華邦推出業(yè)界首創(chuàng)的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,為新型行動網(wǎng)絡(luò) NB-IoT 模塊的設(shè)計人員提供正確的儲存容量。
2020-06-23 14:19:121930 目前市面上NAND Flash的常規(guī)制程為2X~3Xnm,而江波龍采用的是16nm,更加先進(jìn)。同時內(nèi)置ECC(4bit/512Bytes)單元,省去了MCU做硬件或軟件ECC的功能,對Host端硬件糾錯能力要求降低。
2020-07-20 17:43:201298 華邦電子今日宣布,推出全新1.8V 512Mb SPI NOR閃存,可支持高達(dá)166MHz的標(biāo)準(zhǔn)SPI,Dual-SPI,Quad-SPI時鐘速率。
2021-06-17 10:57:173023 是否需要在512Mb之后開始,因為比特流提到的最小尺寸是512Mb2.如果我們選擇使用不同的microlaze圖像閃存(不是存儲比特流的圖像),我們可以使用FPGA和Vivado工具對此閃存進(jìn)行系統(tǒng)內(nèi)編程,還是需要預(yù)先編程的Flash?謝謝Sujith
2020-05-15 07:07:22
NAND512R3M0 - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R3M0AZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R3M0CZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R3M2BZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R3M5AZC5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R3M5CZC5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M2AZB5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M2AZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M2AZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M2CZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M2CZC5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M3 - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M5CZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512R4M5CZC5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M2 - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M2AZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M2BZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M2CZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M2CZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5AZB5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5AZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5BZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5BZC5E - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5BZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5CZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W3M5CZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W4M0AZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W4M0CZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W4M2BZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W4M5CZB5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
NAND512W4M5CZC5F - 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP - STMicroelectronics
2022-11-04 17:22:44
固化U-Boot到SPI FLASH和固化文件系統(tǒng)到NAND FLASH。固化成功后,評估板即可從SPI FLASH啟動U-Boot,然后從NAND FLASH加載內(nèi)核、設(shè)備樹和文件系統(tǒng)。SPI
2020-09-08 10:56:52
產(chǎn)品,如今正在量產(chǎn)中,19nm生產(chǎn)96層256Mb的3D NAND Flash,將在明年實現(xiàn)。疫情帶來的影響還在持續(xù),遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動數(shù)據(jù)中心需求,而消費類電子產(chǎn)品的平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程
2020-11-19 09:09:58
板載256MB的NAND Flash,其扇區(qū)大小為128KB,uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中,NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注:板載核心板以具體實物為準(zhǔn),如不
2021-12-15 06:34:30
Mbit,區(qū)域 #4 和 #8 用于 NAND。這是否意味著最多只能使用 2x512Mb NAND?還是像 AXI 512Mb 和 IP 接口 512Mb?
2023-03-31 07:47:22
了很多年,近些年隨著產(chǎn)品小型化的需求越來越強烈,并且對于方案成本的要求越來越高,SPI NAND flash逐漸進(jìn)入了很多工程師的眼中。如果采用SPI NAND flash的方案,主控(MCU)內(nèi)可以
2018-08-07 17:01:06
Flash按照內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)的不同,可以分為哪幾種?Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別?SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里?
2021-06-18 08:46:32
一般可通過PAD連接閃存,比如Cadence公司的Octal-SPI NAND Flash controller, 支持8-bit的數(shù)據(jù)和地址傳輸,這樣的速度會比傳統(tǒng)的單比特串行SPI快很多。因為
2022-07-01 10:28:37
,尺寸小,焊接穩(wěn)定。是WSON-8的封裝,6x8mm的尺寸。PIN少,尺寸小,既能節(jié)約PCB板的面積,降低成本,還能讓最終產(chǎn)品做的更小。 第三,容量合適。目前量產(chǎn)容量有128MB、512MB,后期
2019-09-24 15:07:41
sector erase和256 bytes page program和read data(512 byte)的華幫SPI_FLASH(型號W25Q128BV 16MB)向上層提供一個扇區(qū)讀寫的轉(zhuǎn)換
2019-12-23 09:17:21
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-28 16:51 編輯
關(guān)于DM8127的NAND FLASH,有兩個問題請教一下:1、DM8127的NAND FLASH是否最大支持512MB
2018-05-28 13:30:39
請教各位大俠,哪些產(chǎn)品能用到512Mb NOR Flash
2012-08-03 16:13:15
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:02 編輯
TI專家,各位朋友:OMAPL138 EMIFA CS3的地址空間是32M,我看CS3上掛的是512M Byte的NAND FLASH,32M的地址空間,是如何訪問512M Byte的NAND FLASH的呢?謝謝!
2018-06-21 11:55:06
。是WSON-8的封裝,6x8mm的尺寸。PIN少,尺寸小,既能節(jié)約PCB板的面積,降低成本,還能讓最終產(chǎn)品做的更小。 第三,容量合適。目前量產(chǎn)容量有128MB、512MB,后期會推出1GB和4GB容量的SD
2019-09-29 16:45:07
的問題是:我可以在非DDR控制器上使用DDR芯片嗎?嘗試將512MB外部SDRAM添加到STM32H7是否很瘋狂?或者為什么很難找到符合這些標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存模塊?或許Quad-SPI Flash更合適嗎?我擔(dān)心它對于音頻延遲應(yīng)用來說太慢了。
2018-09-25 16:57:42
NAND 主流容量128MB和512MB,256MB 比較少用,因為價格跟512MB的相差不大。5,SD NAND的讀寫速度更快。Icthink品牌SD NAND與SPI NAND的對比今天跟大家聊聊
2022-07-12 16:44:15
USB slave例程中想把SPI flash的部分去除掉,但是去除了整個程序就不能實現(xiàn)模擬U盤的功能,求告知//最大支持的設(shè)備數(shù),2個#define STORAGE_LUN_NBR2int8_t
2020-03-18 23:13:14
MODULE FLASH NAND SLC 512MB
2023-03-29 19:25:34
這是我的nand flash測試的結(jié)果,第五個是0xbc位值如下bit3/2是11表示plane number是8,bit6/5/4是011表示plane size是512Mb。那么這款芯片的容量
2019-03-07 07:45:07
PCB板的面積,降低成本,還能讓最終產(chǎn)品做的更小。 第三,容量合適。目前量產(chǎn)容量有128MB、512MB,后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND。客戶可以根據(jù)自己的實際需求選擇合適的容量
2019-09-26 15:15:21
我正在使用 stm32mp157c 并正在初始化 mtd nand flash w25n512。我的內(nèi)核菜單配置中的第 3.1.2 章沒有選擇“支持大多數(shù) SPI 閃存芯片(AT26DF、M25P、W25X,...)”。我沒有打開應(yīng)該打開的部分,還是有其他問題?
2022-12-13 08:03:13
sys_boot引腳選擇從nand啟動(產(chǎn)品上添加了MT29F4G08 SLC NAND Flash,容量512MB,位寬8bitnand芯片),引導(dǎo)應(yīng)該做哪些修改?才能正確啟動?
2016-10-11 16:25:43
。 第三,容量合適。目前量產(chǎn)容量有128MB、512MB,后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND。客戶可以根據(jù)自己的實際需求選擇合適的容量,降低成本。 第四,簡單易用。CS品牌SD NAND
2019-10-15 17:01:27
文章目錄1、存儲芯片分類2、NOR Flash 與 NAND Flash的區(qū)別3、什么是SD卡?4、什么是SD NAND?5、SD NAND的控制時序6、FPGA實現(xiàn)SD NAND讀寫6.1
2022-12-16 17:18:37
嗨, 在我的設(shè)計中,我使用了MT46H32M16,512Mb LPDDR RAM,我可以將它連接到我的斯巴達(dá)設(shè)備,并運行128Mb的meory測試(由EDK提供)。現(xiàn)在我想測試整個內(nèi)存512Mb
2019-07-15 08:53:30
1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2022-01-26 07:58:57
復(fù)雜(很多就是2層板),SD NAND的這種封裝可以產(chǎn)品的PCB板繼續(xù)簡單且小巧。 CS品牌SD NAND容量是128MB、512MB,后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND.客戶可以根據(jù)自己
2019-10-10 16:55:02
請教下MIPS32處理器是否支持256MB以上物理RAM?內(nèi)核配置開了highmem還不能識別512MB
2020-05-28 11:57:37
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:48 編輯
從trm的表中可以看到AM335x對nand的支持是從512Mb到64Gb,我想問的是小于512Mb和大于64Gb的nand
2018-06-20 07:07:39
您好: 請問如何去掉SPI NAND FLASH,僅用EMMC工作?這樣可以少些成本。
2022-06-20 09:27:06
不用寫驅(qū)動程序自帶壞塊管理的NAND Flash(貼片式TF卡),尺寸小巧,簡單易用,兼容性強,穩(wěn)定可靠,固件可定制,LGA-8封裝,標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口,兼容SPI/SD/eMMC接口,兼容各大MCU
2022-06-17 17:19:36
和 WINCE 系統(tǒng)下 NAND Flash 驅(qū)動的設(shè)計與實現(xiàn) 并且詳細(xì)描述了 如何調(diào)整處理器存儲控制器的寄存器來控制 NAND Flash 的讀寫時序 以達(dá)到對其讀寫速度進(jìn)行優(yōu)化的目的。
2016-03-14 16:01:232 K9F1208是Samsung公司生產(chǎn)的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存儲器
2016-07-12 18:32:530 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die,以及提高新工廠的產(chǎn)出量,2018年三星將全面向3D NAND普及,美光預(yù)計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 SPI一種通信接口。那么嚴(yán)格的來說SPI Flash是一種使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。
2018-09-18 14:38:46100919 SPI一種通信接口。那么嚴(yán)格的來說SPI Flash是一種使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。
2018-09-19 10:54:5817927 SPI Flash 首先它是個Flash,Flash是什么東西就不多說了(非易失性存儲介質(zhì)),分為NOR和NAND兩種(NOR和NAND的區(qū)別本篇不做介紹)。SPI一種通信接口。那么嚴(yán)格的來說SPI
2018-10-07 11:29:006960 SPI一種通信接口。那么嚴(yán)格的來說SPI Flash是一種使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAND。
2018-10-07 11:32:0022329 ARM Cortex-A5內(nèi)核處理器ATSAMA5D42/ATSAMA5D44,主頻高達(dá)600MHz
512MB DDR2 SDRAM,32bit數(shù)據(jù)總線
512MB Nand Flash
2019-11-06 17:47:001833 三星在該工廠主要量產(chǎn)用于智能手機,PC,服務(wù)器等領(lǐng)域作為數(shù)據(jù)處理設(shè)備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是,通過垂直結(jié)構(gòu)堆疊電路提高儲存容量的 3D Nand Flash 芯片便在此生產(chǎn)。
2020-03-20 16:03:57506 NAND解決方案(eMMC)的閃存,以及模擬和混合信號集成電路。ISSI代理宇芯電子提供高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品,一直是致力于存儲器產(chǎn)品的長期供應(yīng)商。并為客戶提供技術(shù)及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等。 對ISSI汽車級512Mb串行(SPI)NOR閃存產(chǎn)品支持-40C至125C的寬工作溫度范圍,使其非
2020-08-27 10:14:23630 Nand flash是flash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 PRO, 980 PRO采用三星1XX層 TLC NAND閃存,以及容量分別為512MB和1GB的DRAM緩存,通過內(nèi)部設(shè)計,可充分發(fā)揮PCIe Gen4的潛力。數(shù)據(jù)顯示,三星
2020-11-04 14:17:5915347 的NAND-based MCP。 FORESEE NAND-based MCP,就是nMCP,是一款多芯片封裝的微型存儲產(chǎn)品。nMCP我們知道的也不少,那FORESEE的這一款好在哪呢?下邊我就詳細(xì)和大家聊聊。 這款
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2021-11-26 19:21:1222 目錄存儲顆粒與外部控制器常見的flash對比內(nèi)置還是外接Flash使用難度flash選擇總結(jié)NAND Flash被淘汰的原因EMMC的優(yōu)勢存儲顆粒與外部控制器flash內(nèi)部有一個存儲顆粒
2021-12-01 19:51:1724 1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實現(xiàn)ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 ,能夠極大地幫助客戶降低整機系統(tǒng)成本,并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前,FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn),在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用
2022-08-22 10:51:38396 產(chǎn)品”。 (“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品) 根據(jù)主辦方公布的評選規(guī)則,該獎項 僅面向近一年內(nèi)研發(fā)成功,技術(shù)創(chuàng)新性強、有自主知識產(chǎn)權(quán)、促進(jìn)完善供應(yīng)鏈自立自強并產(chǎn)生效益的單款芯片產(chǎn)品。 ? 本次參與評選的FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā),是中國大陸首款512Mb容量并實現(xiàn)大
2022-12-08 22:55:05614 在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域,作為存儲設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash,大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式,也就是把數(shù)據(jù)線,地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 整機系統(tǒng)成本,并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前,FORESEE512MbSPINANDFlash已全面量產(chǎn),在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用
2022-08-25 10:56:30397 近日,由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的2022年第十七屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品評選結(jié)果揭曉,FORESEE512MbSPINANDFlash存儲芯片脫穎而出,當(dāng)選“優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品”。(“中國芯”優(yōu)秀
2022-12-09 10:45:51341 據(jù)報告顯示,NAND Flash的第四季度合約價全面上漲,漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報告中預(yù)計,第四季度NAND Flash的均價有望持平或小幅上漲,環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季度合約價全面起漲,漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724 為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58647
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