9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會
2019-12-13 10:46:0711441 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創建3D NAND閃存的后繼產品，與QLC NAND閃存相比，該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據報道，Kioxia已告知其客戶，其一家工廠的生產工具在星期二早些時候著火了。據生產合作伙伴西部數據（Western Digital）稱，這場大火被迅速撲滅，沒有人員傷亡的報道，并且對合資公司
2020-01-11 06:00:005483 昆騰宣布已從西部數據（Western Digital）收購ActiveScale對象存儲業務。Western Digital的ActiveScale云存儲解決方案用于存儲需要大量廉價，快速和可靠
2020-02-12 01:32:001473 Western Digital和Kioxia宣布成功開發了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:005791 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:23988 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲
2020-09-11 10:03:292569 KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達成一座新的里程碑——2022年是公司發明NAND閃存的35周年。 ? ? 回溯到1987年，人們很難想象這項當時的全新技術會以何種方式影響世界。NAND閃存開創了一個嶄新的技術時代，并淘汰了使用多年的技術和產品——在不同方面改變了人們的生活
2022-04-25 18:26:212196 
11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:162883 Kioxia（鎧俠）和西部數據宣布，雙方合作開發了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業建立20年合作關系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術。 Kioxia首席技術
2021-02-20 15:30:152151 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
SLC NAND Flash有8Gb的MX60L系列，512Mb-4Gb的MX30L系列；在工控產品和通信產品中，有MX30U/L、MX60U/L系列；而3D NAND Flash， 48層128Mb
2020-11-19 09:09:58
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉45度，自己填加的3D模型旋轉45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向導畫的模型會和PCB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫，及PCB怎么導出3D圖，請教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
科技，ALI揚智科技，Kioxia鎧俠，Western Digital西部數據，Kingston金士頓,lnfineon英飛凌+CYPRESS,GiqaDevice兆易創新,Rockchip瑞芯微，AW全
2021-12-02 12:40:02
Stero 3D的3D功能。有一個討論這個問題的線程，有些人對此真的不滿意嗎？在播放藍光3D時，這會如何影響3D功能？任何人都可以更廣泛地解釋這一點，最好是英特爾的人。來自英特爾技術規范：“LSP 2.0
2018-10-26 14:52:52
3D NAND的生產狀況。之前西部資料制定過一個目標，希望今年采用BiCS 3技術生產的64層3D NAND能占到3D NAND產量的75%，不過現在這個數字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
6工廠，于2018年9月正式落成，主要是量產最新研發的96層3D NAND，這次西部數據宣布延后導入新設備，應是第二期設備，第一期已于落成時導入。不過，這次西部數據宣布四日市工廠將減少投入晶圓，可能是
2022-02-01 23:19:53
THGAF8G8T23BAIL閃存芯片THGAF8G9T43BAIR鎧俠宣布推出采用QLC NAND的嵌入式存儲UFS3.1產品。適用于需要高密度的應用，例如尖端智能手機，鎧俠的 QLC 技術能夠在
2022-01-25 08:37:22
SK海力士雖然并未有擴產消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經在新加坡工廠量產，將在2021年推出基于該技術的新產品，SK
2022-01-26 08:35:58
`批量快速打印不是夢是桌面3D打印機的8倍以上成型速度 4工位3D打印機打印尺寸：300*215*300 mm * 4噴頭 ⑴ 設備特性：可實現小批量的相同模型，不同材料和不同顏色的快速生產⑵ 設備
2015-12-18 16:37:06
pcb 3D導step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
）首先確定Mechanical層打開，因為3D Body只有在Mechanical層可有效放置成功。跳轉到Mechanical層，執行菜單命令“放置-放置3D元件體”，會出現如圖4-71所示的3D模型
2021-09-22 15:14:20
娛樂等，未來AI實時應用、分析、移動性，對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求，西部數據在2017年發布第四代96層3D NAND，Fab工廠每天可生產
2018-09-20 17:57:05
使用DLP技術的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個常見的3D打印工藝，與傳統打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似，3D打印機在連續的2D橫截面上沉淀數層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
親， 我第1次用ALLEGRO是版本是14.2，隨著軟件的升級，他也有3D的封裝庫。誰有，可以提供嗎？
2015-09-10 10:38:26
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品，可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品，這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合
2018-09-13 14:36:33
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫?復制到3D庫不能用.`
2013-08-21 12:42:02
以下是我的請求列表，
你能分享 8MPLUS-BB 的 3D cad 模型嗎？
我可以請求共享 8MPLUS-BB 的 Altium 設計文件嗎？
我們已經采購了 EVM 板，并計劃設計一個外殼。
2023-06-05 13:37:08
3D打印技術是綜合了三維數字技術、控制技術、信息技術眾多技術的創新研發技術，具有設計樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點。通過數字化設計工具+3D打印技術相結的模式，可以幫助企業高效實現創新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。據悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:554492 
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 ）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰一觸即發。什么是3D NAND閃存？從新聞到評測
2018-10-08 15:52:39395 11月15日， 國產知名SSD主控芯片原廠聯蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
Western Digital Corp.(NASDAQ：WDC)在RISC-V Summit大會上發表了三項創新的開源技術，專為支持Western Digital內部RISC-V架構開發專案，以及日益成長的RISC-V架構生態系統所設計的。
2018-12-23 10:04:204532 Western Digital 為推動ZB（ Zettabyte 皆字節）規模數據中心，最近公布了分區儲存（ Zoned Storage ）技術，包括ZNS NVMe SSD 及ZNS SSD 。
2019-06-24 15:54:115344 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791 根據消息報道，西部數據公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經開發成功，第五代BiCS 3D NAND已經開始以512 Gb顆粒形式生產，今年下半年可能會實現商業化量產。
2020-02-04 16:25:344317 Western Digital宣布將在其WD Red產品系列中增加三個新的NAS驅動器，旨在為依靠NAS驅動器滿足其存儲需求的小型企業和家庭辦公室提供更高的性能，耐用性，容量和可訪問性。
2020-03-11 16:19:252440 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:522653 長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:062793 全球第二大NAND型閃存廠商鎧俠（Kioxia）于官網宣布，其已于27日獲得上市許可，將在10月6日首次掛牌上市。這將是日本今年最大的IPO案，在鎧俠宣布得到上市許可后，其股東同天宣布擬出售部分
2020-09-09 17:04:461966 全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲
2020-09-11 11:12:341883 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變為電荷陷阱（charge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 日前，TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講，詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:132330 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:443030 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659 三星最大的競爭對手Kioxia在2020年第三季度的市場份額為21.4%。Western Digital的市場份額為14.3%，SK Hynix的市場份額為11.3%，Micron的市場份額為10.5%，Intel的市場份額為7.9%。
2021-01-22 14:15:262370 日本芯片制造商Kioxia開發了大約170層的NAND閃存，加入了與美國同行Micron Technology和韓國的SK Hynix的競賽。
2021-02-20 11:10:002580 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)和西部數據公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開發的新3D閃存技術的細節，展示了兩家
2023-04-03 09:52:37408 來源：KIOXIA鎧俠中國 為展示先進閃存技術的持續創新，鎧俠株式會社與西部數據公司今日（3月31日）發布了他們最新的3D閃存技術的細節，該技術目前正在備產中。該3D閃存采用先進的微縮和晶圓鍵合技術
2023-04-04 16:39:43491 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744
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