雖然現(xiàn)在臺(tái)積電已經(jīng)量產(chǎn)7納米，明年將向6納米過(guò)渡，兩至三年后將來(lái)到3納米級(jí)別，但內(nèi)存的制造半導(dǎo)體制程工藝進(jìn)入20納米之后，制造就難度越來(lái)越高，繼續(xù)提升制程工藝費(fèi)效比越來(lái)越低，內(nèi)存芯片廠商對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是希望通過(guò)兩代或三代1Xnm節(jié)點(diǎn)去升級(jí)DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。

而通過(guò)美光的DRAM技術(shù)路線圖顯示，美光將繼續(xù)擴(kuò)展多個(gè)10納米級(jí)節(jié)點(diǎn)，除了已經(jīng)投產(chǎn)的第一代10納米（1X）和第二代10納米（1Y），目前開(kāi)始量產(chǎn)第三代10納米（1Z），首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。

接著，美光還將擴(kuò)展三個(gè)10納米級(jí)別節(jié)點(diǎn)：1 α，1 β和1 γ（注意，是希臘字母）

目前，美光公司正在加大其用于制造各種產(chǎn)品的第二代10nm級(jí)制造工藝（即1Y nm），該工藝用于制造該公司的各種產(chǎn)品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲(chǔ)器件。

而美光的下一代1Z nm正準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段，首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。然后用于生產(chǎn)16 Gb LPDDR5存儲(chǔ)器件以及DDR5存儲(chǔ)器件。

1Z nm節(jié)點(diǎn)之后，美光計(jì)劃開(kāi)始使用其1αnm制造技術(shù)，接著是1βnm制造工藝，然后是1γnm技術(shù)的可行架構(gòu)的驗(yàn)證。
來(lái)源：吳川斌的博客