SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
5518 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004052 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:406936 業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:064340 2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 SK集團(tuán)（SK Group）日前發(fā)布定期人事異動(dòng)公告，SK海力士（SK Hynix）有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至?xí)x升為副會(huì)長，顯示SK海力士在集團(tuán)內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認(rèn)為，這次人事調(diào)整
2016-12-30 09:10:391031 SK海力士系統(tǒng)IC主要專注于晶圓代工業(yè)務(wù)，服務(wù)對象為沒有晶圓廠的IC設(shè)計(jì)商。據(jù)SK海力士表示，分拆晶圓代工業(yè)務(wù)主要目的是想強(qiáng)化這方面的競爭力。
2017-07-12 08:17:061345 據(jù)韓媒報(bào)道，近期SK海力士遭受了黑客組織Maze的勒索攻擊，目前Maze聲稱入侵了SK海力士11TB的數(shù)據(jù)，并公布了約600MB的數(shù)據(jù)信息，約占其總數(shù)據(jù)量的5%。
2020-08-24 14:21:052890 日前，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺(tái)灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-09 10:34:452136 極紫外（EUV）光刻技術(shù)將DRAM技術(shù)擴(kuò)展到10nm以下，以及將內(nèi)存和邏輯芯片整合到同一個(gè)設(shè)備中，以應(yīng)對不斷增加的工作負(fù)載。 SK海力士首席執(zhí)行官李錫熙說：“我們正在改進(jìn)DRAM和NAND各個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展所需的材料和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，并逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎(chǔ)
2021-03-29 14:38:436644 ，并討論購買存儲(chǔ)芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲(chǔ)芯片的開發(fā)。 ? 與消費(fèi)類設(shè)備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:015332 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲(chǔ)芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費(fèi)類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472527 近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:582938 
為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191454 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日，SK海力士發(fā)布2023年第四季度財(cái)報(bào)顯示，公司2023財(cái)年第四季度結(jié)合并收入為11.3055萬億韓元，營業(yè)利潤為0.3460萬億韓元，凈虧損為1.3795萬億韓元
2024-01-27 00:03:004988 
售罄。” ? 值得注意的是，此前市場研究機(jī)構(gòu)Yolo Group報(bào)告指出，2023年HBM芯片的平均售價(jià)是傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存芯片的五倍。然而，市場熱度在AIGC的帶動(dòng)下依然有增無減。 ? SK海力士
2024-02-28 00:16:002233 SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進(jìn)度正在加速，DRAM只會(huì)進(jìn)行小規(guī)模補(bǔ)強(qiáng)與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認(rèn)為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
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2021-01-29 17:52:55
全球DRAM二哥海力士（Hynix）認(rèn)為，DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開始復(fù)蘇。
2012-03-16 09:00:193141 近日，制造商Hynix半導(dǎo)體公司更名為SK海力士公司，早在今年二月，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商SK電信有限公司以3.34萬億韓元(約30億美元)收購海力士21%的股份。
2012-03-28 10:25:311592 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 SK海力士(SK Hynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競爭即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為SK海力士帶來1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)
2017-03-06 17:38:151037 存儲(chǔ)器業(yè)經(jīng)歷大多頭的牛市之后，是否即將回檔，各方爭辯不休。韓廠SK海力士加快腳步增產(chǎn)高頻寬存儲(chǔ)器（HBM），期盼能以技術(shù)拉開和對手的差距，維持高毛利。
2018-07-11 09:44:00827 據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 )制程DRAM，目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度，追趕三星，預(yù) ... 10納米級DRAM先進(jìn)制程競爭
2018-11-12 18:04:02253 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 韓國存儲(chǔ)器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價(jià)格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:54992 
受到移動(dòng)舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價(jià)格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀(jì)錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13790 受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響，今年存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬，SK海力士預(yù)計(jì)將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面，隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價(jià)格一同下跌，SK海力士計(jì)劃靈活應(yīng)對市場行情。
2019-01-26 10:40:343176 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 據(jù)路透社報(bào)道，韓國SK海力士今日表示，將投資1070億美元建設(shè)四家工廠。報(bào)道稱，SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領(lǐng)先國家的背景下，繼續(xù)保持競爭力。
2019-02-22 14:24:443932 從企業(yè)別來看，三星電子的銷售額為437億4700萬美元，市占率為43.9％，維持著壓倒性的領(lǐng)先地位；SK海力士也緊追在后，銷售額達(dá)294億900萬美元，市占率為29.5％。若將兩家企業(yè)一并來看
2019-03-10 10:00:351933 存儲(chǔ)器循環(huán)暴起暴落，價(jià)格重挫和需求降溫，讓 SK 海力士（SK Hynix）第一季營益慘摔近 70%，為 2016 年第三季以來最糟表現(xiàn)。
2019-04-28 16:26:222557 
對于SK海力士而言，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。
2019-06-21 08:44:403949 據(jù)報(bào)道，由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈，韓國內(nèi)存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。
2019-06-24 17:21:582989 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 7月15日業(yè)界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
2019-07-17 10:03:302886 雖然封裝不易，但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 在推進(jìn)DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進(jìn)的步伐。
2019-10-24 17:09:541343 本月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:542729 據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，投資機(jī)構(gòu)Eugene預(yù)測，由于受到新冠肺炎的影響，DRAM價(jià)格將在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目標(biāo)股價(jià)。
2020-04-14 16:12:362298 SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，據(jù)外媒報(bào)道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 令發(fā)布當(dāng)天（8月17日），三星、SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速，難道斷供華為也是韓企的愿望嗎？ 斷供華為，三星、SK海力士：我也不想啊 此番斷供，三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布，
2020-09-17 15:15:131926 韓國記憶體兩大廠三星（Samsung）與SK海力士（Hynix）同步看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）后市，激勵(lì)DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價(jià)走揚(yáng)。 三星預(yù)期，受惠5G需求
2021-02-01 12:43:00785 據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士今天宣布，其公司位于韓國首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工，SK海力士將首次使用極紫外輻射（EUV）光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。SK海力士經(jīng)過兩年的時(shí)間，花費(fèi)了3.5萬億韓元
2021-02-02 15:00:152112 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com ）在韓國京畿道利川總部以“We Do Technology，開啟幸福”為主題舉行M16新廠竣工儀式。為遵守防疫規(guī)定，公司縮小了本次活動(dòng)規(guī)模
2021-02-03 09:44:241822 業(yè)界消息透露，SK海力士（SK Hynix）將在2022年上半內(nèi)，完成把韓國忠清北道清州M8廠的8寸晶圓設(shè)備搬遷至中國無錫廠，比原定計(jì)畫提早幾個(gè)月。
2021-02-22 10:23:584644 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機(jī)
2021-02-25 09:30:232047 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲(chǔ)器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175 * 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:311447 繼SK海力士在去年11月推出的移動(dòng)DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性，命名時(shí)在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:331073 SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看 前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價(jià)的消息，現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄，看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:122647 
需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價(jià)格上漲了五倍。” ? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）是高價(jià)值、高性能存儲(chǔ)器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺(tái)灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685 
據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲(chǔ)器市場上的獨(dú)一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541 與此同時(shí)，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù)，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中，無需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13461 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲(chǔ)器是將多個(gè)dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356 目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動(dòng)DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌，SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05457 為SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計(jì)算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37471 據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)為了確保其高性能內(nèi)存（HBM）的穩(wěn)定供應(yīng)，已經(jīng)采取了積極的措施。為了達(dá)到這一目的，英偉達(dá)向SK海力士和美光公司提前支付了數(shù)億美元的預(yù)付款。
2024-01-07 17:37:491133 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 近日，據(jù)報(bào)道，三星電子正計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09274 韓國存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中，展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動(dòng)公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05332 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43434 韓國存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃在美國印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠，專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)（NVIDIA）的AI GPU進(jìn)行深度整合，共同推動(dòng)美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲(chǔ)的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉
2024-02-25 11:22:21372 據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長（Lee Kang-Wook）介紹，SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因，實(shí)現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢，提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:17187 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44333 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機(jī)，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252 SK海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體公司，近期在中國業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報(bào)道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局，計(jì)劃關(guān)閉運(yùn)營了長達(dá)17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25344 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲(chǔ)器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126 
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