然后開始使用少量的1.25 英寸小硅片，進而集成電路用的1.5 英寸硅片更是需求大增。之后，經(jīng)過2 英寸，3 英寸， 1975 年4 英寸登場開始在全球普及，接下來5 英寸，6 英寸，8 英寸，然后從2001 年開始進入12 英寸。預計在2020 年左右，18 英寸（450mm）的硅片將開始投入使用。

　　此外，還出現(xiàn)了新的硅材料——SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅），SOI技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。

　　SOI 材料具有以下突出優(yōu)點：1、低功耗；2、低開啟電壓；3、高速；4、提高集成度；5、與現(xiàn)有集成電路完全兼容且減少工藝程序；6、耐高溫；7、抗輻照等。 基于SOI 結(jié)構(gòu)上的器件在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開關速度，降低功耗，實現(xiàn)高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術，SOI 廣泛應用于微電子的大多數(shù)領域，同時還在光電子、MEMS 等其它領域得到應用。

　　最后，再談一下中國半導體市場八個預測

　　日前，國內(nèi)半導體市場研究調(diào)查機構(gòu)公開了2016年中國半導體產(chǎn)業(yè)十大預測。從長遠來看，中國的半導體產(chǎn)業(yè)將蓬勃發(fā)展，中國產(chǎn)業(yè)的崛是必然。

　　1、中國存儲器起航，與存儲器相關的產(chǎn)業(yè)投資將會增多。

　　2、紫光除在封裝和存儲等領域繼續(xù)布局外，2016年紫光的壓力和挑戰(zhàn)將會更大，運作也會更加務實。

　　3、國際并購放緩，中國資本無論成功案例還是并購數(shù)額將會有大幅度下降，受阻甚至失敗的案例會不止一次發(fā)生。

　　4、半導體產(chǎn)業(yè)技術將會繼續(xù)突破：集成電路設計業(yè)技術和產(chǎn)值再創(chuàng)新高，

　　5、國內(nèi)資本運作活躍，直接上市、借殼上市的企業(yè)將會是資本運作的主線，預估會有4-8家企業(yè)實現(xiàn)上市。

　　6、企業(yè)發(fā)展相對艱難，虧損、裁員、被并購現(xiàn)象將會增多，部分大公司銷售額下降，虧損加大，部分小公司將出現(xiàn)生存問題。

　　7、國內(nèi)產(chǎn)業(yè)并購、產(chǎn)業(yè)外企業(yè)對半導體投資將會增多，國內(nèi)企業(yè)之間的并購、產(chǎn)業(yè)外企業(yè)對半導體企業(yè)的投資并購將會增多。

　　8、中小地方政府會半導體投資項目增多，眾多二三小公司與中小地方政府的合作案例將會增多；其中眾多8寸廠、封測廠等項目會成為熱點。