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電子發燒友網>存儲技術>FM24xxx系列FRAM存儲器的驅動設計與實現

FM24xxx系列FRAM存儲器的驅動設計與實現

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2021-04-08 15:42:02824

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16689

鐵電存儲器FRAM的優劣勢

FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點,符合科創板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107

2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統市場的業務覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:021561

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復位,看門狗定時器,非易失性事件計數器,可鎖定的64位序列號區域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器

引起的復雜性,開銷和系統級可靠性問題。并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲器。邏輯上將存儲器陣列組織為65,536×8位,并使用行業標準的串行外圍設備接口(SPI
2021-06-08 16:32:20938

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器存儲器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業標準的串行外圍設備接口(SPI)總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器FRAM是非易失性的,并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565

ST系列FRAM MCU開發方案

便攜式和無線傳感應用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046

非易失性存儲器FRAM的常見問題解答

什么是FRAMFRAM(鐵電隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取存儲器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲器FRAM

鐵電存儲器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時寫入功能的FRAM存儲器

FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327

復旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲器新品

下一階段,復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器系列產品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅動外部的存儲器

電子發燒友網站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅動外部的存儲器.pdf》資料免費下載
2023-09-21 10:03:500

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