報道來看，聯(lián)華電子也在提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能，以滿足相關(guān)制程工藝的需求。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報道聯(lián)華電子正提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能的，主要是滿足 28nm 工藝的產(chǎn)能需求。
2021-01-18 17:11:282288 目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:542254 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 （UMC） 近日達(dá)成合作，共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術(shù)平臺的工藝設(shè)計套件 （PDK）。
2022-02-17 10:43:201132 
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 (UMC) 近日達(dá)成合作，共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術(shù)平臺的工藝設(shè)計套件 (PDK)。聯(lián)華電子為全球半導(dǎo)體晶圓專工業(yè)業(yè)者，專注
2022-04-02 09:54:041687 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 國內(nèi)知名電源品牌歐陸通與意法半導(dǎo)體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設(shè)立針對數(shù)字電源應(yīng)用的聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗室，擬在服務(wù)器電源及新能源技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域探索更多可能性。兩個
2023-04-29 14:35:241751 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論