網(wǎng)友質(zhì)疑在最新的旗艦P10上使用了UFS2.0、UFS2.1和emmc5.1三種閃存，且沒(méi)有告知消費(fèi)者，都按照統(tǒng)一的價(jià)格賣(mài)。余承東先生的原話是“最近關(guān)于P10系列手機(jī)閃存同時(shí)采用UFS和EMMC兩種
2017-04-21 09:09:23
2452 閃存設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含芯片、芯片控制器、存儲(chǔ)處理器、緩存、控制器內(nèi)存以及接口。目前主流的接口包括 UFS、SATA、PCIe 等
2020-07-15 16:29:282042 
“八仙過(guò)海，各顯神通”。5G的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)是傳輸速率：按照通信行業(yè)的預(yù)期，5G應(yīng)當(dāng)實(shí)現(xiàn)比4G快十倍以上的傳輸速率，即5G的傳輸速率可實(shí)現(xiàn)1Gb/s。這就意味著用5G傳輸一部1GB大小的高清電影僅僅需要10秒
2019-08-16 06:56:45
為了增加產(chǎn)品差異性的一種手段。4. nor flashflash(flasheeprom memroy)即閃存，其是非易失存儲(chǔ)，也可以EIP（Excute in Place）即芯片內(nèi)執(zhí)行。其接口比
2016-03-15 12:35:10
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類(lèi)來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱(chēng)閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。快恢復(fù)二極管模塊DSEI2x31-10B現(xiàn)貨參數(shù)資料價(jià)格：1產(chǎn)品種類(lèi): 快恢復(fù)二極管制造商: IXYS RoHS: 符合RoHS安裝風(fēng)格
2019-04-16 09:40:32
發(fā)生氧運(yùn)動(dòng)。 研究機(jī)構(gòu) IMEC 預(yù)計(jì)，帶層迭結(jié)構(gòu)的 RRAM 設(shè)備能以 11nm 的規(guī)格進(jìn)入市場(chǎng)，“SONOS”閃存作為在 17-14nm 節(jié)點(diǎn)的中間級(jí)。RRAM 使用最小的能耗提供亞納秒切換，并提
2014-04-22 16:29:09
隨著許多存儲(chǔ)項(xiàng)目的實(shí)施，用戶(hù)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的需求已經(jīng)不僅僅滿(mǎn)足于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，許多用戶(hù)都希望存儲(chǔ)設(shè)備可以在一定程度上取代常規(guī)的應(yīng)用服務(wù)器，以達(dá)到簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、減少設(shè)備數(shù)量、節(jié)約系統(tǒng)建設(shè)成本的目的。這樣的需求促使了應(yīng)用存儲(chǔ)的出現(xiàn)、并使之得到了快速的發(fā)展。
2019-07-26 07:38:51
`手機(jī)流量比較多，想請(qǐng)大神打造一款sim卡插入設(shè)備，給設(shè)備供電，轉(zhuǎn)化為網(wǎng)線數(shù)據(jù)能給電腦上網(wǎng)的設(shè)備可能沒(méi)人想我這么傻，`
2017-01-12 19:49:49
性?xún)r(jià)比超高的U盤(pán)讀寫(xiě)模塊-PB375，兼容CH375讀寫(xiě)操作1． 功能● 用于嵌入式系統(tǒng)/單片機(jī)讀寫(xiě)U 盤(pán)、閃盤(pán)、閃存盤(pán)、USB 移動(dòng)硬盤(pán)、USB 讀卡器等。● 支持符合USB
2009-02-03 10:39:48
美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學(xué)壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測(cè)量高達(dá)1800萬(wàn)帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測(cè)頭放進(jìn)-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到 538°C，性能也不會(huì)有明顯改變。
2019-08-23 08:30:17
美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學(xué)壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測(cè)量高達(dá)1800萬(wàn)帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測(cè)頭放進(jìn)-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到538°C，性能也不會(huì)有明顯改變。
2019-09-02 08:04:30
來(lái)自北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種新型可穿戴傳感器，使用銀質(zhì)納米線來(lái)監(jiān)測(cè)電生理信號(hào)，比如心電圖或肌電圖。這種新型傳感器與在醫(yī)院使用的“濕電極”傳感器一樣精確，但其還可被用于長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)，而且在病人運(yùn)動(dòng)時(shí)比現(xiàn)有的傳感器更精準(zhǔn)。
2020-05-01 06:36:09
、服務(wù)調(diào)用失敗的自動(dòng)回滾，性能比XA協(xié)議事務(wù)快10倍。GTS有哪些功能，相比傳統(tǒng)事務(wù)的優(yōu)勢(shì)在哪呢？我們通過(guò)一張圖讀懂GTS。5月30日15：00，阿里中間件技術(shù)專(zhuān)家寈峰將在線解讀GTS【直播報(bào)名直通車(chē)】原文鏈接
2018-06-04 19:02:59
【作者】：袁春華;李曉紅;唐多昌;楊宏道;【來(lái)源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：利用Nd:YAG納秒激光脈沖,在能量密度為1～10 J/cm2范圍內(nèi)輻照單晶硅,形成了表面錐形微結(jié)構(gòu)
2010-04-22 11:41:53
`355nm紫外激光器打標(biāo)氧化鋁環(huán)保不掉色納秒紫外激光器打標(biāo)氧化鋁比油墨噴碼有明顯的優(yōu)越性打標(biāo)氧化鋁需采用高精度高穩(wěn)定性的紫外固體激光器 氧化鋁材料是先進(jìn)技術(shù)的陶瓷材料，常應(yīng)用于各種工業(yè)當(dāng)中，具有
2021-07-06 08:31:46
好在哪里？ 快恢復(fù)二極管一般是指電流、電壓、功率都比較小的單管。一般電流小于幾安培，電壓可達(dá)1000V，但反向恢復(fù)速度很快，只有幾納秒到幾十納秒，用于小功率開(kāi)關(guān)電源輸出整流，或者需要頻繁開(kāi)關(guān)的地方，器件
2021-08-20 16:03:14
，所以不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)時(shí)間保存。而近幾年問(wèn)世的閃存以其存儲(chǔ)容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，逐步向存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)軍。1 設(shè)計(jì)原理設(shè)計(jì)中相機(jī)輸出LVDS串行數(shù)據(jù)通過(guò)接收電平轉(zhuǎn)換和串并轉(zhuǎn)換后得到10路×8 bit
2019-08-07 08:20:48
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過(guò)現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見(jiàn)圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
SAS固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)是一種介于傳統(tǒng)硬盤(pán)和內(nèi)存之間的存儲(chǔ)技術(shù)，在IOPS上，相比普通機(jī)械硬盤(pán)的存儲(chǔ)速度快50到1000倍，能在一毫秒以?xún)?nèi)的時(shí)間里對(duì)任何位置的存儲(chǔ)單元完成快速輸入/輸出操作。 隨著
2019-06-18 05:00:08
我正在使用 STM32H745BIT6 控制器并希望將外部閃存用作大容量存儲(chǔ)設(shè)備。外部閃存連接在 QSPI 上。該應(yīng)用程序?qū)⑹牵脩?hù)將 USB 電纜連接到 PC，PC 應(yīng)該能夠?qū)⑼獠?QSPI 閃存
2023-02-02 07:11:32
全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專(zhuān)注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開(kāi)發(fā)和推出新一代存儲(chǔ)解決方案。專(zhuān)為
2019-07-23 07:01:13
u*** 存儲(chǔ)設(shè)備 讀寫(xiě) ？？？u*** 使用的外加的 phy 芯片，型號(hào)為：u***3300，連接成功，掛載fatfs 成功，但是打開(kāi)文件 提示 找不到 磁盤(pán) io ，是怎么個(gè)情況啊 ？？？
2018-11-13 08:37:51
，每次耗時(shí)大約為0.33納秒。光在1納秒的時(shí)間內(nèi)，可以前進(jìn)30厘米。也就是說(shuō)，在CPU的一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，光可以前進(jìn)10厘米。因此，如果內(nèi)存距離CPU超過(guò)5厘米，就不可能在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成數(shù)據(jù)的讀取
2015-12-27 10:19:01
電信和信息科學(xué)的最新發(fā)展正在推動(dòng)工業(yè)時(shí)間傳輸要求明顯接近科研應(yīng)用水平。例如，即將到來(lái)的100G以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)5G移動(dòng)電信要求時(shí)序精度在幾納秒范圍內(nèi)，而用于配電的智能電網(wǎng)則要求亞微秒精度。高頻率交易的時(shí)間
2019-10-10 06:05:25
，標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸7x8.5mm，內(nèi)置平均讀寫(xiě)算法，通過(guò)1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試，耐高低溫，機(jī)貼手貼都非常方便，速度級(jí)別Class10（讀取
2024-01-05 17:54:39
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08
的用法是簡(jiǎn)單的流模式，它沒(méi)有提供文件的存儲(chǔ)和管理功能。解決問(wèn)題的方法是建立一個(gè)管理存儲(chǔ)空間和數(shù)據(jù)信息的文件系統(tǒng)。目前，商用閃存文件系統(tǒng)（FFS）通常是與DOS兼容，這將產(chǎn)生一個(gè)復(fù)雜的文件目錄[1]，這種系統(tǒng)不實(shí)用且浪費(fèi)資源。
2019-07-31 08:17:49
。 3.用戶(hù)體驗(yàn)與PC有差距 傳統(tǒng)VDI方案打開(kāi)PPT、Word、Excel以及保存文件，響應(yīng)超過(guò)接近5-10秒鐘。 相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備，基于華為OceanStor Dorado
2018-11-29 11:41:44
外存儲(chǔ)器 外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類(lèi)儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。 外存儲(chǔ)器有哪些 外存儲(chǔ)器有哪些 1、軟盤(pán)存儲(chǔ)器 讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
了基于MCU+CPLD的新型光柵數(shù)顯系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有計(jì)數(shù)精度高、成本低、操作方便以及升級(jí)快等特點(diǎn)，能夠處理高達(dá)5 MHz／s的正交脈沖，并在掉電時(shí)有效存儲(chǔ)當(dāng)前長(zhǎng)度值，其數(shù)碼管可顯示關(guān)鍵的長(zhǎng)度值，點(diǎn)陣式液晶屏還可顯示相關(guān)的提示信息。
2019-07-29 06:53:42
，復(fù)旦新型水鋰電僅需10秒即可完成充電，且能跑上400公里，而其成本僅有傳統(tǒng)車(chē)用鋰電池的一半。目前，該項(xiàng)技術(shù)離產(chǎn)業(yè)化僅“一步之遙”。據(jù)悉，復(fù)旦大學(xué)自2005年起就一直在開(kāi)展水鋰電這一國(guó)際前沿領(lǐng)域的探索
2013-12-03 12:39:46
`如何利用單片機(jī)或FPGA輸出一個(gè)納秒脈寬的信號(hào)？謝謝！`
2020-04-14 00:19:30
100MB的文件，打開(kāi)后寫(xiě)緩存功能僅用10秒鐘的時(shí)間，而不打開(kāi)此項(xiàng)功能則至少需要40秒種。 U盤(pán)常見(jiàn)故障排除指導(dǎo) 1．檢測(cè)不到盤(pán)符 解決方法：用UMSD工具修復(fù)，進(jìn)行低階格式化。 2．寫(xiě)保護(hù)/不能
2009-10-14 18:49:07
器解決方案要貴得多。差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來(lái)，大多數(shù) IDM 都在為需要嵌入式閃存的應(yīng)用使用類(lèi)似的 1T 多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過(guò)去二十年間，創(chuàng)新型分離柵極 SuperFlash?技術(shù)憑借其
2020-08-14 09:31:37
新一代納秒級(jí)高帶寬仿真工具平臺(tái)——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
在用到ds18b20的時(shí)候，那些讀寫(xiě)函數(shù)要做幾百納秒的延時(shí)，不知道怎么獲得？？？？
2015-03-11 21:04:35
90MB/秒，16GB已不能滿(mǎn)足容量需求，32GB TF卡也將成為主流。 在2013年，預(yù)測(cè)閃存卡將會(huì)成為發(fā)展最快的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品之一，顯然再用U1或者Clas10已經(jīng)無(wú)法去規(guī)范這些產(chǎn)品。目前讀取速度
2012-12-30 18:45:31
DN185- 用于單電源供電的七納秒比較器
2019-07-24 16:59:43
盛格納連接器國(guó)內(nèi)首家研發(fā)出M12 X型連接器產(chǎn)品系列 深圳市盛格納電子有限公司研發(fā)出一種更高傳輸速率的M12 x型連接器替代現(xiàn)有的M12 D型連接器。傳輸速率提高10倍以上，能夠達(dá)到10
2015-01-21 22:04:44
器件或電路后 -> 實(shí)現(xiàn)輸出延時(shí)5納秒后才上跳，5納秒的精確度不要超過(guò)正負(fù)20% ........ 該如何實(shí)現(xiàn)？
2012-12-04 15:43:07
窗口擴(kuò)展了5萬(wàn)倍，通過(guò)增加時(shí)間/分割和記錄長(zhǎng)度來(lái)捕獲更多的連續(xù)脈沖。(峰值檢測(cè)采集也被用來(lái)使窄脈沖更明顯。)如圖2所示，這將占用產(chǎn)品的整個(gè)標(biāo)準(zhǔn)記錄長(zhǎng)度。然而在20毫秒的采集中只捕獲了3個(gè)3.25納秒
2019-12-05 15:00:26
、更輕、更強(qiáng)大，足夠滿(mǎn)足平板電腦或者電動(dòng)車(chē)等設(shè)備的持久電量續(xù)航。試想一下，如果你的智能手機(jī)以后可以一次充電就能達(dá)到比現(xiàn)在普遍滿(mǎn)電情況下多出10倍的電量，生活是不是會(huì)更加美好呢？不過(guò)，目前這一新技術(shù)仍待完善，投產(chǎn)商用還需要再等待一些時(shí)日，所以你還得繼續(xù)背著充電寶。各位達(dá)人來(lái)分析分析`
2014-02-19 13:51:27
` 本帖最后由 348081236 于 2016-3-10 09:31 編輯
Wi-Fi大法好，然而它也是耗電大殺器。近日，美國(guó)計(jì)算機(jī)科學(xué)家和工程師成功降低了Wi-Fi傳輸過(guò)程中的耗電量，比傳統(tǒng)
2016-03-09 18:02:12
請(qǐng)教積分電路的問(wèn)題，積分電路能否對(duì)幾十納秒的脈沖信號(hào)進(jìn)行積分？如果可以對(duì)積分電路的參數(shù)設(shè)計(jì)有什么要求？謝謝~
2016-10-30 18:25:35
3.1 紅外脈寬存儲(chǔ)及FLASH的讀寫(xiě) 根據(jù)STM32型號(hào)的不同，F(xiàn)LASH容量由16K到1024K不等。FLASH模塊主要由三部分組成：主存儲(chǔ)器、信息塊、閃存存儲(chǔ)器接口寄存器。模塊組織見(jiàn)
2022-01-26 07:52:03
BANNERSLSR14-150Q8美國(guó)邦納BANNERSM312WM10QD美國(guó)邦納BANNERSMBPPOAL50美國(guó)邦納BANNERSSA-EB1PLYR-02ECQ5B美國(guó)邦納
2021-01-14 11:49:48
/82b/105/110倍加福PVM58N-011AGR0BN-1213 倍加福NCB15-30GM50-Z4倍加福NCB8-18GM50-Z4邦納Q4XTBLAF300-Q8 邦納MQDC1-506 邦納QS30EX+QS30ARX
2021-05-19 10:03:22
/82b/105/110倍加福PVM58N-011AGR0BN-1213 倍加福NCB15-30GM50-Z4倍加福NCB8-18GM50-Z4邦納Q4XTBLAF300-Q8 邦納MQDC1-506 邦納QS30EX+QS30ARX
2021-05-24 15:56:27
的新型 2182 納伏表比早期類(lèi)型的納伏表或靈敏的 DMM 具有更低的噪聲。然而，2182 型的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在短短幾秒鐘內(nèi)進(jìn)行低噪聲測(cè)量，并使用反向電流方法測(cè)量低電阻材料或設(shè)備。結(jié)果是納伏表為以更高
2021-07-13 17:04:11
場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。 那究竟肖特基二極管和快恢復(fù)二極管誰(shuí)更優(yōu)秀那：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒。 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速。 快恢復(fù)二極管在
2019-01-08 13:56:57
反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100 ns (納秒) 以下。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別是什么？：肖特基二極管的恢復(fù)時(shí)間比快恢復(fù)二極管小一百倍左右，肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒！前者
2016-04-19 14:29:35
`自制AVR JTAG ,比淘寶買(mǎi)的USB JTAG 快10倍由于學(xué)習(xí)AVR,就在淘寶買(mǎi)了一個(gè)JTAG USB,買(mǎi)回來(lái)用了一段時(shí)間,總是出問(wèn)題,最后不得不返廠.嫌麻煩,于是照著網(wǎng)上的教程DIY 了一
2013-10-05 13:22:44
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
光伏設(shè)備組裝、生產(chǎn)、設(shè)計(jì)、研發(fā)、銷(xiāo)售，以及相關(guān)技術(shù)勝?gòu)V，自營(yíng)和代理上述商品及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。***如下：一、電鍍/化學(xué)鍍工藝工程師職責(zé)描述：1、 負(fù)責(zé) bumping和晶圓級(jí)封裝的晶圓電鍍/化學(xué)鍍
2016-10-26 17:05:04
該秒脈沖發(fā)生器使用二進(jìn)制技術(shù)器CD4060、32.768kHz石英晶振、20pF電容、電阻14分頻在Q13端無(wú)法仿真出2Hz信號(hào)，晶振輸出頻率為323.369MHz，與32.678kHz差近萬(wàn)倍！如何解決
電路原理圖圖
輸出波形
晶振實(shí)測(cè)頻率
2023-12-12 00:31:32
這個(gè)能放大一萬(wàn)倍么，輸入正弦信號(hào)范圍多少啊.
2017-06-06 09:05:28
、環(huán)境影響輻射RE對(duì)自然環(huán)境的影響，如對(duì)植被和動(dòng)物的影響，以及對(duì)生態(tài)平衡的破壞。三、輻射RE整改措施1、技術(shù)創(chuàng)新通過(guò)技術(shù)手段，改善電子設(shè)備的輻射水平，研發(fā)新型的低輻射材料，提高人體對(duì)輻射的抵抗能力；2
2024-02-23 09:48:15
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
能夠?yàn)橛脩?hù)在快速以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)上的計(jì)算機(jī)提供可靠的光纖連接 1.產(chǎn)品介紹 HK-ATTO SiliconDisk? 是一種可擴(kuò)展的、最先進(jìn)的基于 RAM 的存儲(chǔ)設(shè)備，它
2021-12-08 17:10:51
介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法
2011-12-15 17:11:31
51 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53468 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43626 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 11:22:27651 閃存解決企業(yè)存儲(chǔ)問(wèn)題
2016-12-25 00:20:220 已在市場(chǎng)熱銷(xiāo)中的華為P10 可能機(jī)紅是非多，今天微博上竟爆出熱門(mén)課題，網(wǎng)友們紛紛議論手上的P10 竟然存有不同的內(nèi)存與閃存的讀寫(xiě)速度，而且差距甚大，到底是怎么回事呢？趕快來(lái)了解更多吧！
2017-04-18 11:55:5818477 剛面世沒(méi)多久的華為P10，先是被爆出了沒(méi)有疏油層這個(gè)問(wèn)題，入手了P10的朋友還沒(méi)來(lái)得及傷心，華為P10再爆“閃存門(mén)”，P10疑似采用emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三種不同規(guī)格內(nèi)存，造成內(nèi)存的讀寫(xiě)速度差異大，而采用了emmc5.1規(guī)格的內(nèi)存讀寫(xiě)速度比ufs2.0慢兩倍。
2017-04-19 08:53:1621553 的eMMC閃存，性能有非常大的提高。然而在論壇和貼吧中，有用戶(hù)反映，華為P10采用不同級(jí)別不同規(guī)格的閃存芯片，疑似將UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1在P10手機(jī)上混用。華為P10用戶(hù)對(duì)閃存讀寫(xiě)速度的測(cè)試：讀寫(xiě)速率大概有300MB/s、500MB/s、800MB/s三檔。
2021-11-02 11:36:4414275 All flash以及DSSD D5機(jī)架級(jí)閃存解決方案。其中，DSSD D5可將高級(jí)數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用提速多達(dá)10倍，并且可以改變Hadoop的三副本存儲(chǔ)機(jī)制。 EMC預(yù)測(cè)，到2020年，用于生產(chǎn)應(yīng)用的所有存儲(chǔ)系統(tǒng)都將基于閃存陣列，傳統(tǒng)磁盤(pán)僅用于大容量及歸檔存儲(chǔ)。 現(xiàn)代化的數(shù)據(jù)中心 EMC認(rèn)為
2017-10-12 11:38:470 FLASH存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 芯片的1000倍，現(xiàn)在更厲害的來(lái)了——復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲(chǔ)芯片，他們使用了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，研發(fā)的存儲(chǔ)芯片性能優(yōu)秀，是傳統(tǒng)二維存儲(chǔ)芯片的100萬(wàn)倍，而且性能更長(zhǎng)，刷新時(shí)間是內(nèi)存的156倍，也就是說(shuō)
2018-04-15 02:55:014564 閃存存儲(chǔ)持續(xù)走強(qiáng)的推動(dòng)下，閃存存儲(chǔ)廠商將會(huì)獲得快速的發(fā)展。這也會(huì)推動(dòng)閃存存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，迸發(fā)出驚人的潛力，甚至在不遠(yuǎn)的將來(lái)引領(lǐng)世界閃存存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。本屆GSS18全球閃存峰會(huì)上匯聚了浪潮
2018-07-20 15:51:484154 Altera公司開(kāi)發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計(jì)在經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高性?xún)r(jià)比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 2005年，?華為?開(kāi)始?閃存技術(shù)的研究?。2008年，?首款SATA SSD盤(pán)?發(fā)布，?具有劃時(shí)代?里程碑?意義。2011年，第一?代全閃存?存儲(chǔ)Dorado??2100?、Dorado?5100
2018-11-29 13:59:10416 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
存儲(chǔ)接口將會(huì)整合：閃存存儲(chǔ)接口將整合。基于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)將成為標(biāo)準(zhǔn)。NVMe閃存將使傳統(tǒng)接口退居二線，從廣泛采用變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">僅用于數(shù)據(jù)中心外圍，但在網(wǎng)絡(luò)端口，纖薄、高速、低功耗的創(chuàng)新產(chǎn)品將在這個(gè)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。如果傳統(tǒng)接口本身阻礙了高速閃存存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)，那么即使保守派也會(huì)覺(jué)得生態(tài)系統(tǒng)中保留這些接口不值得。
2019-02-18 15:29:49636 MIT的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新型 “光子” 芯片，它使用光而不是電，并且在此過(guò)程中消耗相對(duì)較少的功率。該芯片用于處理大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的效率比現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)高出數(shù)百萬(wàn)倍。模擬結(jié)果表明，光子芯片運(yùn)行光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的效率是其電子芯片的1000萬(wàn)倍。
2019-06-12 14:04:493884 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University )的
科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專(zhuān)利。在
科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說(shuō)它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-09-03 16:19:30456 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University ）的
科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專(zhuān)利。在
科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說(shuō)它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-12-06 11:37:31565 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861 潮存儲(chǔ)作為新存儲(chǔ)引領(lǐng)者，以“云存智用 運(yùn)籌新數(shù)據(jù)”理念，加快布局閃存存儲(chǔ)步伐，針對(duì)用戶(hù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和需求，創(chuàng)新研發(fā)了浪潮新一代全閃存儲(chǔ)平臺(tái)HF系列。
2020-08-10 14:32:052144 已全部加載完成
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