SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設(shè)計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

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**************SEE分類

SRAM型FPGA空間應(yīng)用下面臨的主要問題是單粒子效應(yīng)和總劑量效應(yīng)。如圖1所示，單粒子效應(yīng)包括單粒子閂鎖SEL，單粒子翻轉(zhuǎn)SEU，單粒子瞬變SET和單粒子功能中斷SEFI。SEL屬于硬錯誤，可能會導(dǎo)致FPGA器件損傷。而SEU，SET和SEFI則屬于軟錯誤，一般不會對器件造成損傷，但會影響FPGA功能。

圖1 元器件單粒子效應(yīng)的分類

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TID

經(jīng)常聽說某國產(chǎn)元器件TID指標(biāo)大于100Krad or 150K rad，為啥要定義這個指標(biāo)呢？不同軌道的航天器遭受的年劑量是不一樣的，比如LEO軌道遭受的只有幾Krad[si]，GEO軌道年劑量可能達到100Krad[si]，而MEO軌道年劑量最高可達數(shù)百Krad[si]。

這里提到的指標(biāo)是典型的3mm鋁屏蔽下的年劑量，乘以衛(wèi)星的使用壽命，并考慮2~3倍的抗輻射設(shè)計余量（RDM），就是型號任務(wù)通常的抗總劑量要求。為了滿足總劑量的要求，可以通過設(shè)備機箱進行屏蔽，也可以通過整星設(shè)計，設(shè)備機箱結(jié)合其他結(jié)構(gòu)件組合屏蔽。一般到元器件層面總劑量指標(biāo)大于100Krad能滿足型號任務(wù)的需求。

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**************SEL

目前主流的SRAM型FPGA是CMOS工藝，由于天然的寄生效應(yīng)，一個NMOS和一個PMOS串聯(lián)起來產(chǎn)生PNPN結(jié)構(gòu)。受單粒子效應(yīng)的影響，PNPN會處于導(dǎo)通狀態(tài)且不斷電會一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，影響管子使用壽命。隨著導(dǎo)通的管子數(shù)量增多，外在表現(xiàn)就是電流會階梯型上升。某國產(chǎn)宇航級的FPGA會在芯片內(nèi)部進行SEL特殊加固設(shè)計, 指標(biāo)達到84 Mev.cm^2/mg板級設(shè)計不需要考慮額外的抗SEL設(shè)計。

工業(yè)級的FPGA則必須要在板級設(shè)計中考慮電源的監(jiān)測和管理。由于電路的階梯型上升特點，只對一級電源進行監(jiān)測缺點是靈敏度不夠，發(fā)現(xiàn)不了潛在的閂鎖。最好對每路電源進行監(jiān)測，提高靈敏度，一旦發(fā)生異常，采取斷電重啟。

圖2 CMOS電路中的寄生效應(yīng)

圖3 發(fā)生SEL后電流階梯型上升

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SEFI

SEFI分為應(yīng)用級SEFI和器件級SEFI。如表1所示，器件級SEFI包括POR SEFI，SelectMAP SEFI，F(xiàn)AR SEFI和全局信號的SEFI。一般需要通過外部的刷新電路對器件級SEFI進行監(jiān)測，并采取相應(yīng)的應(yīng)對措施。某國產(chǎn)宇航級的FPGA會在芯片內(nèi)部進行SEFI特殊加固設(shè)計，指標(biāo)達到37 Mev.cm^2/mg，極大增強了FPGA在軌穩(wěn)定運行的能力。

應(yīng)用級SEFI需要把由SEU導(dǎo)致的用戶層面邏輯功能異常刨除掉，專注一些基礎(chǔ)性的一般性的東西，否則應(yīng)用級SEFI就是一個模糊不清的概念。本文中應(yīng)用級SEFI指的是時鐘SET、復(fù)位毛刺和MMCM/PLL/DCM的功能異常，下面對應(yīng)用級SEFI分類進行說明。

1）時鐘SET

如圖5所示，盡管對電路做了TMR加固，但時鐘信號的SET會導(dǎo)致該時鐘域下的所有寄存器發(fā)生SEU，最終Voter判定結(jié)果錯誤，TMR加固失效。

圖5 時鐘毛刺

對時鐘網(wǎng)絡(luò)推薦采用GTMR策略，時鐘IO不做TMR，對BUFG做TMR。加固前單點失效路徑是整個時鐘routing，加固后單點失效路徑是IO到BUFGs的交匯處，通常單點失效路徑截面大為減少。

圖6 GTMR有效降低時鐘網(wǎng)絡(luò)SET概率

2）復(fù)位毛刺

FPGA加載時用GSR來控制寄存器和狀態(tài)機初值，因此并不需要額外產(chǎn)生復(fù)位信號來做初值控制。比如，不需要復(fù)位的寄存器（如數(shù)據(jù)流相關(guān)的寄存器）不設(shè)計外部復(fù)位，用GSR做初值控制。對復(fù)位毛刺很敏感的寄存器和狀態(tài)機，可以改用同步復(fù)位，同步復(fù)位比異步復(fù)位消耗資源多一些，但比異步復(fù)位對毛刺敏感性低。

圖7 異步復(fù)位同步釋放電路

如果外部異步復(fù)位扇出較多的寄存器，可以用GTMR加固策略。復(fù)位信號經(jīng)過3個BUFG走全局時鐘專用網(wǎng)絡(luò)，單路復(fù)位毛刺翻轉(zhuǎn)影響不了另外兩路復(fù)位信號對應(yīng)的寄存器。

3）MMCM/PLL/DCM

MMCM/PLL/DCM的LOCK信號為高并不代表功能一定正常，因此建議開發(fā)一種緩解方案，例如通過計數(shù)器來檢測MMCM/PLL/DCM輸出故障。一旦MMCM/PLL/DCM發(fā)生故障，進行復(fù)位操作。

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**SEU**

單粒子翻轉(zhuǎn)SEU可以發(fā)生在FPGA任意的資源上，比如配置SRAM、配置邏輯電路、用戶邏輯DFF和塊存儲器等。

配置SRAM的SEU直接影響的是查找表LUT的值和互連資源的連接關(guān)系。查找表值的錯誤會導(dǎo)致用戶邏輯功能出錯，邏輯錯誤向下傳播還可能導(dǎo)致時序單元出錯。此外如果LUT用作了分布式RAM或者移位寄存器SRL，那么還會導(dǎo)致存儲數(shù)據(jù)出錯。

互連出錯可能導(dǎo)致用戶邏輯連接出錯，連接錯誤向下傳播可能導(dǎo)致時序單元出錯。互連出錯還可能導(dǎo)致互連產(chǎn)生短路，引起靜態(tài)功耗增加。

觸發(fā)器DFF的SEU會導(dǎo)致用戶邏輯狀態(tài)出錯和FSM狀態(tài)機出錯。流水寄存器狀態(tài)出錯的影響僅限于單個時鐘周期，因此影響比較小。FSM狀態(tài)機出錯可能會造成嚴(yán)重的影響。如圖8 所示，狀態(tài)機如果發(fā)生翻轉(zhuǎn)至為定義的狀態(tài)，那會導(dǎo)致狀態(tài)機鎖死，用戶功能無法恢復(fù)。

圖8 狀態(tài)機發(fā)生SEU導(dǎo)致鎖死

BRAM塊存儲器發(fā)生SEU可能會造成功能出錯。當(dāng)BRAM資源用作ROM，ROM存儲重要的參數(shù)，重要參數(shù)發(fā)生錯誤會導(dǎo)致用戶功能受到嚴(yán)重影響。比如FPGA內(nèi)部跑軟核，程序存儲在FPGA內(nèi)部的BRAM資源中，BRAM程序區(qū)的SEU會導(dǎo)致指針亂跳，程序跑飛。

圖9 軟核存儲器發(fā)生SEU導(dǎo)致程序跑飛

戰(zhàn)術(shù)總結(jié)

對于SRAM型的FPGA而言，單粒子效應(yīng)SEE可產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。





審核編輯：劉清