1. 背景 這篇文章主要介紹了DDR3IP核的寫實現(xiàn)。 2. 寫命令和數(shù)據(jù)總線介紹 DDR3 SDRAM控制器IP核主要預留了兩組總線，一組可以直接綁定到DDR3 SDRAM芯片端口，一組是留給
2020-12-31 11:17:02
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DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁，它負責把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號，并發(fā)送到DRAM。
2021-04-20 11:37:254540 
完全可以用靠近輸入輸出引腳處的邏輯資源來實現(xiàn)DDR觸發(fā)器，而且最后的結(jié)果表明，這種實現(xiàn)方式可以滿足時序要求。 從圖4中也可以看到，控制器內(nèi)部有兩個時鐘，clk和clk_90，兩者之間的相位差為90°。圖中
2018-12-18 10:17:15
交叉存取來提高帶寬。一個易于使用和可預測的存儲器控制器，如：ECP3 DDR3存儲器控制器，在用戶基于其對數(shù)據(jù)處理的基本算法的了解的情況下來分配存儲器緩沖區(qū)時，可以最小的硬件和軟件開銷來實現(xiàn)最大的帶寬
2019-05-24 05:00:34
DDR3存儲器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢？
2021-04-30 06:57:16
通過 ODT 同時管理所有內(nèi)存顆粒引腳的信號終結(jié)，并且阻抗值也可以有多種選擇，內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號的強度自動調(diào)整阻值的大小。”如題，DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ，DQS和DM中，而這三個信號不存在多顆粒共用情況，都是每片DRAM顆粒獨立工作，怎么能起到抑制反射的作用呢？
2018-01-19 09:43:18
DDR4，開發(fā)版使用的是DDR3。DRAM：動態(tài)隨機存儲器，內(nèi)部存儲單元的以電容電荷表示數(shù)據(jù)，1代表有電荷，0代表無數(shù)據(jù)。DRAM結(jié)構(gòu)簡答，所以成本低，集成度高。但是存取速度不如SRAM。? 2.DDR?常見頻率100MHZ，133MHZ，166M，200MHz。?計算容量：行地址位row=
2022-02-07 06:15:06
小，256Kb-16Mb 5.集成度低，單位容量價格高 6.靜態(tài)功耗低，運行功耗大 DRAM 1.速度較慢 2.需要刷新來保持數(shù)據(jù) 3.需要MCU帶外部存儲控制器 4.容量大，16Mb-4Gb 5.集成度高，單位容量價格低 6.運行功耗低
2020-12-10 15:49:11
圍設備。外圍設備連接的引腳連接到微型計算機功能，稱為輸入/輸出端口(I/O端口)。端口是微型計算機和外圍設備連接的端子。如果您想從微型計算機打開/關閉LED，您可以通過執(zhí)行程序中的端口控制來實現(xiàn)。端口
2021-09-10 09:14:16
實現(xiàn)特權(quán)同學的例程 特權(quán)FPGA VIP視頻圖像開發(fā)套件例程詳解2——DDR2控制器讀寫測試 時，進行IP核配置時，進入下一步配置參數(shù)時，變成黑屏重裝軟件也不行
2018-01-24 08:23:17
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
6655時鐘PLL配置與DDR3的配置1 時鐘概述PLL與PLL控制器的邏輯組成和處理流程如圖1所示。PLL控制器能夠通過PLLDIV1到PLLDIV16這些分頻器靈活便利的配置和修改內(nèi)部的時鐘信號
2018-01-24 21:27:10
4的JEDEC標準DDR4接口的變體，它包含了對完整系統(tǒng)支持所需的獨特功能。本文將幫助工程師了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設計指南
2021-01-15 06:08:20
你好任何人都可以指導我，Xilinx ISE中的DDR控制器是否有任何IP實現(xiàn)。如果沒有如何實現(xiàn)DDR控制器以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi can any one guide me
2019-02-27 12:13:51
/ p作為輸入時鐘連接到CLKGENERATOR，DDR控制器在Phy側(cè)運行800Mhz，在控制器運行200Mhz.Slave AXI總線寬度為AXI.DDRis 512bits。卡皮爾古普塔project_6.srcs.rar 6322 KB
2019-09-10 07:58:12
Rambus DRAM與CTM時鐘同步輸出數(shù)據(jù)。如果時鐘與數(shù)據(jù)信號的布線長度等相同，則時鐘與數(shù)據(jù)具有相同的延遲時間到達DRAM控制器，所以DRAM控制器可以與時鐘同步接受數(shù)據(jù)。 另一方面
2008-12-04 10:16:36
本文和設計代碼由FPGA愛好者小梅哥編寫，未經(jīng)作者許可，本文僅允許網(wǎng)絡論壇復制轉(zhuǎn)載，且轉(zhuǎn)載時請標明原作者。Altera DDR2控制器使用IP的方式實現(xiàn)，一般很少自己寫控制器代碼。ddr
2020-02-25 18:33:00
為什么XMC庫不使用控制器的端口輸出寄存器TESTBOARD_150PC_OUT ？
程序庫僅使用端口輸出修改寄存器 Pn_OMR 來設置或清除數(shù)字輸出。
2024-03-06 06:17:41
分析閃存控制器的架構(gòu)，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲介質(zhì)。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2019-09-27 07:12:52
）”，正如圖中所示，它們各有分工。存儲控制器產(chǎn)生DDR2芯片實際讀寫操作需要的時序；ALTMEMPHY有兩部分功能，一個功能是對DDR2做自動校正（Aoto-Calibration），另一個功能是實現(xiàn)DDR
2016-10-27 16:36:58
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應該從芯片到芯片之間會有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
這是我自己寫ddr2控制器的寫操作，但為什么寫的地址不按順序?qū)懀姓l做過嗎？
2017-03-20 16:36:20
我可以使用mig生成ddr控制器（xc6vlx130t）嗎？mig向?qū)е恢С?b class="flag-6" style="color: red">ddr2和ddr3！
2020-06-12 07:32:48
控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當編程后，RCU將向?qū)⑻幚?b class="flag-6" style="color: red">器的BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時，被編程的存儲器范圍片選有效。
2019-11-07 06:01:59
請求。物理層接口前端連接至內(nèi)存控制器模塊，后端連接外部存儲設備，其主要功能是捕獲DDR3發(fā)出的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生DDR3所需要的控制指令信號，并通過輸入輸出緩存發(fā)送所有DDR3的控制信號、地址信號以及數(shù)據(jù)信號
2018-08-02 09:34:58
作者：吳連慧，周建江，夏偉杰摘要：為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器
2018-08-02 11:23:24
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產(chǎn)品之一，已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAMRCU單元，即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。
2019-09-25 07:38:04
如何實現(xiàn)雙路輸出控制器的設計？
2022-02-11 07:57:24
如何實現(xiàn)觸摸屏控制器TSC輔助輸入的應用？TSC輔助輸入的主要特性有哪些？如何實現(xiàn)TSC掉電期間的ESD保護？有什么輔助輸入要求？
2021-04-20 06:52:13
DDR3存儲器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個特定的FPGA系列LatticeECP3實現(xiàn)DDR3存儲器控制器。
2021-04-30 07:26:55
你好使用Xilinx的任何一個端口MIG DDR2 SDRAM控制器都是我遇到了問題我有vhdl頂級系統(tǒng)，其中我實例化ddr2控制器我的ddr2包裝器與testcase一起工作正常（由MIG提供
2019-08-19 10:47:06
你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設計FPGA BRAM（或任何其他內(nèi)存模塊_SD，DDR以外的本地等）大容量存儲單元？當我通過示例設計“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM
2019-04-04 15:10:55
TL494是什么？回路控制器的工作原理是什么？如何用TL494和輸入輸出電路構(gòu)成一個單回路控制器呢？
2021-10-09 08:09:00
的工作時鐘頻率。然而，設計至DDR3的接口也變得更具挑戰(zhàn)性。在FPGA中實現(xiàn)高速、高效率的DDR3控制器是一項艱巨的任務。直到最近，只有少數(shù)高端（昂貴）的FPGA有支持與高速的DDR3存儲器可靠接口的塊
2019-08-09 07:42:01
嗨，我已經(jīng)搜索了很多關于配置PS DRAM控制器（DDRC）板參數(shù)的信息，鏈接如下，http：//www.xilinx.com/support/answers/46778.htm， 我想知道如何獲得包裝長度？謝謝！
2019-11-07 08:43:39
如何調(diào)試Zynq UltraScale+ MPSoC VCU DDR控制器 Zynq UltraScale+ MPSoC VCU DDR 控制器是一款專用 DDR 控制器，只支持在 Zynq
2021-01-07 16:02:09
如何調(diào)試 Zynq UltraScale+ MPSoC VCU DDR 控制器？
2021-01-22 06:29:21
嵌入式控制器的輸入端口設計分析,不看肯定后悔
2021-05-31 06:19:13
摘要：介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)
2011-02-24 09:33:15
學單片機的都必須清楚微控制器的輸入輸出，點燈是練習輸出，而輸入最基礎的就需要去練習——按鍵。
2021-11-29 07:38:40
大家好，我想設計自己的DDR控制器并在FPGA上驗證它。我將在verilog中實現(xiàn)我剛開始閱讀JESDC79C DDR規(guī)格..但我很困惑如何編寫那些初始化序列？請建議如何處理這個設計DDR控制器
2019-04-29 11:59:22
需要一個PWM控制器來實現(xiàn)升壓電路的開關，但是目前找到的PWM控制器的輸入電壓都在4-5V，有沒有什么PWM控制器有輸入電壓大概1V或以下的。謝謝！
2019-09-03 08:57:45
有沒有辦法重置和重新初始化 DDR 控制器？DRAM 類型是 LPDDR4。
我們的目標：我們嘗試為組裝有不同大小 RAM 的電路板系列實施解決方案。
為了獲得可重現(xiàn)的結(jié)果，我們尋求在嘗試下一個配置
2023-05-16 09:03:04
目前有一個項目需要使用DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨這個DDR3以前沒有使用過，時序又比較復雜，所以短時間內(nèi)難以完成，希望做過DDR3控制器的大神指點一二。急求！！！！
2015-11-16 09:18:59
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
LTC3718的典型應用是用于DDR和QDR存儲器終端的高電流，高效率同步開關穩(wěn)壓控制器
2019-05-31 08:11:00
你好我在Spartan 6 LX150T設計中使用DDR2控制器，并且正在努力解決時鐘資源問題。我發(fā)現(xiàn)DDR控制器在其memc1_infrastructure_inst模塊中有一個BUFGCE組件
2019-06-26 14:50:14
DDR SDRAM在嵌入式系統(tǒng)中有哪些應用？DDR SDRAM的工作方式有哪幾種？怎樣去設計DDR SDRAM控制器？
2021-04-30 07:04:04
FPGA與DDR2存儲器接口DDR2控制器的設計原理是什么？DDR2控制器的應用有哪些？
2021-04-30 06:28:13
通過前段時間的學習，我們基本上已經(jīng)掌握了關于單片機的端口控制，可以通過控制端口的電位變化來實現(xiàn)一些功能。有時間也可以練習一些復雜的變化，來熟悉自己的所學知識。輸出是說的差不多了，那么接下來的一段時間
2022-01-18 10:37:36
設計實現(xiàn)了一種基于FPGA 的，可用于多數(shù)據(jù)緩存的、能夠高效利用帶寬的多端口SDRAM 控制器。本文使用狀態(tài)機的設計思想，采用Verilog 硬件描述語言設計了時序控制程序。得到的SDR
2009-08-27 09:43:33
22 DDR2 SDRAM控制器的設計與實現(xiàn)
本文介紹了&&," -&,+. 的基本特征!并給出了一種&&," -&,+. 控制器的設計方法!詳述了其基本結(jié)構(gòu)和設計思想!并使用+JC:8B 公
2010-02-09 14:57:5164 本文采用Altera 公司的Stratix 系列FPGA 實現(xiàn)了一個三端口非透明型SDRAM 控制器，該控制器面向用戶具有多個端口，通過輪換優(yōu)先級的設計保證了多個端口平均分配SDRAM的帶寬且不會降
2010-03-03 14:37:1411 本文介紹了DDR3 SDRAM 的基本特點和主要操作時序,給出了一種基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的設計方法。詳述了控制器基本結(jié)構(gòu)和設計思想,分析了各模塊功能與設計注意事項,并
2010-07-30 17:13:5530 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年PC主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 中央控制系統(tǒng)的視頻輸入端口
VGA輸入：V
2010-01-07 11:53:57776 ADI，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近推出 GPIO(通用輸入/輸出)端口擴展器和鍵盤矩陣控制器 ADP5585和 ADP5589
2011-09-14 14:17:531477 本文提出一種新穎的解決方案：利用80C186XL的時序特征，采用CPLD技術，并使用VHDL語言設計實現(xiàn)DRAM控制器。
2012-02-02 11:29:581185 
基于協(xié)議控制器的DDR3訪存控制器的設計及優(yōu)化_陳勝剛
2017-01-07 19:00:3915 DDR2SDRAM控制器在機載顯控系統(tǒng)中的應用_孫少偉
2017-03-19 11:26:541 DDR 控制器部產(chǎn)品營銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場競爭的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲器接口的帶寬，滿足CPU、圖形處理、系統(tǒng)實時DRAM的延遲需求，同時符合
2017-11-18 18:23:122522 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器，只需通過用戶接口信號就能完成DDR
2017-11-18 18:51:256412 
提出一種便于用戶操作并能快速運用到產(chǎn)品的DDR2控制器IP核的FPGA實現(xiàn)，使用戶不需要了解DDR2的原理和操作方式的情況下，依然可以通過IP核控制DDR2。簡單介紹了DDR2的特點和操作
2017-11-22 07:20:504687 
DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的 存取技術 ，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問速度。 超頻與內(nèi)存的關聯(lián)性 提升供應電壓以及降低環(huán)境溫度有助于增加微處理器、芯片組、主存儲器的頻率頻率。
2018-03-28 12:03:004031 
DDR 同步動態(tài)隨機存取存儲器 （Synchronous Dynamic Random Access Memory， SDRAM）控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率（Dual Data Rate，DDR）版本
2018-05-30 09:29:007 本文首先介紹的是PID控制器的工作原理，其次介紹的是pid控制器的輸入輸出，最后介紹了PID控制器的參數(shù)整定以及PID控制器的控制實現(xiàn)，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-06-01 09:09:0125658 本應用說明描述了一個參考系統(tǒng)，該系統(tǒng)演示了Microblaze?處理器系統(tǒng)中多通道（MCH）片上外圍總線（OPB）雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM（SDRAM）控制器的使用。MCH OPB DDR
2019-09-12 14:14:000 、PSRAM、MRAM等存儲芯片供應商英尚微電子解析這款比腦力更強大的DDR SDRAM控制器。 任何DRAM控制器背后的智商都是與命令時序和執(zhí)
2020-07-24 14:25:27719 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設計出來的嗎？如果你對DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
100V 輸入 DC/DC 控制器產(chǎn)生正或負的穩(wěn)壓輸出
2021-03-19 08:09:164 本應用指南描述了在 Virtex?-4 XC4VLX25 FF668 -10C 器件中實現(xiàn)的 DDR SDRAM 控制器。該實現(xiàn)運用了直接時鐘控制技術來實現(xiàn)數(shù)據(jù)采集，并采用自動校準電路來調(diào)整數(shù)據(jù)線上的延遲。
2021-03-26 14:42:414 本文首先分析了DDR SDRAM的基本特征，并提出了相應的解決方案詳細介紹了基于J EDEC DDR SDRAM規(guī)范的DDR SDRAM控制器設計方案。該控制器采用Verilog HDL硬件描述語言實現(xiàn)，并集成到高性能SoC中。
2021-03-28 10:57:2418 AN-284：用模擬輸入/輸出端口實現(xiàn)無限采樣保持電路
2021-04-22 16:19:3912 LTC3718：適用于DDR/QDR存儲器終端的低輸入電壓DC/DC控制器產(chǎn)品手冊
2021-05-22 16:14:046 基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設計及實現(xiàn)簡介(arm嵌入式開發(fā)平臺PB)-該文檔為基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設計及實現(xiàn)簡介資料，講解的還不錯，感興趣的可以下載看看…………………………
2021-07-30 09:05:517 基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設計及實現(xiàn)(嵌入式開發(fā)式入門)-該文檔為基于FPGA的DDR3SDRAM控制器設計及實現(xiàn)總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
2021-07-30 13:07:0935 )。它的性能更高，并且不額外占用其他的可編程邏輯資源 (PL)。使用它的時候，在硬件設計方面和設計流程上，和之前的軟核控制器(DDR4 IP)也有著很大的不同。今天我們來介紹一下I/O planning方面的設計考慮和實現(xiàn)流程。
2022-07-06 10:42:173523 8086的輸入輸出控制是通過8255芯片控制的，用LED代表輸出的數(shù)據(jù)，按鍵代表輸入的數(shù)據(jù)，八個LED接在8255的PA端口上，八個按鍵接在PB端口上，通過8086控制8255A進行數(shù)字量的輸入與輸出。
2023-03-02 09:56:041515 
的作用。
編寫程序：編寫控制程序，包括輸入和輸出信號的邏輯關系和運算方法。
連接設備：將需要控制的設備連接到PLC控制器的輸入和輸出端口上。
2023-03-25 09:41:14794 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450
電子發(fā)燒友App
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