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如何選擇英飛凌OptiMOS? 與 StrongIRFET? ？

OptiMOS?功率MOSFET擁有一流的出色表現。其特點包括極低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度，是開關頻率較高的應用的理想之選。
StrongIRFET?功率MOSFET專門為工業級應用設計，特別適合于開關頻率較低以及需要較高載流能力的應用。
這一強大的產品組合涵蓋10V–300V區間，具有卓越的性能和出色的性價比，可滿足廣泛的需求。

產品展示

打卡任意三個產品，或下載兩個文檔，可獲得最多兩次抽獎機會

OptiMOS? 6 家族

使用 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 將您的設計提升到更高的系統效率水平

英飛凌最新的 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列可實現最高水平的系統效率。OptiMOS? 6 采用最先進的溝槽工藝，在開關/導通損耗和電流能力方面有顯著改進。這些改進可降低系統損耗，從而提高功率密度、電路板溫度和整體系統可靠性。目標應用包括開關模式電源(SMPS) 、可再生能源、Oring 電路、電機驅動、LEV 和電池供電應用。

該系列包含多款產品，包含全新推出的200V，以及120V， 100V，與40V家族。

  • OptiMOS? 6 200V
  • OptiMOS? 6 120 V
  • OptiMOS? 6 100 V
  • OptiMOS? 6 40 V

  • 重新定義行業標準
    英飛凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS?6
    MOSFET溝槽技術，可實現高功率密度、高效率和系統可靠性。

    產品優勢

    ? 低傳導損耗
    ? 開關損耗低
    ? 改善了EMI
    ? 減少了并聯的需要
    ? 并聯時更好的電流共享
    ? 符合RoHS，無鉛

    技術優勢

    ? 與上一代相比，室溫下RDS（開啟）減少42%，175°C時減少53%
    ? 降低了Qrr和提高了電容線性度，提高了開關性能
    ? 在不影響EMI的情況下，降低傳導和開關損耗
    ? 改進了SOA以增加保護開關應用中的MOSFET電流處理
    ? 設計優化和生產精度使可靠的高性能技術

    OptiMOS 6 200V 介紹視頻

    • OptiMOS 6 200V 介紹 PPT
    • MOSFET系列 應用文檔
    • 在大電流應用中并聯 MOSFET
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  • 英飛凌的 OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET系列適用于高頻和低頻的硬開關和軟開關應用，提供正常和邏輯電平兩種類型。它可廣泛應用于工業電源、太陽能、電源充電器、低壓驅動器和電動工具等領域。

    產品優勢

    ? 最高的效率
    ? 高功率密度
    ? 系統可靠性高
    ? 高效的器件，導致更少的冷卻需求和更少的并聯器件數量
    ? 可靈活選擇PCB材料

    技術優勢

    ? 業界在120 V中最低的RDS(on)
    ? 在各種應用的開關和傳導損耗之間取得最佳平衡
    ? 在不需要150 V電壓的情況下，有更低的RDS(on)和FOMs
    ? 廣泛的封裝選擇：用于FR4和IMS PCB的SMD，頂部冷卻和THD
    ? 具有工業資質和Tj_max = 175°C，可實現卓越的功率處理和堅固性
    ? 與 100 V 器件相比，提供了更高的電壓余量

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  • 英飛凌 OptiMOS? 6 power MOSFETs 100 V系列是電信和太陽能等高頻開關應用的理想選擇。英飛凌領先的薄晶圓技術實現了顯著的性能優勢。

    產品優勢

    ? 導通損耗低
    ? 開關損耗低
    ? 快速開啟和關閉
    ? 減少并聯
    ? 性能穩健可靠
    ? 環保

    技術優勢

    ? RDS(on)降低約 20%
    ? FOMg 改善了 30%，FOMgd 改善了40%
    ? 較低和較柔和的反向恢復電荷 (Qrr)
    ? 175 °C 結溫等級
    ? 高雪崩能量等級
    ? 無鉛鍍層，符合RoHS標準

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  • OptiMOS?6 40V 結合了同類最佳的RDS(on)以及優越的開關性能。英飛凌市場領先的OptiMOS?6 功率MOSFET 40V備有兩種不同的封裝：
    - SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范圍從5.9 mΩ降至0.7 mΩ
    - PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范圍從6.3 mΩ降至1.8 mΩ

    產品優勢

    ? 低開關損耗
    ? 低寄生效應和低工作溫度
    ? 低柵極驅動損耗
    ? 符合 RoHS 標準的無鉛產品

    技術優勢

    ? 超低 QG
    ? 低 RDS(on)
    ? 裸露焊盤
    ? 邏輯和普通柵極驅動兩種形式
    ? 符合 RoHS 標準

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StrongIRFET?

StrongIRFET?功率MOSFET專門為工業級應用設計，特別適合于開關頻率較低以及需要較高載流能力的應用。

  • StrongIRFET? 2 Power MOSFET
  • StrongIRFET? Power MOSFET

  • StrongIRFET? 2系列，采用新一代功率MOSFET技術，可滿足 開關電源、 電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。

    該系列產品實用性強、性價比高，對于追求便捷選購的設計師而言，堪稱理想之選。 該系列產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優化，可為各種應用提供支持，實現靈活設計。新產品支持各類封裝，包括TO-220， TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引腳以及DPAK封裝。

    與之前的 StrongIRFET? 器件相比，這項新技術可提供高達 40% 的 RDS(on) 改進和高達 60% 的 Qg 降低，從而轉化為更高的功率效率，從而提高整體系統性能。 更高的額定電流可實現更高的載流能力，無需再并聯多個器件，從而降低了 BOM 成本并節省了電路板面積。

    StrongIRFET? 2 系列功率 MOSFET 技術適用于各種應用，例如 SMPS、電機驅動、電池供電、電池管理、UPS 和輕型電動汽車。

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  • StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R DS（on）和高電流能力進行了優化。這些器件非常適合于要求高性能和耐用性的低頻應用，如電池供電電路以及用于包括電動工具、輕型電動車輛和需要高能量的電動自行車等終端應用在內的有刷和無刷直流（BDLC）電動機驅動器。在該器件的應用下，系統的能量效率將得到提高。

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幸運抽獎

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中獎名單

    溫馨提示
    活動結束后由工作人員統一郵件核對快遞地址，獎品將在15個工作日內寄出。
    如因注冊報名信息不全，導致在活動結束前無法與您取得聯系，將視為自動放棄領獎機會。

    活動說明：

    1. 抽獎規則：在此期間內完成打卡的工程師用戶，可獲得抽獎機會；打卡任意三個產品，或下載兩個文檔&觀看視頻，可獲得最多兩次抽獎機會。請如實填寫資料，以便中獎后與您聯系及安排獎品寄送。

    2. 活動期限：即日起——2024年7月31日

    3. 僅限電子行業人員參與，不支持小號、馬甲號參與抽獎，一經發現立即取消中獎資格。

    打卡產品 0/3 下載文檔&觀看視頻 0/2 點擊抽獎