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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>我國閃存核心技術獲得成功,3D NAND進步實屬不易

我國閃存核心技術獲得成功,3D NAND進步實屬不易

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的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
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2019-12-27 16:58:013633

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點?

2020年4月13日,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653

長江儲存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長江儲存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

外媒:華為鴻蒙OS系統(tǒng)手機取得成功可能性不大

華為鴻蒙OS系統(tǒng)手機不可能獲得成功,因為如今Android系統(tǒng)、iOS系統(tǒng)都已經(jīng)形成了很強的技術壁壘,但華為鴻蒙OS系統(tǒng)在物聯(lián)網(wǎng)領域可以獲得成功
2020-10-19 11:20:561522

關鍵核心技術是國之重器

建設科技強國是一場新的長征,補上關鍵核心技術短板需要持之以恒,久久為功!要發(fā)揮我國社會主義制度能夠集中力量辦大事的優(yōu)勢,優(yōu)化配置優(yōu)勢資源,推動重要領域關鍵核心技術攻關。習近平總書記在科學家座談會
2020-09-29 15:14:043960

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

為使物聯(lián)網(wǎng)(IoT)獲得成功,交付解決方案通常需要采用整體的方法

為了使物聯(lián)網(wǎng)(IoT)獲得成功,實施至關重要,但是交付解決方案(例如位置感應設備)通常需要采用整體的方法。 高質量模擬和混合信號半導體產(chǎn)品供應商Semtech公司的LoRa Edge地理位置解決方案
2020-11-18 17:14:122179

3D NAND閃存技術未來發(fā)展趨勢分析

日前,TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講,詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:182910

不要過于關注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠將內(nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659

人工智能技術如何幫助初創(chuàng)企業(yè)獲得成功

人工智能如今對各種規(guī)模的企業(yè)開展業(yè)務產(chǎn)生重大影響。初創(chuàng)企業(yè)也參與了人工智能革命,人工智能在當今商業(yè)世界中的重要性不可低估。那么人工智能技術如何幫助初創(chuàng)企業(yè)獲得成功?
2021-01-18 11:33:372157

如何檢查相互競爭的模型并通過GPU獲得成功

  在本文中,我們將演示如何檢查相互競爭的模型(稱為 challenger models ),并使用 GPU 加速,通過簡單、經(jīng)濟高效且可理解的模型可解釋性應用程序獲得成功。當 GPU 加速在模型開發(fā)過程中被多次使用時,建模者的時間將通過在數(shù)十次模型迭代中攤銷培訓時間和降低成本而得到更有效的利用。
2022-04-06 17:33:41988

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:216521

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

各家3D NAND技術大比拼 被壟斷的NAND閃存技術

隨著密度和成本的飛速進步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領域并非如此,與半導體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206

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