閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號觸點。它們二者有何區別？

　　電腦老玩家們應該還記得第一代DDR內存以及更早的SDRAM內存條，當時內存顆粒也普通使用TSOP封裝。下圖是一條筆記本SDRAM內存條，工作頻率100MHz，容量64MB：

　　而從DDR2開始，內存條顆粒全面轉向BGA封裝，工作頻率和容量都比過去更高。

　　通過上面的例子大家應該已經能夠猜出，TSOP并不適合高速信號傳輸，在存儲密度上也不及BGA封裝。但是對于固態硬盤來說，TSOP封裝能夠在Toggle標準下實現400MT/s傳輸速率，足以應對SATA固態硬盤的需求。

　　盡管TSOP在理論上不夠先進，但在2.5寸SATA固態硬盤當中有足夠的空間容納大量的顆粒，在SATA3.0接口的限制下TSOP閃存性能也沒有空間或者性能上的瓶頸。

　　東芝TR200就部分使用了TSOP封裝的3DTLC閃存，實惠穩定的口碑并沒有受到TSOP的影響。

　　即便是在體積更緊湊的M.2固態硬盤中，同樣有使用TSOP封裝閃存顆粒的型號，基本都屬于SATA協議的產品。PCB橫向寬度足夠容納它，四顆顆粒也完全填滿主控的四個閃存通道，沒有不良影響。

　　而在高速NVMe固態硬盤當中，清一色都是BGA封裝的閃存顆粒，這是閃存讀寫帶寬的需要，也是完整利用主控閃存通道的需要。

　　BGA封裝可以取得比TSOP更高的接口速度，閃存同主控之間的數據傳輸速率可以提升到533MT/s以上，滿足填飽PCIE3.0x4接口的需求。同時，采用BGA封裝的閃存顆粒可以引出多個閃存通道，從而充分利用高端NVMe主控的8通道優勢。

　　作為NVMe旗艦機型，東芝RD500使用了8通道TC58NC1201GST主控，搭配96層堆疊BiCS43DTLC閃存，取得了標桿級的性能表現。

　　對于未來PCIE4.0固態硬盤而言，下一代鎧俠（原東芝存儲）BiCS5將提供1200MT/s的閃存接口，如此高的傳輸速率唯有BGA封裝才能實現。而入門級的SATA固態硬盤或將繼續沿用成熟的TSOP封裝形式，這也是閃存滿足不同需求的體現。