在我們的項目中，時常會有參數或數據需要保存。鐵電存儲器的優良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現及使用。
2022-12-08 14:56:55
1116 
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51521 
多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術，可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
和非易失性存儲器就萬事大吉了么？令人糾結的是，有一種新的存儲器，它既是非易失的，同時又是能夠高速隨時讀寫數據的，也就是說能夠隨機存取的。這種存儲器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器：用來存放計算機中的所有信息：包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等。 只讀存儲器（ROM）：只讀存儲器在使用時，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
主頻較高時對應使用快速型邏輯芯片（F系列）。結語FRAM產品為我們提供了可使用的存儲器的一種新選擇，在原來使用E2PROM的應用中表現會更出色，為某些原來認為需要使用SRAM的E2PROM的應用系統
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數，掉電數據可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結構容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
狀態取反寫入存儲器。如果讀出狀態不在車庫內，則產生刷進脈沖，在車庫內刷出。大致思路是這樣，用74LS123進行延時，延時信號觸發存儲器的讀寫端，數據通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
MSP430FR 系列MCU 來實現多功能雙接口存儲器的方法。相比傳統存儲器(例如FLASH，SRAM，EEPOM)，FRAM集合了更多的優勢，擁有更強大的功能。利用MCU的靈活性，用戶可以設計出功能
2019-06-13 05:00:08
半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數據讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關閉電源后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
，FRAM的高速運行速度整體處理，允許寫入非易失性存儲器進行全速而不是強迫MCU進入等待狀態或阻塞中斷。 TI的FRAM微控制器系列的延伸，如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列設備
2016-02-25 16:25:49
EEPROM或閃存提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。FRAM的優勢與基于閃存的傳統系統相比，FRAM可提供優異的保留性與耐用性。采用閃存，數據按晶體管充電狀態存儲（如開或關）。寫入閃存
2014-09-01 17:44:09
的讀取和寫入。您可以使用行業標準串行外設接口（SPI）總線訪問存儲器。在功能級別上，F-RAM的運行方式與串行閃存和串行EEPROM類似。 CY15B104Q與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于F-RAM卓越的寫入性能，高耐用性和低功耗
2020-07-22 10:30:31
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術的飛速發展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
/383681#M3607我要將數據矩陣存儲在fpga而不是LUT的塊存儲器中作為內存！因為基于我編寫的代碼中的上述鏈接，它使用LUT作為內存而不是fpga的塊內存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲像素數據。能否指導我如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣？謝謝
2019-11-07 07:30:54
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用？
2021-07-11 06:09:49
快 1000 倍。 此外，與需要兩步（寫入命令和隨后的讀取/驗證命令）才能寫入數據的 EEPROM 不同，FRAM 的寫入操作與讀取操作發生在同一過程中。 只提供一個存儲器訪問命令，實現讀取或寫入功能
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
變更來完成數據內存與程序內存的分區）。FR57xx 系列突破了現有的存儲器功耗及可寫入次數限制，使得開發人員能夠憑借功能更多、連續工作時間更長的新產品所擁有的更高性價比的數據錄入、遠程感測和無線升級能力
2011-05-04 16:37:37
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311這個單片機的fram存儲地址是什么還有如何設置
2021-06-06 18:21:25
汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
虛擬存儲器具有哪些功能呢？虛擬存儲器的特征有哪些呢？
2021-12-23 09:04:39
功能介紹2.1 MSP430FRXX 系列MCU簡介TI 公司最新一代MSP430FRXX系列MCU 采用了FRAM作為代碼和數據存儲器，替代傳統MCUFLASH+SRAM 的結構，并且其FRAM帶有
2019-06-12 05:00:08
、9uA就可以把數據寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數據到Flash等傳統存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數據次數來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
半導體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統的設計復雜性和相關的數據可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數據。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
存儲器的寫入次數可達一億億次，這幾乎可以認為是無限次； iii. 超低功耗。FRAM的靜態工作電流小于10μA，讀寫電流小于150μA。2.1.2FM25640與MCU的連接圖 上圖是一款適用于電表
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導體技術
2011-11-21 10:49:57
（Smart VoltageRegulator）；另一種方法是通過給控制柵加上負電壓（-10V左右），擠出浮置柵中的電荷（負極門擦除法）。各種電壓提供方式如圖 3 所示。圖 4 圖示了閃速存儲器單元的電壓
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 EERAM是一款獨立的SRAM存儲器，同時在這同一個芯片上還包含了EEPROM影子備份，有助于在系統斷電時自動保留SRAM存儲器中的內容。EERAM提供對陣列的即時隨機寫入功能，沒有寫入周期延遲。I
2016-10-19 14:41:321034 FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。
2017-03-28 18:05:301459 與傳統非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
這是一個256bit的非易失性存儲器FM25L256采用先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性和執行讀取和寫入內存一樣。它提供了可靠的數據保持10年，同時消除了復雜性，開銷和系統級的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲器。
2017-11-03 17:15:34124 選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數據寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。 框圖 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16777 FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。 這些吸引人的特性
2020-08-13 16:49:10457 FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數據保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 寫操作變慢;所有寫操作按總線速率 進行，并非基于存儲器延遲。下面兩個實例和圖1說明寫延遲的影響。 實例1： 需要2毫秒將256字節的頁面數據通過1MHz 1C總線從控制器傳輸到EEPROM頁面內。然后需要5毫秒將數據寫入到EEPROM內。具有密度為1Mbit和頁面大小為256個字節的
2020-09-28 14:45:23562 
新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億
2020-11-17 16:33:39571 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 半導體存儲器芯片中的只讀存儲器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態下只能讀取數據，不能即時修改或重新寫入數據。
2020-12-28 15:33:035983 獨特性能成就技術“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器，FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域，以及醫療
2021-04-26 15:49:16689 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經應用于IC卡和MCU中，預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點，符合科創板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點，FRAM在此領域迅速占領了市場；隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得FRAM受到廣泛應用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統中。
2021-05-12 16:52:49616 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲器。邏輯上將存儲器陣列組織為65，536×8位，并使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI
2021-06-08 16:32:20938 。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683 FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 富士通FRAM是新一代非易失性存儲器，其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲器，性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億
2021-11-05 17:35:5918 FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數據保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:091455 FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質，利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
主要的非易失性存儲器技術包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統SRAM的速度提供非易失性存儲。功能操作類似于串行EEPROM，主要區別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲器以I2C接口的速度讀取或寫入。在寫入期間，無需輪詢設備以查找就緒條件。
2023-01-11 15:24:35483 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39254 TBW是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:38:09404 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:34:02892 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
電子發燒友App
工商網監
評論