12月9日，Rambus線上設計峰會召開，針對數據中心的存儲挑戰、5G邊緣計算，以及內存接口方案如何提高人工智能和訓練推理應用程序的性能，Rambus中國區總經理蘇雷和Rambus高速接口資深應用工程師曹汪洋，數據安全資深應用工程師張巖帶來最新的產業觀察和技術分享。
2020-12-21 22:15:27
5856 /s。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內存領域占據領先地位。目前，各大內存廠商在HBM2E層面已經開始鋪貨。就以SK海力士的節點來看，2020年
2021-08-23 10:03:281550 近年來，隨著內存帶寬逐漸成為影響人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一，以高帶寬內存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內存解決方案
2020-10-23 15:20:174876 
然而在此過程中，我們除了看到AI對算力的要求以外，內存帶寬也是限制AI芯片發展的另一個關鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優先選擇，這也是英偉達在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個內存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402443 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:131471 
三星電子宣布推出了業界首款符合HBM2E規范的內存。它是第二代Aquabolt的后繼產品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231255 出貨將會專供于人工智能領域。在AI/ML當中，內存和I/O帶寬是影響系統性能至關重要的因素，這又促進業界不斷提供最新的技術，去滿足內存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經應用到了HBM內存技術，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-01 15:59:413663 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數據中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當下JEDEC還沒有給出HBM3標準的最終定稿，但參與了標準制定工作的IP廠商們已經紛紛做好了準備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內存子系統，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073582 電子發燒友網報道（文/周凱揚）隨著AI芯片逐漸成為半導體市場的香餑餑，與之相關的附屬產物也在不斷升值，被一并炒熱。就拿高帶寬內存HBM來說，無論是英偉達的GPU芯片，還是初創公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001120 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
2023-10-25 18:25:242156 
基于ATOM E3825的3U PXIe 主板控制器一、板卡概述： 本主板采用intel ATOM 處理器 E3825 設計主板控制器，是一種低成本、低功耗解決方案。板卡采用Intel Bay
2016-03-31 11:47:05
HBM傳感器性能介紹 T10F扭矩傳感器可測量扭矩和轉速，是第一款扭矩法蘭，采用測量剪應力替代扭矩應力對扭矩進行測量。這種技術是HBM公司的專利。它設計緊湊，占有非常小的空間；高側向的防護允許
2020-06-19 16:31:10
代表能夠自動符合 OIML R60 標準, 因此其測試條件更加嚴格。 這就是為什么，對于質量控制的測量過程，HBM 新一代的 C6 精度稱重傳感器需要在實驗室條件下測試的原因。其他廠商的相關產品也在
2018-11-02 16:11:12
江山科技最新推出JS-9500內存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條, 內存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條, 內存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條, 內存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條, 內存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領先業界的軟硬件測試系統,采用國際內存業界最先進自動儲存器測試程序,能快速、準確檢測內存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
這里寫目錄標題STM32（CM3內核） 內存映射一.CM3內核簡介二.CM3內核地址映射三.搭建代碼，實現映射STM32（CM3內核） 內存映射一.CM3內核簡介《CM3權威指南》摘抄一段簡介
2022-02-11 07:48:56
的DDR3內存控制器或內存控制器生成的設計生成的設計，我得到此錯誤“啟動狀態結束：低。在我的設計或PCIe中只有PCIe內核的其他比特流示例設計已成功配置。分享我的一些觀察， - 配置過程中電壓似乎穩定
2020-06-09 15:48:02
產品，其它產品也將陸續推出。憑借其創新的架構和強大的功能，SPEAr1310以最先進的技術引領嵌入式市場，實現前所未有的成本競爭力、性能以及靈活性。”內置DDR2/DDR3內存控制器和完整的外設接口
2018-12-12 10:20:29
我正在制作一個我正在獲取數據的項目。每個數據等于一個內存地址。我希望為每個內存地址添加1內存的時鐘是數據的兩倍，然后是數據的時鐘，因此ican獲取此內存地址中的值，然后加1在測試臺我發送計數器的數據
2019-06-25 14:30:22
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內存的FPGA新品，而且用了8GB容量。 HBM顯存雖然首發于AMD顯卡上，不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
Rambus首次公布HBM3/DDR5內存技術參數，最大的關注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認為是極限，因為到了7nm節點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復雜的技術。
2017-12-07 15:00:001552 見識過HBM的玩家對該技術肯定印象深刻，那么未來它又該如何發展呢？HPE（惠普企業級）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點，在他看來DDR內存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。
2018-03-22 08:54:484526 
高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導體和SK Hynix發起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網絡交換及轉發設備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4930050 環球儀器旗下的FuzionSC半導體貼片機系列，能以表面貼裝速度實現半導體封裝的精準技術。FuzionSC貼片機之所以能精確高組裝HBM內存，皆因配備以下神器：
2020-09-04 09:28:132005 
三星宣布新的HBM2內存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內存芯片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461856 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片，可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數據，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142068 點擊藍字關注我們 從高性能計算到人工智能訓練、游戲和汽車應用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內存的發展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經被認為是一種
2021-11-01 14:30:506602 
在FPGA上對傳統內存進行基準測試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級語言（例如OpenCL）在FPGA上對傳統存儲器（例如DDR3）進行基準測試。相反，我們在最先進的FPGA上對HBM進行基準測試。
2022-12-19 16:29:461267 憑借Rambus GDDR6 PHY所實現的新一級性能，設計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負載提供所需的帶寬。和我們領先的HBM3內存接口一樣，這項最新成就表明了我們不斷致力于開發最先進的內存性能，以滿足生成式AI等先進計算應用的需求。
2023-05-17 14:22:36574 HBM技術之下，DRAM芯片從2D轉變為3D，可以在很小的物理空間里實現高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM被業界視為新一代內存解決方案。
2023-06-30 16:31:33644 
據業內消息人士透露，隨著人工智能（AI)服務器需求的激增，高帶寬內存(HBM)的價格開始上漲。
2023-07-07 12:23:41395 近日，HBM成為芯片行業的火熱話題。據TrendForce預測，2023年高帶寬內存（HBM）比特量預計將達到2.9億GB，同比增長約60%，2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08724 
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39712 
在隨后大約1小時20分鐘的演講中，黃仁勛宣布全球首發HBM3e內存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計算和生成式AI時代的處理器”。
2023-08-09 14:48:00517 
NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超級芯片平臺，全球首發采用HBM3e高帶寬內存，可滿足世界上最復雜的生成式AI負載需求。
2023-08-10 09:37:12931 
2023年8月8日，NVIDIA創始人兼CEO黃仁勛在計算機圖形年會SIGGRAPH上發布了HBM3e內存新一代GH200 Grace Hopper超級芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計算和生成式AI時代的處理器”，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:17793 sk海力士表示：“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎，成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49585 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41552 HBM3E內存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
2023-08-22 16:28:07575 與此同時，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:13480 ，skjmnft同時已經向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術生產，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數字化管理各個業務板塊,提升
2023-10-10 10:25:46428 基于英偉達的“Hopper”架構的H200也是該公司第一款使用HBM3e內存的芯片，這種內存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:31379 Rambus產品營銷高級總監 Frank Ferro 在 Rambus 設計展會上發表演講時表示：“HBM 的優點在于，可以在可變的范圍內獲得所有這些帶寬，并且表示獲得了非常好的功耗。”
2023-11-15 15:50:19283 
NVIDIA H200的一大特點就是首發新一代HBM3e高帶寬內存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點)，同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457 
HBM4 預計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片（基礎芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13215 
目前，AI服務器對HBM（高帶寬內存）的需求量越來越大，因為HBM大大縮短了走線距離，從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經歷了幾代產品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e剛出樣品。
2023-11-28 09:49:10481 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376 
? 中國北京，2023年12月7日—— 作為業界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布Rambus HBM3內存控制器IP
2023-12-07 11:01:13124 
作為業界領先的芯片和 IP 核供應商，致力于使數據傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內存控制器 IP 現在可提供高達 9.6
2023-12-07 14:16:06342 大模型時代AI芯片必備HBM內存已是業內共識，存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關健指標，甚至某些場合超越算力，是最關鍵的性能指標，而汽車行業也開始出現HBM內存。
2023-12-12 10:38:11255 
數據量、復雜度在增加，HBM內存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內存十分適合于AI訓練場景。最近，內存芯片廠商已經不約而同地切入HBM3E競爭當中。內存控制器IP廠商Rambus也率先發布HBM3內存
2023-12-13 15:33:48941 
美光已明確表示，預期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。
2023-12-26 14:39:31165 英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存，為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50613 據最新傳聞，英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276 1月2日消息，韓媒報道，NVIDIA已經向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預付款，業內預計了這筆款項在10.8億美元到15.4億美元之間。
2024-01-02 16:31:12223 美國IT企業投資規模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產品HBM3E的量產。在此
2024-01-03 13:41:02412 ABSTRACT摘要Nvidia表示，H200TensorCoreGPU具有更大的內存容量和帶寬，可加快生成AI和HPC工作負載的速度。NvidiaH200是首款提供HBM3e的GPU，HBM3e
2024-01-17 08:25:26287 
值得一提的是，半導體產品的研發周期通常共九個階段，而 SK 海力士已經成功走過了各個環節，正在進行最后的產量提升階段。這代表著現有的HBM3E產能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222 在嚴格的9個開發階段后，當前流程全部完成，步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志，這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可，同步啟動大規模生產及交貨。
2024-02-21 10:17:05282 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:08645 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發，并且已經通過了英偉
2024-02-25 11:22:21403 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠實現5TB/s的傳輸速率，內存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42135 美光執行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現HBM3E的市場首發和卓越性能，同時能耗具有顯著優勢，使公司在AI加速領域穩占先機。他還強調，美光擁有業界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42127 美光指出，專為AI、超級計算機設計的HBM3E預計2024年初量產，有望于2024會計年度創造數億美元的營收。Mehrotra對分析師表示，“2024年1~12月，美光HBM預估全數售罄”。
2024-02-27 10:25:15154 “隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00269 近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390 據手機資訊網站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內存模塊，并面向HBM3E進行了重新設計。另外，該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應商建立了穩固的聯系，同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。
2024-02-27 15:45:05188 美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產。此項技術將被用于今年第2季度的英偉達（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標志著
2024-02-28 14:17:10173 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內存技術，能夠提供比傳統DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數據傳輸和處理的人工智能應用中具有顯著優勢。
2024-02-29 09:43:05118 AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發，且伴隨服務器平均HBM容量增加，經測算，預期25年市場規模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53272 
其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51569 
2024 年 3?月 4?日全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41765 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內存與存儲解決方案的領先供應商，近日宣布已經開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了美光在內存技術領域的行業領先地位。
2024-03-05 09:16:28396 近日，全球領先的半導體存儲器及影像產品制造商美光公司宣布，已開始大規模生產用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標志著美光在半導體技術領域的又一次突破，也預示著人工智能領域將迎來更為強勁的計算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157 三星電子近期研發的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現了三星在半導體技術領域的持續創新能力，也為整個存儲行業樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:42195 三星電子近日宣布，公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51179 這一結構性調整體現出三星對于存儲器領域HBM產品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501433 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發僅過了七個月。據稱，該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44311 SK海力士作為HBM3E的首發玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21309 據悉，HBM3E廣泛應用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應用。
2024-03-20 10:25:59150 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24390 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業內領頭羊SK海力士，后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規模量產。
2024-03-25 11:42:04338 據悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194 據最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06146 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據報道，由于SK海力士部分工程出現問題，英偉達所需的12層HBM3E內存，將由三星獨家供貨，SK海力士出局！ 據了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:08131 據業內透露，三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107 12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:0991 
HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內存架構，迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產品的優秀特性，更在技術上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數據路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行，實現了高達819 Gb/s的帶寬，為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:101600 
電子發燒友網報道（文/李彎彎）據報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業知情人士稱，各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:312165 
和B100兩款芯片。來源：英偉達官網 ? 首款搭載HBM3e 的GPU ，推理速度幾乎是H100 的兩倍 ? 與A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:002296 
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