氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現快充。
2021-12-30 15:06:091364 納微半導體今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片,已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發布的K50冠軍版電競手機所標配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021264 GaNFast?功率芯片為一加ACE手機實現超快充,電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS),氮化
2022-08-12 16:36:508132 來源 華西證券編輯:智東西內參作者:吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯網時代的來臨,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導體市場有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料,是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比,氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者,其禁帶寬度達到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
新的射頻開關設備從門洛微電子提供25瓦功率處理和一個集成電荷泵驅動電路隨著5G 網絡服務部署到全球各地,對6GHz 以下頻段(尤其是 C 波段)的需求正在上升。這種中帶5G 網絡依賴于包括先進波束
2022-06-13 10:34:18
的機遇。半導體業在先進制程繼續發威、5G芯片競爭也進入白熱化階段。高階半導體也愈戰愈勇、再加上國內去美國化趨勢繼續等五大支柱支撐下,2020年第一季景氣淡季不淡的輪廓似乎日趨顯著。半導體設備的發展預示
2019-12-03 10:10:00
也有更好的表現。模擬IC應用廣泛,使用環節也各不相同,因此制造工藝也會相應變化。砷化鎵(GaAs):無線通信核心材料,受益5G大趨勢相較于第一代硅半導體,砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性,因此
2019-05-06 10:04:10
5G 的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率在半導體層面上,硅基氮化鎵的主流商業化
2019-07-05 04:20:15
5000強勁組合,運行內存8GB、機身存儲256GB。國產另一款5G手機,中興天機Axon 10 Pro 5G搭配12GB+256GB 驍龍855 支持NSA制式,而在存儲方面提供
2019-08-17 10:10:01
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率。5G的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。在半導體層面上,硅基氮化鎵的主流商業化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率。5G 的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。
2019-08-16 07:57:10
對于大規模MIMO系統而言,第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan,MACOM高級業務開發和戰略營銷經理解說道,向5G移動網絡的推進不斷加快
2019-08-02 08:28:19
個單獨元件組成的組件相比,可以更容易地對電路板進行返工。第4代氮化鎵優勢就半導體層面而言,第四代硅基氮化鎵(Gen4GaN)已經作為LDMOS的明確替代者來服務于針對5G部署的下一代基站,尤其對于
2017-08-03 16:28:14
的組件相比,可以更容易地對電路板進行返工。第4代氮化鎵優勢就半導體層面而言,第四代硅基氮化鎵(Gen4 GaN)已經作為LDMOS的明確替代者來服務于針對5G部署的下一代基站,尤其對于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
: (點擊圖片跳轉至“5G宗師”漫畫)首先介紹「波束賦形技術」,作為5G的難點場景之一,高鐵等高速移動場景非常考驗芯片的通信能力。在麒麟芯片的眾多5G技術中,「波束賦形」就是其中之一。 另外,麒麟還
2020-05-13 09:04:01
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表,相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多,制造成本更為高昂,可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
最高可達100W (20V/5A),大幅縮短充電時間,因此,大功率充電器需求量增加在未來是可預期的。隨著電源功率的提高,電池勢必變得體積更大、重量更重,因此業界在半導體構造及封裝的研究與改良上,持續
2018-10-23 16:12:16
天線:MassiveMIMO和新材料將應用5G封測:各大封測廠積極備戰5G芯片化合物半導體迎來新機遇電磁屏蔽、導熱材料獲得新市場空間
2020-12-30 06:01:41
元,并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日,聯想官方在電商平臺發起氮化鎵快充價格戰,YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價僅需 59.9元。這是一款正兒八經的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點;納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨,各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期,一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會,使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
目標應用。而在其最明顯的缺陷當中,值得一提的是,砷化鎵只能提供有限的功率輸出(低于 50W),而 LDMOS 受限于較低頻率(低于 3GHz)。正當砷化鎵和LDMOS在功率和頻率上顯現出缺憾之時,氮化鎵
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
應用的發展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術革新過程,為射頻半導體行業開創了一個新時代。通過與ST達成的協議,MACOM硅基氮化鎵技術將獲得獨特優勢,能夠滿足未來4G LTE和5G無線基站基礎設施對于性能
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
閃充模式。給一加 7 Pro手機充電,ChargerLAB POWER-Z KM001C顯示充電電壓4.47V,電流3.72A,充電功率約為16.6W,手機已經進入了DASH閃充模式。同樣使用這套方案
2019-09-02 09:47:05
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
板上看出,得益于使用合封氮化鎵器件,芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續輸出,并且合封將控制器和開關管集成在一顆芯片內,初級的元件也十分精簡,可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。鈺泰半導體
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例:高密度手機充電器?應用實例:高性能電機驅動器?應用示例;高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
已經有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶采用。為了保證供應,MACOM不久前還與ST簽署了合作協議。從中可以看出,往后具有更大集成效能的半導體材料應用或將走向歷史的中央舞臺。5G促使企業加速國內本土化進程目前
2019-01-22 11:22:59
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多:半導體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
技高一籌。 OPPO超級閃充、VOOC閃充、普通充電速度對比 仔細觀看這段快充視頻可以發現,測試的手機是從電量5%開始充電,充到100%用了10分鐘左右時間,而官方宣傳中說的是15分鐘可以充滿
2018-10-09 14:39:10
)
1: A1(22.5W)A2(22.5W)C1(100W)單口單獨使用的
時候都可以快充。
2:
A1+A2 = 22.5W+22.5W
3:
A1+C1 =5V+5V
(這是同一路的都是轉 5
2023-09-07 15:26:56
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理莫先生:***V信歡迎行業客戶聯系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合
2021-12-27 15:02:50
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵發展技術編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設計和集成度,已經被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計,如果全球采用硅芯片器件的數據中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容,開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力,電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后,氮化鎵充電器的開關頻率,已經從 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授,一直在從事高品質的半導體研究,這一次,我們就氮化鎵的研發情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響,森教授進行了訪談。目前,功率半導體的應用廣泛,其
2023-02-23 15:46:22
行業標準,成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵,是創造出接近“理想開關”的電路構件,即一個能將最小能量的數字信號,轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統的硅,可以在更小的器件空間內處理更大的電場,同時提供更快的開關速度。此外,氮化鎵比硅基半導體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
流,但隨著5G的到來,砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
12月10日入手的一加8T,使用標稱65W WARP閃充的原裝充電器進行充電功率測試。時間充電量 (%)充電功率(W)預計剩余充電時間(分鐘)11:34963.593511
2021-09-14 07:17:13
概述:NV6127是一款升級產品,導通電阻更小,只有 125 毫歐,是氮化鎵功率芯片IC。型號2:AON6268絲印:6268屬性:分立半導體產品 - 晶體管封裝:DFN-8參數FET 類型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領域,但是大部分時候是應用層面的問題,和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
采用GaNFast?功率半導體的高效有源箝位反激變換器的設計考慮
2023-06-21 06:24:22
當提到 5G 的承諾 – 小于 1 毫秒的延遲、100 倍的網絡能量效率、20 Gbps 的峰值數據速率以及10 Mps/m2 的區域流量容量,提供商們仍大有可為。5G 預定在 2020 年進行商業發布,預計可以提供所有這些顯著的優勢,包括更“綠色”和高效的通信網絡。
2019-07-26 07:56:47
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
帶半導體,相比常規的硅材料,開關速度更快,具有更高的耐壓。在降低電阻的同時,還能提供更高的過電壓保護能力,防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關管取代兩顆串聯的硅MOS,氮化鎵低阻抗優勢可以
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
通QC5認證100W氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級閃充氮化鎵充電器、聯想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數十款大功率充電器
2023-06-16 14:05:50
流,但隨著5G的到來,砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是,GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體,可承受更高的工作電壓,意味著其功率密度及可工作溫度更高,因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
,方便使用并提升產品的競爭力。智融擁有大功率車充一站式解決方案,協議支持非常全面且集成度高等優勢。一、智融發布100W車充芯片SW7203智融SW7203是一顆單電感高效率四管同步升降壓控制器,支持雙向輸出
2022-02-28 11:25:42
POWER-Z KT001顯示充電電壓4.89V,電流3.71A,充電功率約為18W,手機已經進入了VOOC低壓閃充模式。給一加 7 Pro手機充電,ChargerLAB POWER-Z KM001C
2019-08-27 15:44:57
科技這款100W移動電源參考設計采用單路雙向同步升降壓,USB-C接口支持雙向充放電,USB-A口支持快充,當雙口同時輸出時為5V輸出。參考設計采用SW7201同步升降壓控制器搭配SW2505協議芯片
2023-09-18 15:52:03
OPPO手機充電,ChargerLAB POWER-Z KT001顯示充電電壓4.89V,電流3.71A,充電功率約為18W,手機已經進入了VOOC低壓閃充模式。給一加 7 Pro手機充電
2019-09-16 13:58:16
,以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1:氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體,于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計,2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體,如果不妥,請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件,憑借其優異的性能,在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潛心研發
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
由于5G商用的到來,光通信領域將在2020大放異彩。就光通信設備來說,其上游包括了光模塊、光有源器件、光無源器件以及光芯片等細分業務。產業鏈上下游100G光模塊規模商用已成定局,同時運營商初步
2020-03-05 14:13:28
的GaN Systems卻獲得了與GaN加SiC比翼齊飛的納微半導體的相近估值,可見如筆者之前的分析《又一家公司被收購,留給對手的時間不多了》,海外市場碳化硅和氮化鎵的優質標的真的所剩不多了。
2023-03-03 16:48:40
納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關信息,并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:211267 氮化鎵作為下一代半導體技術,其運行速度比傳統硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術,集成了氮化鎵功率場效應管(GaN Power[FET])、驅動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131627 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度,將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561497 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)正式發布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:311706 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克代碼:NVTS)宣布
2022-07-01 14:39:401412 一步,推出采用GaNSense?技術的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片,為氮化鎵技術的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統的硅,節能又減排 眾所周知,硅作為晶體管的首選材料,一直是半導體科技的基
2023-02-21 14:57:110 領導者納微半導體(Navitas Semiconductor)(納斯達克股票代碼:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路,
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性,同時增加了
2023-02-22 13:48:053 進入三星進供應鏈:納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導體技術,氮化鎵正持續取代傳統硅功率芯片在移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車的市場份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸,分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:31609 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04307
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