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電子發燒友網>存儲技術>長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

長江存儲QLC閃存壽命實現重大突破

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閃存真的要降價了 東芝成功研發世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤將更便宜

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東芝發布全球首個QLC閃存壽命將與TLC閃存旗鼓相當

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長江存儲喜迎第一臺EUV極紫外光刻機:國產SSD固態硬盤將迎來重大突破

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長江存儲發布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能

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QLC閃亮登場,與其他閃存的區別是什么?

2018年8月7日的美國閃存峰會(FMS)上,海力士,三星,東芝,西部數據,Intel等NAND廠商紛紛發布QLC架構的快閃存儲器或基于QLC NAND的SSD產品,滿足市場對存儲容量日益激增的需求,那么QLC是什么呢?它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
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云從科技在語音識別技術上取得重大突破

10 月 29 日,云從科技宣布在語音識別技術上取得重大突破,該技術在全球最大的開源語音識別數據集 Librispeech 上刷新了世界紀錄,錯詞率低至 2.97%,指標提升了 25%,超過微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學等企業及高校 。
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漢能砷化鎵(GaAs)技術再獲重大突破

據悉,近日,漢能砷化鎵(GaAs)技術再獲重大突破。據世界三大再生能源研究機構之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統研究所(Fraunhofer ISE)認證,漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結電池轉換效率達到29.1%,再次刷新世界紀錄。
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4月13日,長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格
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日前,快商通在民營醫療行業的知識圖譜項目「醫療知識圖譜工程平臺」獲得重大突破,11年耕耘產生質變。
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據中國臺灣媒體報道稱,臺積電(TSMC) 在實現2nm工藝方面取得了重大突破,該工藝可以生產數十億個晶體管,可能會突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061148

英睿達X8便攜式SSD評測:極速QLC顆粒

在固態硬盤領域,一直有QLC和TLC顆粒之爭,無非就是讀寫性能和壽命,對QLC顆粒產品不信任。但是一個不爭的事實是,包括英睿達等頂級存儲廠商均不斷推出搭載了QLC顆粒的大容量存儲,尤其是英睿達今年
2020-12-02 10:41:201888

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實現1.6萬次擦寫

得益于容量大、價格低的優勢,如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存,大家擔心的主要是QLC閃存壽命,具體來說就是P/E擦寫次數,通常在1000次左右,而IBM現在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034117

奧來德在封裝材料方面取得重大突破

日前,記者獲悉,吉林奧來德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破,產品綜合性能已經達到國外同等水平,其中部分物理性能和穩定性表現突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表現。
2020-12-21 11:44:33981

長江存儲最快在2021年中旬試產首批192層閃存,國產閃存產能年底可占全球7%

2019年長江存儲國產的64層閃存開始量產之后,2020年他們又帶來了128層閃存,2021年則會帶來192層閃存。 日經新聞亞洲版報道稱,中國閃存廠商長江存儲正在加速擴張閃存產能,計劃在2021
2021-01-12 14:37:426615

長江存儲閃存產能翻倍?謠言!

昨天日經新聞亞洲版報道稱,長江存儲2021年的產能將翻倍,達到10萬片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產,不過長江存儲今天否認相關內容。
2021-01-14 10:21:382084

長江存儲計劃今年將產量提高一倍

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:202855

盤點2020年存儲行業十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,這也是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362106

Intel披露QLC閃存進展,壽命絕口不提

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421488

Intel披露QLC閃存新進展 不提壽命

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。 TLC依然是目前市場
2021-02-22 09:53:271543

QLC閃存144層QLC技術細節曝光

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發展下來,容量密度越來越高,成本越來越低,性能和壽命卻越來越渣,不得不依靠各種技術以及主控優化來輔助,但依然不容樂觀。
2021-02-22 10:00:493054

IBM和三星在半導體設計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯合宣布,他們在半導體設計方面取得一項重大突破
2022-03-16 09:56:02343

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內專注于3D NAND閃存存儲器解決方案的半導體集成電路企業長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521840

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲(YTMC)納入供應商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應商多樣化來降低NAND閃存的價格。
2022-09-08 11:55:23543

分區存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備

部署QLC存儲設備。 QLC可以給存儲設備帶來更低的成本,作為消費級產品的嵌入式存儲設備,未來引入QLC也是勢在必行。 但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。 ( Table 1:某原廠TLC和
2023-02-14 15:05:05363

對比韓企存儲技術,長江存儲發展如何

據外媒報道,長江存儲去年7月生產了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:251673

QLC閃存 D5-P5430的基本規格、性能表現

SK海力士收購Intel NAND閃存業務重組而來的Solidigm,就發布了一款QLC閃存的企業級產品P5-D5430,可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43504

分區存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備

QLC存儲設備。QLC可以給存儲設備帶來更低的成本,作為消費級產品的嵌入式存儲設備,未來引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差
2023-02-22 14:12:23376

拐彎突破美國禁令!長江存儲神秘閃存曝光

長江存儲已經將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達2400MT/s,妥妥的世界第一,結果被美國一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311266

華為芯片迎重大突破

華為芯片迎重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設備上。 華為一直是全球領先的芯片設計和制造企業之一,近年來通過自主研發
2023-09-06 11:14:563405

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無出其右者。
2023-11-02 11:11:46902

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
2023-11-13 15:47:51301

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04540

8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:51554

我國在光存儲領域獲重大突破 或將開啟綠色海量光子存儲新紀元

”;這是我國在光存儲領域獲重大突破。有助于解決大容量和節能的存儲技術難題。 利用國際首創的雙光束調控聚集誘導發光超分辨光存儲技術,實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制,實現了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451361

長江存儲QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術

值得注意的是,長江存儲首席技術官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業已經在飽受煎熬的2023年逐步復蘇,并有望在2023~2027年間實現21%的復合增長率以及20%的累計設備平均容量增長。
2024-03-28 13:57:5787

零的突破!中國閃存芯片正式步入國際主流水平

電子發燒友網報道長江存儲4月13日重磅發布兩款128層3D NAND產品引起業界高度關注,其中128層QLC產品為目前業內發布的首款單顆Die容量達1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優于主要
2020-04-14 09:17:335021

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144032

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