三星、SK海力士及美光相繼寄出存證信函給相關人士，全力防堵DRAM技術流入中國大陸。
2016-12-26 14:02:42
625 為了要延長DRAM這種內存的壽命，在短時間內必須要采用3D DRAM解決方案。什么是3D超級DRAM （Super-DRAM）？為何我們需要這種技術？以下請見筆者的解釋。
2017-03-17 09:42:042720 
在今日舉辦的中國閃存技術峰會（CFMS）上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講，披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:003556 節中的 DRAM Storage Cell 進行抽象，最后得到新的結構圖，如下： 1. Memory Array DRAM 在設計上，將所有的 Cells 以特定的方式組成一個 Memory Array
2020-09-22 15:01:556181 
這種組織方式的優勢在于多個 Devices 可以同時工作，DRAM Controller 可以對不同 Channel 上的 Devices 同時發起讀寫請求，提高了讀寫請求的吞吐率。
2020-09-22 16:21:072885 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統內存，也就是說我們個人電腦里的內存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統內存，也就是說我們個人電腦里的內存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM： 我們再說說DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過來為動態隨機讀取存儲器。
2022-10-06 13:05:005136 想了解DRAM 的EFA測試，以及她的測試程序如何，學習的技巧等
2020-11-13 13:53:41
（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據不同的生產廠
2012-08-15 17:11:45
DRAM產能再大，也難以滿足全球龐大的市場需求。因此，應該是技術層面的原因。技術才是高科技產業的核心競爭力。3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
DRAM內存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
寬帶系統互聯中的串行怎么選？DRAM總線的其他用途是什么？
2021-05-24 06:33:34
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當前內存技術的比較。DRAM是計算技術中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當前
2020-09-25 08:01:20
需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。DRAMDynamic Random Access Memory隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM
2017-07-21 13:54:03
先準備在DVSDK的基礎上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數，但我找不到dram_init函數在哪一個文件里：搜索了一下有下面幾個文件比較像，但我不知到時哪一個，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
Arm架構安全技術介紹中，安全core不能訪問除共享memory之外的非安全memory？
2022-09-23 14:23:47
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數據，也就是每個地址刷新時間不到17微秒，一開始出現一個數據都寫不進去，我
2018-11-07 23:57:30
控制器（Memory Controller，MC）與對應的物理層接口（Physical Interface，PHY）設計。
2022-10-08 07:17:32
本次發布 Gowin Flash Controller IP 參考設計： 支持 FLASH128K Register interface controller； 支持 FLASH256KA
2022-10-10 10:41:38
業者猜測是DRAM技術的大革新。當然，DRAM市場上還有一個不可小覷的力量——中國DRAM廠商，他們在這幾年來的成長越來越快，對全球市場的影響也與日俱增。據估計，中國品牌約占DRAM市場的40%和閃存
2018-10-18 17:05:17
/ 32當查看CPU-Z時，當系統處于空閑狀態（有效1333雙通道速度）時，DRAM頻率保持在665，然后在系統負載時波動到1197（有效2400，這應該是它應該是）。通過我能找到的所有東西，通常
2018-10-26 14:58:08
Direct Rambus DRAM的信號連接關系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續不斷的方式往復的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
initializes system clock,UART, and DRAM controller. After initializing DRAM controller, it loads OS
2015-08-24 08:24:13
的時鐘周期傳輸地址數據。這樣就可以節省一半的針腳實現和SRAM的同樣功能，這種技術即多路技術（multiplexing）。可以完成同16K SRAM一樣的工作。DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個
2010-07-15 11:40:15
的手段僅僅避免了一些攻擊，幾乎忽略了如data-oriented的其他攻擊。在基于硬件方案中，有兩種最突出，SPARC的ADI技術和arm的MTE技術，它們都實現memory tagging（內存標簽
2022-08-18 11:24:47
較高的聲望。據了解，有技術人員指出DRAM的微細化極限是20nm，DRAM在單元中的電容器里儲存電荷，對有電荷狀態分配1、無電荷狀態分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細化發展，電容器的表面積越來越小
2015-12-14 13:45:01
on the data bus to independently analyze the signal performance for both DDR chip and memory controller.
2018-10-09 18:13:04
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
`例說FPGA連載90：多分辨率HDMI顯示驅動設計之hdmi_controller.v模塊代碼解析特權同學，版權所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s
2017-04-12 21:45:54
`例說FPGA連載91：多分辨率HDMI顯示驅動設計之iic_controller.v模塊代碼解析特權同學，版權所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s
2017-04-16 22:50:28
合作集團在營收成長動能上較為顯著。除此之外，為更進一步了解整體產業實質銷售額(扣除廠商間代工業務重復計算之銷售額)，DRAMeXchange另行統計各家DRAM廠商自有品牌DRAM銷售額，在銷售額排行
2008-05-26 14:43:30
隨之消失，故具有易失性。 RAM又可分為靜態RAM(SRAM：StaticRandom Memroy)和動態RAM（DRAM：Dynamic Random Access Memory）。 SRAM 中
2016-06-10 08:04:24
。下面舉一個memory controller的示例，這個memory controller接收請求，并對特定內存地址執行某些操作。一開始斷言證明各種規格屬性時驗證工程師會定位出各種反例
2022-08-31 14:56:02
程序員的成長之路互聯網/程序員/技術/資料共享關注閱讀本文大概需要 2 分鐘。來自：網絡答案：controller默認是單例的，不要使用非靜態的成員變量，否則會發生數據邏輯混亂。正因為單...
2022-02-23 06:24:32
您好，我需要在 DRAM 中的絕對地址中創建變量。我使用了一種骯臟的方法來做到這一點。sections.ld代碼：全選config :{. = ALIGN(4);KEEP (*(.config
2023-03-01 08:08:14
memory controller? When I modified example design by replacing DRAM controller with BRAM controller
2019-04-04 15:10:55
Flash存儲芯片。現急招Memory IC Designer，有Nand Flash / NOR/NOR SPI / EEPROM, DRAM等存儲IC模擬或者數字設計經驗人員。公司剛剛成立，上升
2015-01-09 16:37:07
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現。
2021-04-28 07:10:38
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
: Read Only Memory只讀存儲器，掉電保持數據。只能從中讀取數據，不能向里面寫數據。在單片機中主要用來存儲代碼和常量。2、RAM：Random Accsess Memory可讀可寫，掉電丟失數據。可讀可寫分為SRAM 和 DRAM讀寫速度：ROM
2022-01-11 06:25:18
C6748 上電時默認L1DRAM全部為cache，1、那么如果我在程序中沒有對 L1DRAM進行操作或配置，程序運行時L1DRAM中的數據是否會有變化？2、L1DRAM作為 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
memory controller(EMC)模塊的作用和工作方式?搞不懂這個模塊的作用,作為軟件開發人員,在自己的程序中什么情況下需要特別關注這個模塊的相關寄存器嗎?3 在該文檔中還有單獨的一個章節叫
2018-12-29 11:39:51
//25MHz時鐘進行分頻閃爍，計數器為26位led_controller#(26) uut_led_controller_clk100m( .clk(clk_100m), //時鐘信號
2019-04-09 02:23:10
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存
2008-08-05 11:41:30
0 an overview of the MPC106 PCI bridge/memory controller(PCIB/MC). It includes the following:• An overview of MPC106 feat
2009-04-01 21:21:5331 the memory standard in many designs. They provide substantial advances in DRAM performance. They synchronously burst data at clock
2009-05-14 11:03:4228 SDR SDRAM Controller
Synchronous DRAM (SDRAM) has become a mainstream memory of choice in embedded
2009-05-14 11:04:5846 ) synchronous dynamic random access memory (SDRAM) controller provides a simplified interface to industry standard SDR SDRAM. The SDR SDR
2009-06-14 08:51:4395 the memory standard in many designs. They provide substantial advances in DRAM performance. They synchronously burst data at clock
2009-06-14 08:55:3124 The CMOS bq2205 SRAM non-volatile controller with reset provides all the necessary functions
2010-10-23 23:43:2417 The UCD9224 is a multi-rail, multi-phase synchronous buck digital PWM controller designed
2010-11-10 15:47:3929 DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術門檻
市場研究機構DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預期下，相繼投入產能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求
2009-11-17 10:10:49590 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很
2010-01-07 10:00:451224 什么是AM (Associated Memory)
英文縮寫: AM (Associated Memory)
中文譯名: 聯想存儲器
2010-02-22 10:16:51961 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機存貯器)是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態隨機存儲器"。。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，
2010-03-24 16:17:211587 什么是Flash Memory Flash Memory即快擦型存儲器，在
2010-01-07 10:00:211433 關于新一代LPDDR3移動DRAM技術,三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業首次開發30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后，不到九個月又成功開發出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術的新一代產
2011-09-30 09:30:132176 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產品線，各產品線主要終端應用產品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產品總市場需求，DIGITIMES預估
2011-10-28 09:39:003382 AMD日前表示，該公司已經推出了家用電腦專用的自有品牌記憶體模組。超微的新AMD Memory品牌DRAM模組將會提供2GB、4GB與8GB等版本。
2011-11-30 09:15:47526 Abstract: The DS1877 SFP controller allows various programming options to configure the alarms
2011-12-21 17:34:470 全為公司開發設計用的IC資料，memory選型
2016-12-13 23:14:588 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
在 DRAM Storage Cell 章節中，介紹了單個 Cell 的結構。在本章節中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:4610 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
3.2.1 memory文件匯總
2018-04-10 10:07:1110 MEMORY+ 論壇中首次揭露，正在研發的 DRAM 技術基礎是授權自曾經叱咤全球的德系存儲大廠奇夢達（ Qimonda ），此番宣言恐讓手舉專利大刀準備砍下去的美光（ Micron ）、三星電子（ Samsung Elecgtronics ）十分錯愕。
2019-05-17 17:00:388697 DRAM廠商在面對DRAM價格不斷下跌的困境下，已經在考慮導入EUV技術用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實現DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動態隨機存取存儲器。主要運用在對功耗要求不太高、系統緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統。
2020-07-16 10:39:174628 半導體存儲器已經得到了廣泛的應用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新，才可以保存數據，SRAM只要存入數據了，不刷新也不會丟掉數據。DRAM和SRAM各有各的優勢及不足，本文探討的DRAM和NAND當前面臨的技術挑戰及發展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設計出來的嗎？如果你對DRAM以及本文即將要闡述的內容具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
那么，像Spin Memory這樣的MRAM公司在DRAM領域能做什么呢？事實證明，開發超高密度、高性能MRAM存儲與垂直外延晶體管有很大關系，這在DRAM設計中非常有用。特別是，它們可以消除行錘攻擊，這些攻擊在較新的DRAM設計中可能是慢性的。
2020-11-02 10:15:352576 ，Memory故障仿真與測試生成， Memory參數測試， Memory冗余和repair機制 ， Memory DFT技術， Memory測試機
2020-11-30 08:00:000 EE-418: ADSP-2156x Board Design Guidelines for Dynamic Memory Controller
2021-01-30 13:53:231 本篇，我們繼續對Intel的第三大技術支柱——Memory進行回顧。 Intel認為存儲器性能的增長在過去的40年中一直保持線性增長，因此無法跟上指數級增長的算力發展。 Memory指的是短期存儲
2021-05-11 15:01:473202 
英特爾已經公開討論了一年多的Optane DC Persistent Memory Module（PMM），體現了一種新的以數據為中心的體系結構，在這個體系結構中，PMM位于DRAM和Optane
2021-11-09 18:35:598 Cortex-M4 存儲模型（Memory Model）與MPU（Memory Protection Unit）
2021-12-04 13:21:0912 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 電子發燒友網站提供《Brocade Fabric技術與Violin Memory FSP 7300閃存陣列.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:54:150 DRAM制造技術進入10nm世代（不到20nm世代）已經過去五年了。過去五年，DRAM技術和產品格局發生了巨大變化。因此，本文總結和更新了DRAM的產品、發展和技術趨勢。
2023-11-25 14:30:15538 
dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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