隨著NAND Flash價格的連續(xù)走低，為了防止過量的NAND閃存供應導致市場崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來講就是全方位的減緩生產(chǎn)速度——少切點晶圓，慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價格明顯止跌，近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競賽，一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運營，這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化？又是否是中國的機遇？

三星

2014年三星在西安建設(shè)工廠量產(chǎn)了第一代V－NAND ，2018年開始，三星在西安持續(xù)投資興建二期項目，根據(jù)建廠進度，該工廠預計在2019年底建設(shè)完工后，設(shè)備將搬入并開始量產(chǎn)。

如今有消息稱，三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開始試運行，以檢查量產(chǎn)前的情況，預計將在2020年2月開始批量生產(chǎn)。三星除了西安二期工廠，位于平澤工廠不遠處所新建的P2 Project建設(shè)也基本完成，已進行了少量的設(shè)備投資。

三星新工廠選擇在2020年投產(chǎn)，除了有助于緩解當前市場供過于求的市況外，2020年5G手機將掀起一波換機需求，而中國是重要的市場，同時對大容量NAND Flash需求也會增加，在貿(mào)易緊張的關(guān)系下，三星加大在中國新工廠的投資，將可更好的滿足中國市場需求。

SK海力士

SK海力士在清州興建的M15工廠已經(jīng)開始投產(chǎn)，M15工廠是為了生產(chǎn)堆疊72層與堆疊96層3D NAND，以提高SK海力士在NANDFlash市場主控權(quán)。在M15之后，M16工廠也被提上日程，該工廠于去年年底開建，計劃20202年完工，M16工廠將用上最先進的EUV光刻工藝。

在技術(shù)方面，6 月 26 日，SK 海力士宣布已成功開發(fā)世界上第一款“128 層1Tb 的 4D NAND 閃存”，即將投入量產(chǎn)。該技術(shù)的突破為 SK 海力士未來在企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）、5G 移動通信智能手機市場競爭提供了保障，能夠及時為客戶提供多種解決方案。

美光

美光自去年開始擴建新加坡的Fab 10工廠，旨在進行新的3D NAND工藝節(jié)點轉(zhuǎn)換，并且保持和現(xiàn)在一樣的晶圓產(chǎn)量，今年8月，美光新加坡Fab 10A新工廠完成。此前美光在新加坡已有兩座工廠，分別名為Fab 10N和Fab 10X，主要生產(chǎn)NANDFlash晶圓，這兩個工廠的Wafer產(chǎn)出大約占美光整體NANDFlash一半的產(chǎn)能。

在技術(shù)方面，根據(jù)最新消息，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開始小范圍量產(chǎn)。美光集團CEO表示，目前已經(jīng)成功完成替代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片，這一里程碑的進展降低了產(chǎn)品技術(shù)向下一代技術(shù)過渡的風險，并且強調(diào)首代替代柵極架構(gòu)將被應用在128層NAND產(chǎn)品上，先期會被應用到特定的產(chǎn)品線。

東芝

今年對于東芝來說是特殊的一年，從10月開始，東芝存儲將更名為“Kioxia”，中文名為“鎧俠”， 改名后的東芝近日宣布與西數(shù)共同投資的日本巖手縣K1工廠將于2020年上半年開始生產(chǎn)。

據(jù)了解，K1工廠將生產(chǎn)3D閃存，以支持數(shù)據(jù)中心、智能手機和自動駕駛汽車等應用不斷增長的存儲需求。東芝和西數(shù)兩家公司對K1工廠的設(shè)備進行聯(lián)合資本投資，使得該工廠可以在2020年開始進行96層3D閃存的初始生產(chǎn)。此外，東芝還打算在四日市投資興建Fab 7工廠，該工廠計劃2020年動工，2022年投入生產(chǎn)，新工廠建成后，東芝將會有8座工廠投入運營。

英特爾

英特爾作為最早做儲存器的企業(yè)之一，已經(jīng)連續(xù)多年是是全球半導體銷售額的首位， 如今時隔34年后它宣布要重返存儲器市場。發(fā)布新一代存儲器業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，將炮火瞄準存儲器半導體大廠三星電子和SK海力士。

上個月，英特爾介紹了其在3D NAND閃存上的最新動態(tài)。英特爾透露，2019年第四季度將會推出96層的3DNAND閃存產(chǎn)品，并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC（四級單元）NAND，預計將于2020年推出。

英特爾采用3D Xpoint、是與美光聯(lián)合發(fā)布的新型閃存技術(shù)，號稱是25年來存儲技術(shù)的革命性突破，速度是目前NAND閃存的1000倍，耐用性也是目前閃存的1000倍，密度是NAND的10倍。不過英特爾能否如愿以償，決定于3D Xpoint產(chǎn)品能否取得眾多服務(wù)器客戶的青睞，目前尚為時過早。

國產(chǎn)追趕仍需時日

在NAND Flash市場中，三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、英特爾這六家企業(yè)長期壟斷著全球99％以上的份額。國產(chǎn)儲存在全球市場中目前還影響力不足，東芝高管上個月曾表示：“中國內(nèi)存廠商在二三年內(nèi)趕上不容易，他認為市場供應過剩的局面已經(jīng)終結(jié)，此前的供應過剩已將利潤率擠壓至10年來的最低水平。”

作為后來者的長江存儲，其實早在2018年，就已經(jīng)量產(chǎn)了32層3D NAND閃存芯片。然而在2018年，各家的64層、72層3D NAND閃存已經(jīng)是主打產(chǎn)品，早已全面鋪貨，落后一代的差距使得當時長江存儲并沒有引起業(yè)界關(guān)注。9月初，長江存儲宣布開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256GB TLC 3D NAND閃存 ，而這也是中國首次實現(xiàn)64層3D NADA閃存芯片的量產(chǎn)，中國距離國際水平又近了一步。