目前的電子式計(jì)量儀器儀表大都需要二次儀表與傳感器相結(jié)合來達(dá)到測量目的,一次儀表將所測的物理量轉(zhuǎn)換成電信號(電壓、電流、脈沖等)并提供給二次儀表,二次儀表對提供來的電信號進(jìn)行處理計(jì)算并將測量結(jié)果顯示出來。
所以說測量結(jié)果的準(zhǔn)確與否主要取決于傳感器提供的電參數(shù)是否穩(wěn)定,傳感器在長時(shí)間使用后的穩(wěn)定性就會發(fā)生變化,電參數(shù)也隨之變化。
例如水表或加油機(jī)中的渦輪傳感器在使用一兩年后齒輪的機(jī)械性能就會發(fā)生變化,使得水流過傳感器時(shí)產(chǎn)生的脈沖頻率降低,進(jìn)而影響測量結(jié)果。
計(jì)量儀器在經(jīng)過每年的周期檢定后如果超差,就要停止使用并要由廠家技術(shù)人員拆開機(jī)箱卸掉程序芯片,重新向芯片中寫程序再安裝回去來修正參數(shù),使其達(dá)到應(yīng)有的準(zhǔn)確度,這就使得修正過程相當(dāng)麻煩,而且影響了用戶的使用。
PB85RS2MC應(yīng)用框圖
本方案將鐵電存儲器PB85RS2MC應(yīng)用到流量檢測裝置中的數(shù)字電路部分來存儲流量傳感器的脈沖系數(shù),斷電后數(shù)據(jù)不丟失,如果裝置的年準(zhǔn)確度發(fā)生變化可在儀器面板上自行重新輸入新的參數(shù)來修正儀器的準(zhǔn)確度。
國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
和EEPROM比較,PB85RS2MC具有讀寫速度快(最高100萬次)、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。鐵電存儲器將非易失性數(shù)據(jù)存儲和無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起為智能儀表的開發(fā)提供了便利。
PB85RS2MC引腳定義
鐵電存儲器PB85RS2MC性能參數(shù)如下:
?容量:2M bit,提供SPI接口;
?工作頻率是25兆赫茲;
?高速讀特性:支持40MHz高速讀命令;
?工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃;
?封裝形式:8引腳SOP封裝,符合RoHS;
?性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯);
流量檢測裝置中使用的PB85RS2MC不僅保證了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的掉電保持,而且克服了儀器年準(zhǔn)確度發(fā)生變化需要開機(jī)箱卸掉程序芯片,重新寫程序修正參數(shù)的缺點(diǎn)。
本方案中的鐵電存儲器具有能被快速、頻繁訪問的優(yōu)點(diǎn),并目能有效地解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題。?
審核編輯:劉清
國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC在流量檢測裝置中的應(yīng)用
- 傳感器(738420)
- EEPROM(79986)
- 存儲芯片(42333)
- 電信號(20013)
相關(guān)推薦
256K位并行存儲芯片FM1808電子資料
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取記憶體或FRAM是非易失性的,但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
存儲芯片入門漫談
最近,清華紫光,武漢新芯在存儲芯片領(lǐng)域動作頻頻,讓大家把目光投向了以前被忽略的存儲芯片。長期以來,在CPU,GPU,基帶等“先進(jìn)”芯片聚光燈的掩蓋之下,存儲芯片一直處在默默無聞地步,不過,任何一個(gè)
2016-08-16 16:30:57
鐵電存儲器的三個(gè)典型應(yīng)用
保存.鐵電儲存器不需要定時(shí)更新, 調(diào)電后數(shù)據(jù)卻能夠繼續(xù)保存, 速度快而且不容易寫壞. 鐵電儲存器就是根據(jù)該原理設(shè)計(jì)而成.2鐵電儲存器的典型應(yīng)用2.1鐵電存儲器在電表存儲中的應(yīng)用2.1.1概述 在
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲器的技術(shù)原理
電材料和制造工藝的發(fā)展,在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣,使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器的技術(shù)原理
電材料和制造工藝的發(fā)展,在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣,使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)
2011-11-21 10:49:57
如何掛載RK3568的SPI FRAM鐵電存儲芯片
數(shù)據(jù)的地址)
4 斷電測試
斷電一天后重新讀取PB85RS2MC的數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然存在。驗(yàn)證了PB85RS2MC鐵電存儲芯片的斷電數(shù)據(jù)保留特性。
2023-10-19 09:28:15
富士通鐵電存儲器應(yīng)用選型
存貯器選型表-[/td][/td][/td][td=1,2,307][td=1,2,307] FRAM 串行I2C接口鐵電存貯器 I2C InterfaceFRAMMemory 工業(yè)級:-40℃ ~+85
2014-03-13 10:00:54
導(dǎo)航里的存儲芯片容量太小了,能不能自己手動DIY換芯升級?
導(dǎo)航裝置里面有存儲芯片嗎?導(dǎo)航里的存儲芯片有什么作用?導(dǎo)航里的存儲芯片容量太小了,能不能自己手動DIY換芯升級?
2021-06-18 06:21:36
拍字節(jié)(舜銘)鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
拍字節(jié)(舜銘)鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
國產(chǎn)存儲器嶄露頭角 結(jié)束了存儲芯片國產(chǎn)率0%的尷尬
隨著紫光旗下的長江存儲在 8 月底量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D 閃存, 國產(chǎn)存儲器芯片已經(jīng)嶄露頭角 ,結(jié)束了存儲芯片國產(chǎn)率 0% 的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲芯片業(yè)務(wù),定位有沖突的可能,不過紫光國微已經(jīng)否認(rèn)了整合長江存儲的可能性。
2019-11-19 10:34:073178
長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領(lǐng)先
據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821
新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037
座椅控制器可選用國產(chǎn)新型鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128
國芯思辰接觸的一個(gè)客戶在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品,需要外掛一個(gè)小的存儲器件用來存儲少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B,現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符,可相互兼容的國產(chǎn)器件用作國產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:04584
ETC門架數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可選用國產(chǎn)3D鐵電存儲器PB85RS128
PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù),和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672
工控行業(yè)中應(yīng)用的國產(chǎn)存儲芯片
存儲芯片是指嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用,無論是系統(tǒng)芯片還是存儲芯片,都是通過在單一芯片中嵌入軟件,實(shí)現(xiàn)多功能和高性能,以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。
2023-03-14 09:03:56630
應(yīng)用于電力監(jiān)測儀中的存儲鐵電存儲器PB85RS2MC
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,對標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
2023-04-20 11:29:57224
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC的應(yīng)用
鐵電存儲器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器,讀寫速度較慢,存儲單元反復(fù)擦寫后容易損壞,無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲的要求,故此,國產(chǎn)鐵電存儲器可快速讀寫,擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1,是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137
2M大容量鐵電存儲器PB85RS2MC性能參數(shù)
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作,芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年,在25℃工作環(huán)境下可以保存200年,且具有防潮、防電擊和抗震等特性,能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495
鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用
作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn),雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134
淺談PB85RS2MC在工業(yè)記錄儀器中的應(yīng)用
使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求,而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48188
鐵電存儲器PB85RS2MC在自動駕駛技術(shù)中的應(yīng)用
和耐久性設(shè)計(jì),這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308
拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C可替代富士通MB85RS128B應(yīng)用在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上,主控自帶的數(shù)據(jù)存儲往往不夠用,這時(shí)候就需要外掛存儲器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲,本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:42531
國芯思辰|拍字節(jié)鐵電存儲器(FRAM)PB85RS128?用于頭戴式無線耳機(jī),通信速率25MHz
的PB85RS128,該款鐵電存儲器(FRAM)采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信,包含128Kb內(nèi)存容量。無線耳機(jī)的基本原理框圖在無線耳機(jī)中使用PB85RS128,會帶來
2022-11-29 10:25:59423
國芯思辰|座椅控制器可選用國產(chǎn)新型鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128,性能兼容富士通MB85RS128B
隨著國產(chǎn)芯片的崛起,國內(nèi)終端工廠對于國產(chǎn)化的需求也在不斷增加。國芯思辰接觸的一個(gè)工程師在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品,需要外掛一個(gè)小的存儲器件用來存儲少量的數(shù)據(jù)。此前該項(xiàng)目使用進(jìn)口的富士通
2022-12-02 15:01:31392
鐵電存儲器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用
,鐵電存儲器不需要定時(shí)刷新,能在斷電情況下保存數(shù)據(jù),特別適合在那些對寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合,而且與其MCU接口電路簡單,應(yīng)用方便,本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25393
鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動數(shù)據(jù)存儲器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382
鐵電存儲器PB85RS2MC在氨氣檢測儀的應(yīng)用
氨氣檢測儀可以快速測定在工業(yè)燃燒、農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖以及日常生活中氨氣濃度,檢測儀提供的數(shù)據(jù),包括多采樣點(diǎn)的氨氣濃度值、采樣通道和時(shí)間報(bào)警信息以及檢測儀系統(tǒng)自身的參數(shù)信息等。
2023-07-13 09:06:50279
鐵電存儲器PB85RS2MC在DSP控制器的應(yīng)用
DSP控制器是將實(shí)時(shí)處理能力和控制器外設(shè)功能結(jié)合在一起 , 為控制系統(tǒng)的應(yīng)用提供了一個(gè)理想的解決方案。一般情況下, 采用24xDSP及以上系列的控制器就能實(shí)現(xiàn)對電機(jī)數(shù)字化的單芯片控制。但當(dāng)系統(tǒng)功能
2023-07-13 09:12:42349
國芯思辰| 國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在工程機(jī)械監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-07-27 10:28:20740
國芯思辰|基于國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC的POS機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)方案
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2023-06-13 10:17:54404
拍字節(jié)(舜銘)PB85RS2MC鐵電存儲芯片數(shù)據(jù)手冊
PB85RS2MC可替換MB85RS2MT(富士通)/FM25V20A(賽普拉斯)
2023-08-22 09:56:047
拍字節(jié)(舜銘)PB85RS128鐵電存儲芯片數(shù)據(jù)手冊128Kb V2
PB85RS128可替換MB85RS128B(富士通)/ FM25V01A-GTR(賽普拉斯)
2023-08-22 16:38:152
國芯思辰 |鐵電存儲器PB85RS2MC在工業(yè)記錄儀器中的應(yīng)用
器必須具有如下三方面的功能:1、寫入速度快,能及時(shí)記錄數(shù)據(jù),2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù),3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時(shí)刻。使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
國芯思辰 |鐵電存儲器PB85RS2MC在自動駕駛技術(shù)中的應(yīng)用
和耐久性設(shè)計(jì),這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
國芯思辰 |國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用
存儲器不需要定時(shí)刷新,能在斷電情況下保存數(shù)據(jù),特別適合在那些對寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合,而且與其MCU接口電路簡單,應(yīng)用方便,本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
國芯思辰|鐵電存儲器PB85RS128在條型顯示屏控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
的信息不會丟失,且鋰電池還存在使用壽命的問題,所以當(dāng)使用了FRAM(鐵電存儲器)上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
國芯思辰|國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油機(jī)
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等,它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù),但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可用于醫(yī)療CT掃描機(jī),不用更換電池
耗盡導(dǎo)致設(shè)備故障;本文推薦使用FRAM PB85RS2MC用于CT掃描機(jī)控制系統(tǒng),它具有很多無可超越的優(yōu)點(diǎn),包括快速寫入、耐久性、低功耗和耐輻射性,能夠替代SRAM
2023-08-11 11:18:20
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用,鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入,設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
使用國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可以讓穿戴式設(shè)備更加省電
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步,數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加,因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
國產(chǎn)鐵電存儲器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
眾所周知,鐵電存儲器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC可用于便攜式血壓監(jiān)測儀
使用,需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器(FRAM)是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
國產(chǎn)2M FRAM PB85RS2MC可完全兼容FM25V20A助力智慧農(nóng)業(yè)
的系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC,憑借高速讀寫功能,記錄儀可以實(shí)時(shí)在線記錄現(xiàn)場數(shù)據(jù),并可以通過以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可替換MB85RS2MT用于電能質(zhì)量監(jiān)測
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC(富士通MB85RS2MT),兩款
2023-11-17 10:28:51
替換MB85RS2MT,國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于智能電表
存儲中,鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能,可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中,如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC(MB85RS2MT)用于明渠流量計(jì)
易失性存儲和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
評論
查看更多