12 月 5 日訊，在近日召開的 2019 世界制造業大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流 DRAM 產品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設計產能每月 12 萬片晶圓。

這是國內芯片領域的一個重大突破。在此之前，紫光自行研發架構的 64 層 NAND 閃存也問世，據稱與世界大廠三星、美光、SK 海力士也只有兩年的技術層級。

好消息接連發出，顯示出國內產業的重大突破。

要知道，2018 年全球 DRAM 市場中，三星、SK 海力士、美光全球市占率合計為 95%（數據來源 DRAM exchange），合肥長鑫的 DRAM 的投產，標志在這一尖端領域的多年壟斷中，來了一個中國參與者。

長鑫儲存技術（Changxin Memory Technologies，簡稱 CXMT，前身為合肥睿力集成電路（Innotron Memory，又稱合肥長鑫））。2016 年在安徽省合肥市政府等的支持下成立，是國內三家國家戰略級存儲芯片公司之一，其和福建晉華、長江存儲被合稱為中國制造 2025 計劃的 3 大半導體產業國家隊。

DRAM 晶片負責臨時存儲數據，其經過不同設計后被廣泛應用在筆記本電腦、智能手機、資料中心服務器、聯網汽車等數以億計的智能裝置上。由于對技術要求比較高，目前全球 95%以上的市占率被韓國三星電子、韓國 SK 海力士、美國美光科技三家企業所占據。我國本土企業之前雖也能夠生產可供家電設備等使用的廉價普通晶片，卻一直未掌握生產 DRAM 晶片等高端半導體的相關技術。

近年來，合肥長鑫公司為了生產可應用于移動設備上的 DRAM 晶片，進行了價值人民幣 550 億元的資金投資來實現建廠。長鑫今年的資本支出將達 10 億至 15 億美元，已超越全球第四大 DRAM 制造商南亞科技去年的 6.5 億美元支出。如今資本投資取得回報，據相關報道，我國本土企業長鑫存儲計劃將于年內開始量產動態隨機存取記憶體（DRAM），其有望于今年底至 2020 年初實現量產。

據悉，長鑫儲存的 DRAM 設計主要基于德國晶片廠商英飛凌旗下 DRAM 大廠奇夢達（Qimonda，該公司已于 2009 年破產）技術。但目前世界頂尖半導體廠商生產中仍需用到美國設備、原料及成套的電子設計自動化工具，很難完全避開。對此長鑫也未能避免，目前該公司仍需使用美國設備大廠（如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor）和電子設計自動化（EDA）工具供應商（如 Cadence 及 Synopsys）產品來實現生產晶片，也需靠 Dow Chemical 提供原料。不過長鑫存儲正重新設計自有的 DRAM，以使其讓生產過程中使用到的美國技術最小化，避免侵權和成為美國科技界打擊的對象。

現今，長鑫正在合肥斥資 80 億美元打造一座 DRAM 晶片制造廠，預計今年底前投產這些關鍵的存儲體零件，最初每月預計可生產約 1 萬片晶圓，雖不足全球產量的 1%，但對還沒有目前本土還未有自制 DRAM 晶片的我國來說，成功量產就是邁出了科技自立的一大步。長鑫存儲如若年底成功實現量產，可謂意義重大，將成為我國首家未來有望和三星電子、美光科技和 SK 海力士三大 DRAM 巨子一較高下的本土企業。要知道，去年全球 DRAM 市場總價值達 996.5 億美元，然而三星電子（韓國）、SK 海力士（韓國）、美光科技（美國）等三大廠卻占據全球 95%產量。

DRAM 目前我國已將半導體產業定位為國家重點扶持產業。2018 年本土半導體類芯片國內自給率為 15%左右，我國目標是到 2020 年將自給率提高至 40%，到 2025 年提高至 70%。