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電子發燒友網>存儲技術>Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內存子系統產品

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內存子系統產品

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2016-10-13 14:25:00

蘋果芯片供應商名單曝光后 三星哭了!

開始生產。此舉也創下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄,2017年營收持續增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內存,并將于今年下半年上市。這樣一來,臺積電和三星以及蘋果的性能之爭,就轉移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54

迅為可替代ARM9,ARM11開發板的高性能四核Android開發板

族MX2等熱門產品當中,并取得巨大成功。出色的功耗控制以及超強的性能一直為業內稱道,超過5000萬片的出貨量,足以證明穩定性與可用性。已成為三星官方重點推廣的處理器之一,并承諾長期供貨
2014-05-27 14:04:17

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

2015年就發布了,還是最早使用TSMC 16nm工藝的產品,比移動SoC還要早,不過之前的產品并沒有使用HBM芯片,這次推出的是擴展系列,為HBM顯存優化。  賽靈思的Virtex
2016-12-07 15:54:22

采用GDDR6的高性能內存解決方案

隨著網絡和數據中心帶寬需求的日益提升,針對高性能內存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統開發,以經濟高效的方式實現內存方案性能和效率已經成為項目中的重要挑戰之一。
2020-12-03 07:14:31

高價回收三星芯片,專業收購三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

高通射頻領域獲重大突破,與谷歌、hTC、三星、索尼達成合作

高通公司的端到端集成調制解調器和射頻產品來實現這一目標。“三星公司很榮幸能夠通過高通公司全面的先進射頻前端解決方案,創造出當今先進的移動設備,并實現業界領先的LTE連接性能。”“索尼移動正在利用高通公司
2018-01-30 09:04:16

XPD318BP25 三星25w充電器協議芯片單c口支持三星25w方案

供應XPD318BP25 三星25w充電器協議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域,更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46

三星將向Rambus支付9億內存專利授權費以達成和解

三星將向Rambus支付9億內存專利授權費以達成和解  韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權官司達成和解協議,三星公司將在五年之內逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:36720

基于7nm打造的HBM3/DDR5內存技術參數公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5內存技術參數,最大的關注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限,因為到了7nm節點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能,7nm是一項非常復雜的技術。
2017-12-07 15:00:001535

三星推出第三代HBM2存儲芯片,適用于高性能計算系統

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185

三星新發布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246

Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理層方案 可幫助企業輕松用上HBM2E

最近,JEDEC固態存儲協會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E,針腳帶寬、總容量繼續大幅提升。對于一些大企業,集成這些技術可以說不費吹灰之力,但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:563487

HBM2e顯存到底有什么優勢

相比GDDR顯存,HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規范,三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569

Alchip 5nm封裝設計涵蓋SIPI/熱仿真,可提供即插即用的后硅解決方案

Alchip 5nm設計將利用高性能計算IP產品組合,其中包括一級供應商提供的“同類最佳” DDR5,GDDR6,HBM2EHBM3,D2D,PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140

SK Hynix宣布HBM2E標準存儲器已投入量產

16GB/stack的容量。 HBM2EHBM2標準型進行了一些更新來提升性能,作為中代產品,能提供更高的時鐘速度,更高的密度(12層,最高可達24GB)。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:011988

HBM2E性能提升到4Gbps的方法

為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內存帶寬,HBM2E和GDDR6已經成為了設計者的兩個首選方案
2020-10-26 15:41:132139

三星將中斷12nm DRAM芯片開發,直接跨入11nm

近日,據韓媒報道稱,三星的研發人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發的命令,要求直接研發1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經各大
2022-04-18 18:21:581483

HBM性能驗證變得簡單

HBM2E(高帶寬內存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(如內存子系統、互連總線和處理器)結構復雜,驗證內存性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰。
2023-05-26 10:24:38437

SK海力士推全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
2023-08-22 16:28:07559

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數據速率,支持HBM3內存標準的未來演進 實現業界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 標準的持續演進。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數據速率,Rambus HBM3 內存控制器的數據速率提高了 50%,總內存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統的訓練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數據中心工作負載。
2023-12-07 14:16:06329

什么是HBM3E內存Rambus HBM3E/3內存控制器內核

Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110

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