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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

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長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204

長江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529

PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存
2017-05-09 15:10:042255

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

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2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569

長江存儲(chǔ)量產(chǎn),拉開國產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026

美光量產(chǎn)1283D NAND閃存;小米授出3674萬股獎(jiǎng)勵(lì)股份…

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2020-04-03 09:24:154035

長江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

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加速“去美化”,長江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

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2020-09-23 10:05:432655

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

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3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
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3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
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NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢

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2020-11-19 09:09:58

芯片3D化歷程

128甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長江存儲(chǔ)的643D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
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S26KL512SDABHB020閃存芯片S26KS512SDGBHB030

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2022-02-03 11:41:35

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

,在本次峰會(huì)上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking,長江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生表示,長江存儲(chǔ)創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長江存儲(chǔ)3D技術(shù)從9開始,到32,再到64試片
2018-09-20 17:57:05

世界首款 BeSang 3D芯片誕生

利用低溫制造存儲(chǔ)電路完成。在同一個(gè)3D芯片的不同放上邏輯和存儲(chǔ)電路,BeSang的工藝中每個(gè)晶圓包含了更多的裸片,這使得單位裸片的成本也降低了。  BeSang CEO Sang-YunLee說
2008-08-18 16:37:37

什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?

  SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)存儲(chǔ)設(shè)備,與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比,它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn):   高可靠性:SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì),具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
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使用DLP技術(shù)3D打印

使用DLP技術(shù)3D打印光固化成形法 (SLA),一個(gè)常見的3D打印工藝,與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似,3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)材料,這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場,但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

的963D閃存使用的是新一代BiCS4技術(shù),QLC類型的核心容量高達(dá)1.33Tb,比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)水平提升了33%,東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存,一顆閃存的容量就有2.66TB。 國內(nèi)崛起撬動(dòng)全球
2021-07-13 06:38:27

請(qǐng)問技術(shù)創(chuàng)新是如何推動(dòng)設(shè)計(jì)工藝發(fā)展的?

請(qǐng)問技術(shù)創(chuàng)新是如何推動(dòng)設(shè)計(jì)工藝發(fā)展的?
2021-04-21 06:46:39

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
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3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

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Micron美光公司因其DRAM和NAND閃存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng) 美光科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909

3D打印技術(shù)及應(yīng)用: 創(chuàng)新設(shè)計(jì)應(yīng)用(二)#3d打印

創(chuàng)新3D打印
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蘋果計(jì)劃從長江存儲(chǔ)采購其NAND芯片長江存儲(chǔ)迎來重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息,據(jù)報(bào)道,蘋果公司(以下簡稱“蘋果”)正與中國長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,希望采購其NAND閃存芯片用于iPhone。
2018-07-19 11:46:00931

長江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750

長江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長江存儲(chǔ)以芯存長江,智儲(chǔ)未來為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲(chǔ)新建的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

長江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

紫光旗下的長江存儲(chǔ)(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)。
2018-07-30 17:57:274031

看看長江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長江存儲(chǔ)正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625

長江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲(chǔ))昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

長江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲(chǔ)今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過簡單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

長江存儲(chǔ)投產(chǎn)32層3D NAND,計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊

目前世界上存儲(chǔ)芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:027293

長江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領(lǐng)域不同 長江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)YMTC是國內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080

長江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302

長江存儲(chǔ)直追國際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263

江波龍牽手長江存儲(chǔ),推動(dòng)國內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:105191

長江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164

長江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021051

長江存儲(chǔ)成功研發(fā)國產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長江存儲(chǔ)邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585

長江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking是長江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625

紫光旗下長江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241028

長江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國產(chǎn)第三代閃存的到來

紫光旗下的長江存儲(chǔ)邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495

明年長江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場上,終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

長江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053

長江存儲(chǔ)表示1283D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的1283D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,1283D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長江存儲(chǔ)宣布將跳過96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長江存儲(chǔ)市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861

長江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09805

長江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557

長江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿足不同應(yīng)用場景的需求

的3DNAND閃存長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512GbTLC(3bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-04-13 14:25:113068

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653

長江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長江存儲(chǔ)128NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國存儲(chǔ)芯片國際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

長江存儲(chǔ)128NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長江存儲(chǔ)128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過于武漢長江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存,多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存
2020-09-10 10:02:33850

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

長江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比, 長江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上, 他還展示了長江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長江存儲(chǔ)于2014年,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

長江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND長江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說,存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

回顧長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

長江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬片晶圓,約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬片晶圓,而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬片。
2021-02-14 09:21:008753

長江存儲(chǔ)打破閃存芯片技術(shù)壁壘

NAND Flash是全球最重要的存儲(chǔ)芯片之一,中國需求量最高。2019年,中國地區(qū)NAND閃存市場銷售額全球第一,占比37%。但全球NAND閃存市場卻被日美韓企業(yè)壟斷。
2021-01-16 10:27:383981

長江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

長江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521

蘋果欲與長江存儲(chǔ)合作來降低NAND閃存的價(jià)格

蘋果公司將長江存儲(chǔ)(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23529

傳蘋果暫停長江存儲(chǔ)閃存芯片計(jì)劃

即便長江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過認(rèn)證,但在新 iPhone 開始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:271613

傳蘋果已暫停采用長江存儲(chǔ)NAND閃存芯片的計(jì)劃

10月17日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道,雖然蘋果此前已確認(rèn)正在測試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國長江存儲(chǔ)(YMTC)的NAND Flash閃存芯片,但是現(xiàn)在,蘋果似乎已經(jīng)暫停了在旗下產(chǎn)品中使用長江存儲(chǔ)
2022-10-25 20:28:47634

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù)長江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

拐彎突破美國禁令!長江存儲(chǔ)神秘閃存曝光

長江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311234

起訴美光!長江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新
2023-11-13 15:47:51289

長江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中,長江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新
2023-11-13 16:03:05369

長江存儲(chǔ)起訴美光!

長江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長江存儲(chǔ)陷入專利之爭

長江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長江存儲(chǔ),已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對(duì)美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:51547

零的突破!中國閃存芯片正式步入國際主流水平

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款1283D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注,其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:335009

首次亮相!長江存儲(chǔ)1283D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲(chǔ)128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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