（文章來源：DIGITIMES）

過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。MRAM雖然還沒有真正量產，但技術上讀寫速度已達20ns，甚至略優于DRAM，前景看好。

這些新技術的推進，打破原先的產業格局，每家廠商都想搶得先機，鴨子劃水般的投資暗暗給全球半導體業帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，晶圓代工大廠不會缺席，國內也想彎道超車。至于誰會領先達陣？當DRAM因為技術極限而可能成為消費商品時，倚賴政府投資的半導體大廠能否后來居上，而在智財權的緊箍咒下，國內如何成為多元應變的“孫猴子”呢？這些都是2019年觀察產業的重點。

由于DRAM最新工藝轉換不易，服務器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續擴大，都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進入障礙也是商機的來源，但非存儲器的商機仍然占了半導體市場的65.5%。如果瞄準未來的市場，CMOS影像傳感器(CIS)、行動AP與車聯網等三大需求依舊是市場的保證。

更重要的是臺積電稱雄晶圓代工業，自然會多元耕耘，不讓他人染指。但三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)都有分散業務過度集中于存儲器的策略，國內的IC設計業也開始超車，系統IC與晶圓代工的競爭依然波濤洶涌。

全球DRAM市場95%以上掌握在前三大廠手中，由于競爭相對緩和，主力大廠在2017年的資本支出，竟然比2016年減少3.8%。因服務器需求高于預期，新工藝轉換的過程難度也高于預期，而每臺設備所搭載的DRAM也相應提高，因此2018年的企業投資仍高于往年。在這種背景下，三星曾明確的表達擴大投資的計劃構想，而SK海力士原先計劃在2019年啟動的增產計劃，也提前到2018年下半。

在手機市場上，Mobile DRAM受限于手機市場飽和之苦，但即將來臨的5G商機、手機游戲、AR/VR、4K影像、智慧城市等領域都將帶來龐大的機會。手機搭載DRAM平均容量從3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出貨的iPhone Xs已使用每層4GB的雙層DRAM架構。

相較于DRAM的積極投資，韓國雙雄在NAND的投資反而保守。關鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進展。

NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分耗電，因此小面積、大容量便成為競爭關鍵。2D的NAND在10xnm階段便遭遇技術壓力，因此三星、東芝(Toshiba)都向3D發展。相較于2017年，三星2018年的資本支出會少一點點，但比起往年仍是大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應市場的需求。

IC Insights最新報告指出，三星2018年的總投資金額為226.2億美元，估計2019年會減少到180億美元，比2018年減少20%左右，而SK海力士2019年估計投資金額為100億美元，比2018年減少22%。對半導體產業的短中長期展望而言，2019年下半開始的5G手機，人工智能與新世代的微處理器，都會帶動存儲器的需求，而未來的自駕車、數據中心的需求，都是非常令人期待的商機。

在晶圓代工市場，***地區業者掌握7成商機，韓國業者近兩年才急起直追，并將存儲器生產線轉換為非存儲器。三星在晶圓代工的市占率為8%，目前三星的非存儲器營收僅占7.1%，但占有技術優勢，主流技術為14/10nm，目前正朝8/4nm的新目標邁進，預期貢獻值也將提高。

AP市占率以高通42%最高，其次依序為蘋果20%、聯發科14%、三星11%與海思8%。三星在EUV設備的加持下，市占率仍有上揚的空間。過去客戶都擔心相關技術流出，因此不愿將訂單交給三星，逼得三星將晶圓代工事業部獨立，借以改善這種不利的狀況。展望未來，智慧城市、智能家庭、車聯網等商機浮現，AP商機也將水漲船高。

車用半導體規模2017年時為357億美元，估計2023年時達535億美元，CAGR是18%，其中先進駕駛輔助系統(ADAS)相關從2017年的35億美元，增加到2023年的103億美元，年均成長率(CAGR)高達19%，更是大家關注的焦點。三星除了斥資買下Harman，近期也與奧迪(Audi)簽約代工生產半導體，便是看準了車用商機。目前一輛汽車約200~300顆IC，自駕車則約需2,000顆，未來商機可期。