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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>WEDC推表面貼裝數(shù)據(jù)存儲器件,應(yīng)用于國防和航空等環(huán)境

WEDC推表面貼裝數(shù)據(jù)存儲器件,應(yīng)用于國防和航空等環(huán)境

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2019-05-27 05:00:02

如何使用SCR XRAM作為程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器

1) 允許一個物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時作為程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問 如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器。 1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器 2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存儲器
2024-01-30 08:18:12

怎么設(shè)計抗SEU存儲器電路的FPGA?

隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展,衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而,太空環(huán)境復(fù)雜多變,其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子,它們對運行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響不可忽視
2019-08-22 07:09:17

探討表面技術(shù)的選擇問題

以確保可靠的連接。對于日常用于苛刻環(huán)境的較大應(yīng)力消除焊墊,其外形結(jié)構(gòu)尺寸需與通孔回流連接器類似。盡管PCB實質(zhì)上未提供節(jié)省,表面版本能夠提供雙卡密度、簡化裝配、并可能降低制造成本。在I/O應(yīng)用中
2018-11-22 15:43:20

提供100A電流的低成本表面DC / DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計介紹

DN215低成本表面DC / DC轉(zhuǎn)換器提供100A
2019-07-26 07:36:27

提高存儲器可靠性的DDR ECC參考設(shè)計

描述此參考設(shè)計介紹高可靠性應(yīng)用(基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC))中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2018-10-22 10:20:57

無線連通航空航天和國防世界

聯(lián)網(wǎng)(IoT)(對于商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域二者實為同義詞),所有這些都將會對航空航天和國防市場產(chǎn)生同樣深遠(yuǎn)的影響。過去10年,隨著新波形、寬帶寬信號的出現(xiàn),軍事通信系統(tǒng)多次升級,為增加通向戰(zhàn)士的數(shù)據(jù)流量創(chuàng)造了
2018-10-23 14:17:20

普通表面的焊盤和通孔封裝的FET/IGBT功率晶體管

SI82XX-KIT,Si8235評估板,2輸入,4 A,5 kV雙ISO驅(qū)動器。該板包括用于普通表面的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計的補(bǔ)丁區(qū)域,可用于滿足設(shè)計人員可能需要評估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29

村田制作所表面熱釋電紅外傳感器

高靈敏度、針對回流表面、行業(yè)最小、最薄規(guī)格(6.7×5.7×2.6mm)、優(yōu)良的抗電磁波噪聲等特性;主要應(yīng)用于安全設(shè)備、照明設(shè)備的自動開關(guān)、攝像頭(IP照相機(jī))、自動熱水沖水馬桶和其他自動開關(guān)(如
2018-11-19 16:48:31

村田制作所首例表面熱釋電紅外傳感器

  村田制作所研制了世界上第一個表面熱釋電紅外傳感器。  以前,用于探測人體的熱釋電紅外傳感器,由于沒有表面型傳感器,因此只能向有限的市場拓展。  這次,通過運用我公司獨家的封裝工藝(*1
2018-10-25 17:05:24

求助 數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

淺談航空攝影的發(fā)展

)和掃式(線陣CCD)兩種。在我國用于航空攝影儀主要有:由Z/I公司推出的面陣航空數(shù)碼相機(jī)DMC(Digatal Mapping Camera)、Vexcel公司2003年推出的UCD(Ultra
2018-11-21 11:00:05

電子器件SKY65708-11,SI4713-B30及MK20DX256ZVLK10

76MHz ~ 108MHz應(yīng)用通用調(diào)制或協(xié)議FM數(shù)據(jù)速率(最大值)-功率 - 輸出-電流 - 傳輸18.8mA數(shù)據(jù)接口PCB,表面天線連接器PCB,表面存儲容量-特性-電壓 - 電源2.7V
2019-05-20 14:15:47

電子表面技術(shù)SMT解析

器件不能用于SMT,如部分接線器,變壓器,大電容等。  3 表面技術(shù)流程  表面丁藝包括核心和輔助兩大工藝。其中核心工藝由印刷、貼片和回流焊3部分組成,任何類型產(chǎn)品的生產(chǎn)都要經(jīng)過這3道工序
2018-09-14 11:27:37

簡單的表面閃存Vpp發(fā)生器

DN58- 簡單的表面閃存Vpp發(fā)生器
2019-07-04 10:12:40

貼片機(jī)的速度

  目前業(yè)界還沒有準(zhǔn)確的貼片機(jī)速度定義和測量方法,現(xiàn)在貼片機(jī)制造廠商采用一種理想的方法測量速度數(shù)據(jù),不包括任何外加因素,即不考慮印制板的傳送和定位時間,印制板的大小、元器件的種類和位置等,只是將
2018-09-05 09:50:35

避免存儲器件掉電丟數(shù)據(jù),我們要怎么做?

優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。圖 1 Nand-Flash 與 eMMC 芯片存儲器件使用壽命使用了 Nand-Flash
2020-09-16 10:58:10

采用16引腳SOIC或DFN表面封裝的單片固態(tài)開關(guān)

CPC7582線路卡接入交換機(jī)的典型CPC7582應(yīng)用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面封裝的單片固態(tài)開關(guān)
2020-07-30 10:21:46

基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610

應(yīng)用于存儲及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的新一代存儲器

應(yīng)用于存儲及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的新一代存儲器 近年來由于因特網(wǎng)業(yè)務(wù)的平均帶寬每6個月至9個月就增加一倍因此對用于業(yè)務(wù)傳輸?shù)木W(wǎng)絡(luò)容量帶寬以及用于存儲生成該業(yè)務(wù)
2010-03-18 10:44:5721

DVD幾種常用的存儲器電路特點

DVD幾種常用的存儲器電路特點 存儲器是DVD視聽產(chǎn)品中必不可少的器件之一,其作用主要是用于數(shù)據(jù)存取。當(dāng)然,存儲器由于有許多種,各種類型的存儲器其用途
2010-05-07 18:40:2442

基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914

C8051F的超大容量Flash存儲器擴(kuò)展

摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實際
2006-03-11 11:47:191206

鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu) ? 1 鐵電存儲器簡介 隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性存儲器的需求越來越大,讀寫速度
2009-10-25 09:59:509100

應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

我們設(shè)計了一款電荷泵用以在存儲器中傳遞外部編程高壓。這種電荷泵利用高壓NMOS器件提高了耐壓特性并保證了正常工作,且增加了襯底偏置以縮短電荷泵的穩(wěn)定時間。
2011-08-31 10:34:145266

應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

因只讀存儲器的基本存儲單元只進(jìn)行一次編程,編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存,且在編程時需要流過mA級以上的電流,所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓,內(nèi)部的電荷泵
2011-09-23 19:24:00536

串行存儲器拷貝器原理圖

電可擦除存儲器是一種可讀寫的存儲器件,英文縮寫為E2PROM,主要用于數(shù)據(jù)的保存。其中24CXX系列存儲器是較常用的一種E2PROM.廣泛用于各類家電
2012-08-01 10:13:353464

計算機(jī)的存儲器主要作用_計算機(jī)的存儲器的分類介紹

計算機(jī)存儲器指計算機(jī)的內(nèi)部存儲區(qū)域,以芯片格式和集成電路形式存在。計算機(jī)存儲器應(yīng)用于錄音機(jī)或磁盤。術(shù)語“存儲器”通常視為物理存儲器的簡稱,作為保留數(shù)據(jù)的實際可能芯片。有些計算機(jī)也使用虛擬存儲器,即在硬盤上擴(kuò)展物理存儲器
2018-05-17 16:28:5411346

直接時鐘控制技術(shù)方案應(yīng)用于存儲器中的設(shè)計及實現(xiàn)

大多數(shù)存儲器接口都是源同步接口,從外部存儲器器件傳出的數(shù)據(jù)和時鐘/ 選通脈沖是邊沿對齊的。在 Virtex-4 器件采集這一數(shù)據(jù),需要延遲時鐘/ 選通脈沖或數(shù)據(jù)。利用直接時鐘控制技術(shù),數(shù)據(jù)經(jīng)延遲
2020-04-11 09:55:08743

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

存儲器產(chǎn)業(yè)未來的技術(shù)發(fā)展方向仍是未知數(shù)。 在非易失性MRAM存儲器方面,Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空
2020-04-25 11:05:572584

存儲器件如何延長使用壽命及如何避免損壞損失數(shù)據(jù)

記錄數(shù)據(jù)的可靠性,通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等,往往忽略了存儲器件的使用壽命。存儲器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實,工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范,以免過快損耗擦寫壽命。
2020-10-08 14:34:003339

朝微電子:“以研帶產(chǎn)”實現(xiàn)多項半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化

航天、航空等高精尖領(lǐng)域是國防工業(yè)體系的重要組成部分,非自主可控的電子元器件用于航天、航空等領(lǐng)域一直是對國家安全的潛在威脅,高可靠元器件全面實現(xiàn)國產(chǎn)化是緊迫的剛性需求。在國防支出持續(xù)增長的大背景下,國家對航天、航空等高精尖領(lǐng)域半導(dǎo)體器件的投入呈現(xiàn)穩(wěn)定增長態(tài)勢。
2020-11-20 10:03:292645

存儲器分類,存儲器的分級結(jié)構(gòu)

存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。構(gòu)成存儲器存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。
2021-01-19 10:16:3611656

AVR單片機(jī)與串行存儲器的接口

串行接口存儲器廣泛應(yīng)用于消費類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場。串行存儲器主要用于存儲個人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù),是當(dāng)今使用的最為靈活的非易失性存儲器(Nonvolatile
2021-03-31 11:14:477

什么是外部存儲器

存儲密度分為道密度、位密度和面密度。 數(shù)據(jù)傳輸率——磁表面存儲器在單位時間內(nèi)向主機(jī)傳送數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)
2023-05-26 11:27:061415

美國 KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng)

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實現(xiàn)小規(guī)模試驗中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44439

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