納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 知情人士告訴半導體行業(yè)觀察記者，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲，國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:054958 在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會（CFMS）上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:003556 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
6月12日，日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報導，合肥長鑫已經(jīng)重新設計了其DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng)：長鑫已重新設計DRAM芯片，盡量避免使用美國原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評論報導
2019-06-13 18:30:033232 重大突破，可能會推動氧基電池技術(shù)的重大發(fā)展。鋰空氣電池，被認為是鋰離子電池的終極形態(tài)，而這個新型鋰氧電池更是鋰空氣電池的升級版，更加強大、更加方便、還更加安全。希望這項技術(shù)能夠快點成熟，走上市場！突破七
2016-12-30 19:16:12
。
該貯箱采用了5米級長筒段，首次實現(xiàn)了國內(nèi)近2米級筒段向5米級筒段的重大跨越，標志著我國已初步掌握長筒段研制技術(shù)，火箭在高質(zhì)量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。長筒段將現(xiàn)有多個筒段整合為一，有效
2021-07-06 10:02:35
存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。問題5：用得
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長可久，投資于此，理所當然。DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。對于一個商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是一種基于充電電容器的存儲技術(shù)，實現(xiàn)起來非常快且便宜。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
近日，《自然》雜志上發(fā)表了關(guān)于谷歌 DeepMind 使用 AI 診斷眼疾實現(xiàn)重大突破的文章。結(jié)果顯示，在 997 例患者的掃描測試中，DeepMind 的算法優(yōu)于英國莫菲爾眼科醫(yī)院
2018-08-15 11:01:51
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
LPDDR5 DRAM芯片有什么性能？LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能？
2021-06-26 07:37:30
鑫達科技近期以來取得重大技術(shù)突破且擁有成熟解密方案的優(yōu)勢解密系列，針對各種IC芯片，目前我們均能夠提供高效可靠、價格合理的芯片解密方案。 MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00
產(chǎn)品會取代獨立存儲器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實現(xiàn)第一階段應用的關(guān)鍵技術(shù)。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷隡RAM集成到
2023-04-07 16:41:05
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
一個具有20位地址和32位字長的存儲器能存儲多少個字節(jié)的信息？需要多少位地址作芯片選擇？
2021-10-26 07:52:14
`WiFi是無線通信主流技術(shù)，而物聯(lián)網(wǎng)是無線通信與Wi-Fi芯片發(fā)展的重要驅(qū)動力。近年來物聯(lián)網(wǎng)領域的快速發(fā)展，全球整體Wi-Fi芯片市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢，市場空間廣闊。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)
2021-07-17 15:13:14
什么是SOI技術(shù)？在實現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
``手機無線充電器一鑫創(chuàng)研是長這個樣子的``
2018-01-23 14:14:26
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
在半導體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進步顯得緩慢，其中電源半導體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開關(guān)電源就已經(jīng)達到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標難以有大的突破，永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
隨著阿法狗大戰(zhàn)李世石，人工智能引發(fā)越來越多的關(guān)注。百度總裁張亞勤28日表示，百度長期堅持技術(shù)創(chuàng)新，2015年研發(fā)投入超過100億元，目前在人工智能領域已有重大突破。 張亞勤在天津夏季達沃斯論壇
2016-07-01 15:22:41
和DRAM存儲和下載(SnD)以獲求超過1Gb的代碼密度。數(shù)據(jù)流z 影響數(shù)據(jù)流性能的主要因子是編程速度。數(shù)據(jù)流通常建立在DRAM技術(shù)基礎上，但是可用N劇D閃存和DRAM:執(zhí)行來獲取超過4Gb的密度，主要
2018-05-17 09:45:35
`華爾街日報發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個重大突破將在芯片堆疊領域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎的一個組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
視頻監(jiān)控技術(shù)在火災報警領域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
ADI寬帶RFIC實現(xiàn)重大技術(shù)突破，大大簡化設計
隨著多種標準在中國的共存，射頻器件需要滿足多種頻段的需求。目前的情況是移動終端的射頻已開始走向部分集成，支持
2010-01-04 14:10:48690 天合光能在開發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33765 IBM宣布芯片實現(xiàn)重大突破 可建百萬萬億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報道，IBM的科學家當日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13463 IBM宣布半導體技術(shù)重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導體傳輸技術(shù)上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時減少能源損耗。
此項技術(shù)目
2010-03-08 09:34:36556 (Intel)宣布，在微處理器上實現(xiàn)了50多年來的最重大突破，成功開發(fā)出世界首個三維結(jié)構(gòu)晶體管
2011-05-06 08:19:13656 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點是綠色、高效、價廉和壽命長。中國第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38977 根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報道，IBM研究人員在自旋電子學領域（“自旋遷移電子學”的簡稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導體材料上記錄和讀取數(shù)
2012-08-14 11:11:15665 
19日，據(jù)外媒報，三星移動業(yè)務部表示，三星將考慮從競爭對手SK海力士購入移動存儲芯片，以確保Galaxy S系列重要機型芯片供應。而從移動芯片穩(wěn)步增長趨勢，反映DRAM供應市場緊俏前景。
2013-04-22 09:58:48865 來深度的了解一下華為石墨烯電池的重大突破，突破的有事哪方面的領域，是否 是超級快充技術(shù)時代的到來的前兆！
2016-12-12 09:35:033213 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
日前，合肥長鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說，近期國內(nèi)三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 據(jù)外媒報道，加拿大滑鐵盧大學Linda Nazar教授宣布，其研究團隊首次實現(xiàn)四電子轉(zhuǎn)換，該技術(shù)將實現(xiàn)鋰－氧電池的電子存儲容量翻番。
2018-09-18 15:19:00583 在整個電子產(chǎn)業(yè)鏈中，存儲芯片扮演著至關(guān)重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽為電子系統(tǒng)的“糧倉”。存儲芯片分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，內(nèi)存主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM芯片市場及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:243560 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達到29.1%，再次刷新世界紀錄。
2018-11-19 15:31:477041 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力，還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 據(jù)悉，臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實驗室（EOSRL）日前宣布，在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實現(xiàn)了重大突破。
2019-05-24 15:29:252213 日前，據(jù)消息人士稱，合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅，已經(jīng)重新設計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2818062 長鑫存儲已經(jīng)重新設計DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363128 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國，對業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算，還說日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384040 近日，半導體綜合性企業(yè)紫光集團在其官網(wǎng)宣布，公司已經(jīng)成立一個新的事業(yè)群，專注于內(nèi)存芯片動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。DRAM是一種最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，廣泛應用于智能手機、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務器等設備中。
2019-08-07 10:59:171196 作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 在早前長江存儲宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后，近日合肥長鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進入小規(guī)模生產(chǎn)，這意味著困擾中國制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破，這為中國制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09703 國產(chǎn)存儲芯片一直受到業(yè)界的關(guān)注，長江存儲正式宣布，公司實現(xiàn)量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-05 10:54:001298 昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應用》的演講。
2019-09-20 16:52:563414 中國的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣，新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長到世界 5％的存儲芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:58879 在中國去年進口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中，存儲芯片大概占了1/3，價值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國產(chǎn)率基本為0。不過今年國內(nèi)在內(nèi)存及閃存領域已經(jīng)實現(xiàn)了0的突破，預計2020年就能占到全球存儲芯片市場的5%。
2019-11-27 16:52:091200 12 月 5 日訊，在近日召開的 2019 世界制造業(yè)大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設計產(chǎn)能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:101483 存儲器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲器儲存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領導地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511009 近日，我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡技術(shù)方面取得重大突破，在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443053 資料顯示，作為大陸領先的存儲芯片設計公司，東芯半導體聚焦于中小容量存儲芯片的研發(fā)、設計和銷售，是大陸少數(shù)可以同時提供Nand、Nor、Dram等主要存儲芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應用于5G通信、物聯(lián)網(wǎng)終端、消費電子、汽車電子類產(chǎn)品等領域，服務著華為、蘋果、三星、海康威視、大華等國內(nèi)外眾多知名客戶。
2020-09-16 15:06:493037 中第一項就強調(diào)關(guān)鍵核心技術(shù)實現(xiàn)重大突破。這和十三五的產(chǎn)業(yè)邁向中高端相比戰(zhàn)略意味更濃。而芯片、光刻機、操作系統(tǒng)等卡脖子關(guān)鍵技術(shù)是中長期政策的重點導向。 這其中，存儲芯片更是我國亟需突破的領域。目前全球存儲芯片市場被三星、
2020-11-03 12:27:322627 
PSRAM是一種存儲技術(shù)，它通過DRAM單元來實現(xiàn)高密度存儲并降低每存儲位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實現(xiàn)高效的系統(tǒng)設計。COSMORAM協(xié)議包括關(guān)于猝發(fā)模式PSRAM用戶接口的通用
2020-10-23 14:43:51532 的非易失性存儲器類型（PCM和MRAM）將在獨立存儲器中處于領先地位。 傳統(tǒng)存儲芯片到達技術(shù)節(jié)點 存儲器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲器三個相對獨立的市場。 然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來越高，傳統(tǒng)存儲芯片
2020-12-06 06:57:003137 理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)。若寫入位
2020-12-11 15:11:293686 
國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實現(xiàn)自主可控，性能達到國際先進水準。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十
2020-12-18 10:26:523387 最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 芯片已成為世界各國科技角力的主陣地，但最近全球卻面臨一個重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820 均有重大突破。 ? 美光表示，對比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 美光計劃于今年將 1α 節(jié)點全面導入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內(nèi)的各種應用提供更強的性能。 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:031970 2020年全球存儲芯片市場現(xiàn)狀情況分析全球存儲芯片行業(yè)發(fā)展至今可分為萌芽期、初步發(fā)展期、快速發(fā)展期三個階段。1）萌芽期：在此階段，各大企業(yè)都在積極研發(fā)RAM，且DRAM研究進展比ROM快，行業(yè)實現(xiàn)
2021-01-27 14:16:5114959 
近日，阿里研發(fā)出全球首款基于DRAM的3D鍵合堆疊存算一體芯片，該芯片突破了馮·諾依曼架構(gòu)的局限，在特定的AI場景中，該芯片的性能提升10倍以上，效能比提升了近300倍。
2021-12-08 15:11:252446 華為中國芯片技術(shù)最新突破：因為疫情和美國的芯片禁令導致中國缺芯問題愈發(fā)嚴重，華為和中國的很多的芯片企業(yè)都在積極地解決問題，華為海思的芯片技術(shù)也有了重大突破，國產(chǎn)14nm芯片將會在明年年底量產(chǎn)。
2022-01-10 11:04:2030901 韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部周五公布的數(shù)據(jù)顯示，8月份DRAM芯片出口同比下降24.7%。DRAM占韓國存儲芯片出口的近一半。
2022-09-16 15:18:31424 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 華為芯片迎重大突破：目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強大的移動芯片之一，被廣泛應用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設備上。 華為一直是全球領先的芯片設計和制造企業(yè)之一，近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563350 在2023年2月在國際學會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58784 
LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-19 17:55:57235 LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:08229 ”；這是我國在光存儲領域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲技術(shù)難題。 利用國際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導發(fā)光超分辨光存儲技術(shù)，實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制，實現(xiàn)了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451335 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613
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