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電子發燒友網>存儲技術>未來HBM產量將大幅增加

未來HBM產量將大幅增加

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2023-09-15 10:35:46519

存儲廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產品的主要供應商是三星、SK海力士和美光。根據全球市場調研機構TrendForce集邦咨詢的調查顯示,2022年,SK海力士在HBM市場占據了50%的份額,三星占據了40%,美光占據了10%。
2023-09-15 16:21:16374

HBM3E明年商業出貨,兼具高速和低成本優點

? ? 據了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM,能夠提升數據處理速度,HBM DRAM產品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代
2023-10-10 10:25:46400

一文解析HBM技術原理及優勢

HBM技術是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數據中心等領域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術的原理、優勢、應用和發展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343

SK海力士預計今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達 1 億顆

11 月 14 日消息,SK 海力士副會長兼聯席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內存(HBM)出貨量大幅增加,預計到 2030 年將達到每年 1 億顆。 昨日下午,在京畿道光州東谷 CC 舉行
2023-11-15 08:44:50189

HBM未來

Rambus產品營銷高級總監 Frank Ferro 在 Rambus 設計展會上發表演講時表示:“HBM 的優點在于,可以在可變的范圍內獲得所有這些帶寬,并且表示獲得了非常好的功耗。”
2023-11-15 15:50:19266

如何加速HBM仿真迭代優化?

如何加速HBM仿真迭代優化?
2023-11-29 16:13:18189

速度優勢是HBM產品成功的關鍵

速度優勢是HBM產品成功的關鍵
2023-11-29 16:22:53172

預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業界預測,最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57443

英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片(基礎芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13201

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業界預測,最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30353

HBM4為何備受存儲行業關注?

當前,生成式人工智能已經成為推動DRAM市場增長的關鍵因素,與處理器一起處理數據的HBM的需求也必將增長。未來,隨著AI技術不斷演進,HBM將成為數據中心的標準配置,而以企業應用為重點場景的存儲卡供應商期望提供更快的接口。
2023-12-02 16:30:32215

大算力芯片里的HBM,你了解多少?

內外人士的視野和傳統的GDDR相比,HBM不僅僅提供了更大的位數寬度,而且通過TSV和Interposer的連接方式,大幅降低了數據通訊上的能量損耗。這對于大算力芯片的
2023-12-05 16:14:18554

下一代HBM技術路線選擇對行業有何影響?

HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔(TSV 或連接孔),并與放置在基礎封裝層上的中間件相連,中間件上還安裝有處理器,提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49136

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數據速率,支持HBM3內存標準的未來演進 實現業界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

作為業界領先的芯片和 IP 核供應商,致力于使數據傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 內存控制器 IP 現在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06329

SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247

三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250

三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品,其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330

HBMHBM2、HBM3和HBM3e技術對比

AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發,且伴隨服務器平均HBM容量增加,經測算,預期25年市場規模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53203

HBM良率問題影響AI芯片產量

在以臺積電與三星代工為首的諸多企業中,長期以來,保持硅晶圓高效產出的良品率一直是個難題。然而,這個難關如今已經蔓延至HBM行業。
2024-03-07 09:41:25204

三星電子發布業界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領域龍頭地位?

這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501408

從兩會看AI產業飛躍,HBM需求預示存儲芯片新機遇

高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢。這表明,HBM芯片的需求在未來一段時間內繼續保持旺盛,也將為相關企業提供了重要的機遇。
2024-03-12 13:59:09406

預期HBM供應將大幅增長,驅動DRAM產業發展

擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低20%-30%。
2024-03-18 16:01:4391

英偉達CEO贊譽三星HBM內存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24352

算力需求催生存力風口,HBM競爭從先進封裝開始

無疑是今年最火熱的高端存儲產品。 ? 在AI芯片需求不減競爭加劇的背景下,全球最大的兩家存儲器芯片制造商三星和SK海力士都在積極擴大HBM產量搶占AI芯片存力風口。與此同時,作為HBM頭部廠商的SK海力士和三星在推進HBM迭代的同時,仍在不斷探索新的HBM芯片封
2023-12-03 08:34:552005

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