在談到DRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展時(shí)，平博士首先強(qiáng)調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn)，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線(xiàn)寬及加強(qiáng)外圍電路性能，就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)選擇，這在未來(lái)幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展，滿(mǎn)足大數(shù)據(jù)時(shí)代的需求。
2019-09-19 15:06:13
2433 納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:421340 作為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上最后發(fā)展的DRAM，DRAM廠到底會(huì)落戶(hù)哪個(gè)地方也受到關(guān)注。最近關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展有了新進(jìn)展，不僅將技術(shù)、研發(fā)、IP作為關(guān)鍵，DRAM廠的爭(zhēng)奪也有了一個(gè)結(jié)果，武漢成為最后的贏家。
2015-06-19 16:36:381101 并入晶豪的宜揚(yáng)等高層轉(zhuǎn)戰(zhàn)武漢新芯，并傳出華亞科前資深副總劉大維在合肥招兵買(mǎi)馬，開(kāi)出3倍薪水挖角過(guò)去在臺(tái)有DRAM經(jīng)驗(yàn)的人才。不過(guò)，業(yè)界認(rèn)為大陸存儲(chǔ)器發(fā)展關(guān)鍵在于取得合法技術(shù)，至于生產(chǎn)制造及人才將是次要條件。
2016-11-22 16:06:151561 在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:003556 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長(zhǎng)可久，投資于此，理所當(dāng)然。DRAM制程推進(jìn)已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進(jìn)到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。對(duì)于一個(gè)商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
作為一個(gè)電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)的大一學(xué)生未來(lái)畢業(yè)可以做哪些工作，會(huì)涉及到哪些技術(shù)領(lǐng)域。現(xiàn)在需要著重學(xué)些什么，希望能有有經(jīng)驗(yàn)的大牛們給個(gè)建議。
2017-08-05 23:38:39
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
未來(lái)PLC的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何？基于PLC的運(yùn)動(dòng)控制器有哪些應(yīng)用？
2021-07-05 07:44:22
基于汽車(chē)音響的發(fā)展和現(xiàn)狀，本文總結(jié)了未來(lái)汽車(chē)多媒體的5大發(fā)展特征、系統(tǒng)理念和系統(tǒng)架構(gòu)，并對(duì)未來(lái)汽車(chē)多媒體的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹。
2021-05-13 06:48:50
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，移動(dòng)設(shè)備的數(shù)量已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了臺(tái)式設(shè)備的數(shù)量，移動(dòng)設(shè)備更趨于大眾性。那么，未來(lái)游戲公司在移動(dòng)端口上的競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必是激烈的，接下來(lái)大家一起來(lái)聊聊移動(dòng)端口游戲制作需要注意的一些問(wèn)題：一、2D到3D
2017-03-31 10:56:26
替代傳統(tǒng)照明，照明行業(yè)的屬性將發(fā)生變化，行業(yè)未來(lái)的集中度將適度提升，這為有競(jìng)爭(zhēng)力和創(chuàng)新能力的企業(yè)提供了一個(gè)超速發(fā)展的機(jī)會(huì)。 其次，在LED封閉行業(yè)未來(lái)也會(huì)有較大的變動(dòng)。半導(dǎo)體封閉技術(shù)正發(fā)生著快速變化
2014-09-18 15:44:06
淺談低成本智能手機(jī)的發(fā)展
2021-06-01 06:34:33
淺談大數(shù)據(jù)視頻圖像處理系統(tǒng)技術(shù)近年來(lái)，隨著計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)以及圖像處理、傳輸技術(shù)的飛速發(fā)展，視頻監(jiān)控系統(tǒng)正向著高清化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化方向發(fā)展。視頻監(jiān)控系統(tǒng)的高清化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化為視頻監(jiān)控圖像處理技術(shù)
2013-09-24 15:22:25
本帖最后由 scan0123 于 2012-8-13 14:48 編輯
得益于電子技術(shù)的發(fā)展，在國(guó)外三巨頭壟斷的示波器領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)示波器也如雨后春筍般涌現(xiàn)出來(lái)，優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)示波器的代表：鼎陽(yáng)
2012-08-10 16:02:10
`得益于電子技術(shù)的發(fā)展，在國(guó)外三巨頭壟斷的示波器領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)示波器也如雨后春筍般涌現(xiàn)出來(lái)，優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)示波器的代表：鼎陽(yáng)（siglent）科技和北京普源精電，如今得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，但由于信號(hào)傳輸?shù)逆溌菲款i
2012-05-07 10:46:58
關(guān)于存儲(chǔ)容錯(cuò)編碼的評(píng)價(jià)指標(biāo)有哪些？
2021-05-31 07:06:20
現(xiàn)在說(shuō)AI是未來(lái)人類(lèi)技術(shù)進(jìn)步的一大方向，相信大家都不會(huì)反對(duì)。說(shuō)到AI和芯片技術(shù)的關(guān)系，我覺(jué)得主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：第一，AI的發(fā)展要求芯片技術(shù)不斷進(jìn)步；第二，AI可以幫助芯片技術(shù)向前發(fā)展。
2019-08-12 06:38:51
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
??近年來(lái)LED（LightEmittingDiode，發(fā)光二極管）技術(shù)取得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。LED作為新型光源，具有壽命長(zhǎng)、發(fā)光效率高、功耗低、調(diào)光性能好、顯色指數(shù)高、不怕震動(dòng)、方向性好、工作電壓
2021-02-26 08:33:05
陣營(yíng)，將會(huì)大大推動(dòng)LTE技術(shù)的發(fā)展，LTE在后3G時(shí)代也將延續(xù)2G時(shí)代GSM的主流地位。沃達(dá)豐CEO阿倫·薩林在巴塞羅那的移動(dòng)世界大會(huì)上表示，該集團(tuán)將與中國(guó)移動(dòng)和Verizon攜手推進(jìn)LTE技術(shù)，LTE將成為行業(yè)未來(lái)發(fā)展的明確方向。
2019-08-26 07:12:39
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷進(jìn)步及人們生活消費(fèi)需求的不斷提升及在工業(yè)進(jìn)步的不斷推動(dòng)下，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)是越來(lái)越小巧，越來(lái)越智能化 。電子產(chǎn)品中的各種電子器件也會(huì)更加小巧，具有更多
2010-01-26 16:01:03
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新，直到下次寫(xiě)入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫(xiě)
2010-07-15 11:40:15
標(biāo)準(zhǔn)制定和技術(shù)開(kāi)發(fā)方面處于領(lǐng)先水平。隨著RFID技術(shù)的成熟和普及，各國(guó)***都意識(shí)到RFID技術(shù)對(duì)未來(lái)的影響和蘊(yùn)涵的巨大商機(jī)，制定相關(guān)政策或投入物力，積極推動(dòng)本國(guó)RFID產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2019-10-12 06:02:27
串行和并行接口SRAM有什么不同？串行接口的發(fā)展趨勢(shì)是怎樣的？SRAM未來(lái)將會(huì)怎樣發(fā)展？
2021-04-19 08:39:19
就會(huì)丟失。后續(xù)的SDRAM和DDR SDRAM都是在DRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，同時(shí)也屬于DRAM中的一種。SDRAM（Synchronous DRAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘
2022-10-26 16:37:40
單片機(jī)的原理是什么單片機(jī)的特點(diǎn)/應(yīng)用領(lǐng)域單片機(jī)未來(lái)的發(fā)展方向
2021-04-20 06:22:45
SSD是摒棄傳統(tǒng)磁介質(zhì)，采用電子存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取的一種技術(shù)，突破了傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)的性能瓶頸，擁有極高的存儲(chǔ)性能，被認(rèn)為是存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的未來(lái)新星。
2019-10-16 08:13:50
學(xué)習(xí)C語(yǔ)言未來(lái)的發(fā)展方向是怎樣的？
2021-11-11 08:04:24
嵌入式移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀如何？未來(lái)嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)如何？嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程是怎樣的？
2021-05-27 07:05:49
PC為中心的架構(gòu)方向發(fā)展。如今移動(dòng)電話(huà)銷(xiāo)售量規(guī)模之大足以使OEM廠商采用與PC類(lèi)似的業(yè)務(wù)模型，包括將DRAM用作低成本的通用存儲(chǔ)器。 為了使DRAM成功應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)應(yīng)用中，需要滿(mǎn)足盡可能長(zhǎng)的電池壽命，并
2009-10-08 15:53:49
智能視頻分析技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀如何？“”未來(lái)智能視頻分析技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
2021-06-03 06:44:16
數(shù)字視頻的未來(lái)發(fā)展如何？
2021-06-08 06:54:46
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)
2018-12-24 14:28:00
無(wú)面板測(cè)試儀器將成為未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)
2021-05-10 06:04:32
推動(dòng)智慧醫(yī)療發(fā)展。 智慧醫(yī)療是什么？ 智慧醫(yī)療是利用先進(jìn)的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)及信息技術(shù)等實(shí)現(xiàn)醫(yī)療信息的智能化采集、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)、傳輸和后處理，及各項(xiàng)醫(yī)療業(yè)務(wù)流程的數(shù)字化運(yùn)作，從而實(shí)現(xiàn)患者與醫(yī)務(wù)人員
2018-02-02 11:18:51
智能傳感器技術(shù)-隨著半導(dǎo)體集成技術(shù)的發(fā)展，微處理器和存儲(chǔ)器不斷進(jìn)步，敏感元件與信號(hào)處理電路有可能集成在同一芯片上，故智能傳感器將成為現(xiàn)實(shí)。智能化傳感器是一種帶微處理器的，兼有信息檢測(cè)、信息處理、信息記憶、邏輯思維與判斷功能的傳感器。以下重點(diǎn)探討智能傳感器的應(yīng)用和發(fā)展。
2020-04-20 07:24:17
智能化發(fā)展之路。智能制造產(chǎn)業(yè)研究與規(guī)劃專(zhuān)家、廣東國(guó)唐智能科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司董事長(zhǎng)李明受邀出席交流會(huì)，并現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行了]李明指出，中國(guó)有30萬(wàn)家包裝企業(yè)，隨著智能制造時(shí)代的到來(lái)，行業(yè)洗牌在所難免，智能化
2018-12-14 16:03:35
汽車(chē)汽油機(jī)電子控制技術(shù)未來(lái)如何發(fā)展？
2021-05-13 06:03:32
汽車(chē)電子技術(shù)的未來(lái)如何發(fā)展？網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在汽車(chē)中有哪些應(yīng)用？
2021-05-14 06:47:25
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
需要熟練使用這些技術(shù)和工具，更重要的是分析從這些技術(shù)和工具得到的數(shù)據(jù)，形成有意義和目的的協(xié)助開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)提高的行動(dòng)計(jì)劃。5）偏向于專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試能力的測(cè)試人員。測(cè)試人員不僅需要在知識(shí)的廣度得到發(fā)展，還需要深入
2017-08-13 10:27:43
本文將給出測(cè)試測(cè)量與醫(yī)學(xué)成像應(yīng)用領(lǐng)域的實(shí)例，并討論未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2021-05-13 06:34:04
靈動(dòng)微對(duì)于未來(lái)MCU發(fā)展趨勢(shì)看法
2020-12-23 06:50:51
行業(yè)普及期。物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)會(huì)改變所有行業(yè)，但行業(yè)發(fā)展階段不同，有的行業(yè)物聯(lián)網(wǎng)會(huì)較早普及，有的行業(yè)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展相對(duì)滯后。在未來(lái)幾年的時(shí)間中，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)作為一個(gè)“工具”，將會(huì)被各行各業(yè)全面的，大規(guī)模的引入并使用。
2022-03-11 15:04:19
電池供電的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 06:32:42
和DRAM存儲(chǔ)和下載(SnD)以獲求超過(guò)1Gb的代碼密度。數(shù)據(jù)流z 影響數(shù)據(jù)流性能的主要因子是編程速度。數(shù)據(jù)流通常建立在DRAM技術(shù)基礎(chǔ)上，但是可用N劇D閃存和DRAM:執(zhí)行來(lái)獲取超過(guò)4Gb的密度，主要
2018-05-17 09:45:35
藍(lán)牙無(wú)線(xiàn)技術(shù)已經(jīng)成為一種全球通用的無(wú)線(xiàn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)藍(lán)牙技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多種電子設(shè)備間進(jìn)行簡(jiǎn)單的相互連接。自1998年推出以來(lái)，經(jīng)過(guò)1.0、2.0、3.0幾個(gè)版本的發(fā)展，到2010年7月推出了4.0版本，藍(lán)牙技術(shù)的關(guān)鍵指標(biāo)也經(jīng)歷了由便捷互聯(lián)到高速再到低功耗的演變。
2019-08-14 08:29:41
藍(lán)牙技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，在APTX后還會(huì)有怎么樣的技術(shù)革新
2019-03-29 15:56:11
蜂窩手機(jī)音頻架構(gòu)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-06-08 06:31:58
于各個(gè)行業(yè)。本文存能電氣小編將從UPS電源行業(yè)技術(shù)應(yīng)用及未來(lái)發(fā)展前景做出一定的說(shuō)明。 一、UPS不間斷電源技術(shù)說(shuō)明 UPS由逆變器、電源保護(hù)設(shè)備等組件組成,主要應(yīng)用于電腦設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等需要不間斷供電
2018-08-21 09:19:21
未來(lái)移動(dòng)系統(tǒng)的靈活性和創(chuàng)新性也提出了更高的要求。技術(shù)和市場(chǎng)的發(fā)展，促進(jìn)了軟件無(wú)線(xiàn)電技術(shù)在第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)中的哪些應(yīng)用呢？
2019-08-01 06:37:41
電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲(chǔ)器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲(chǔ)器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-19 11:53:09
電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲(chǔ)器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲(chǔ)器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-21 10:49:57
淺談PLC的技術(shù)特點(diǎn)與發(fā)展
摘要：本文介紹了PLC的功能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)PLC的功能、特點(diǎn)以及發(fā)展趨勢(shì)的論述，更
2009-06-12 14:59:331293 DRAM廠募資能力差異 未來(lái)發(fā)展強(qiáng)弱分明
DRAM廠2009年脫離財(cái)務(wù)危機(jī)，營(yíng)運(yùn)開(kāi)始累積現(xiàn)金后，募資能力也是強(qiáng)弱分明，攸關(guān)未來(lái)長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力，其中南亞科以私募、現(xiàn)金
2009-11-25 10:22:36414 淺談通往42V汽車(chē)電子之路
向42V汽車(chē)電氣系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換有許多理由。但是，42V的實(shí)際實(shí)現(xiàn)卻由于經(jīng)濟(jì)和技術(shù)方面的挑戰(zhàn)而受到種種制約。工程師在解決42
2010-04-12 11:08:00424 
隨著視頻監(jiān)控技術(shù)的高速發(fā)展的同時(shí)，監(jiān)控存儲(chǔ)技術(shù)也日漸提高。
監(jiān)控存儲(chǔ)的發(fā)展趨勢(shì)
2010-12-29 15:25:14696 
工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 HetNet：未來(lái)網(wǎng)絡(luò)的必由之路
2017-01-12 23:04:29
5 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家
2018-10-29 17:03:243560 隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)鑫會(huì)踩到前人地雷，然合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:388697 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)的存儲(chǔ)協(xié)議詳細(xì)說(shuō)明包括了：1.了解各種存儲(chǔ)協(xié)議，2.了解各種存儲(chǔ)協(xié)議的主要區(qū)別，3.iSCSI協(xié)議是存儲(chǔ)未來(lái)的發(fā)展之路。
2020-03-24 12:47:0215 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)是什么樣子呢？對(duì)于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù)，我們應(yīng)該繼續(xù)期望更高的容量。例如，在QLC NAND技術(shù)之后會(huì)出現(xiàn)什么？只有時(shí)間才能告訴我們答案。下一代NVMe規(guī)范將引入跨更多
2020-07-29 14:19:38673 未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)是什么樣子呢？對(duì)于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù)，我們應(yīng)該繼續(xù)期望更高的容量。
2020-09-18 14:39:121192 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 “What’s Next in 5G”系列視頻迎來(lái)了最后一集，將由高通公司總裁兼候任CEO安蒙為大家解析高通將如何構(gòu)建無(wú)線(xiàn)技術(shù)的未來(lái)，探索5G未來(lái)之路。 以下為安蒙演講全文： 5G未來(lái)之路
2021-03-02 11:29:571512 佰維存儲(chǔ)IPO：以技術(shù)引領(lǐng)發(fā)展之路 打造創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)新增長(zhǎng)極
2022-05-17 14:27:00354 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論