嵌入式非揮發性內存廠商力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構之嵌入式非揮發性內存技術NeoFuse，此技術瞄準先進工藝平臺，具備硅智財組件尺寸小與保存能力佳等特點，可滿足客戶產品在先進工藝產品之進階需求。
2013-05-20 10:03:10
1109 在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議（IEDM）上，來自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團隊預計將發表多項有關磁阻式隨機存取內存（MRAM）的最新發展。
2016-11-29 10:32:211308 晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場。 臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業的新潮流，值得密切關注。
2017-06-07 10:54:181577 
據臺灣經濟日報最新消息，聯電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發MRAM及相關28納米產品；聯電即日起透過授權，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發性MRAM技術。
2018-08-09 10:38:123129 磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術，它依靠兩個鐵磁層的（相對）磁化狀態來存儲二進制信息。多年來，出現了不同風格的 MRAM 存儲器，這使得 MRAM 對緩存應用程序和內存計算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
本文旨在討論各種MRAM的技術路徑，其中包括磁場驅動型、自旋轉移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、電壓控制
2022-09-29 15:30:253452 3月25日，科技之巔·麻省理工科技評論全球十大突破性技術峰會在北京召開，該峰會是全球最為著名的技術榜單之一，峰會圍繞十大突破性技術在中國落地性最強，并對目前最受關注的領域進行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技術，2018-12-28 08:11:39盤點這一年的核心技術：22納米光刻機、450公斤人造藍寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構機“棄殼返回”、遠距離虹膜識別
2021-07-28 09:17:55
MRAM技術MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）架構，其中鐵磁材料的磁性“狀態”作為數據存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態進行存儲（而不是隨時間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM與FRAM技術比較
2021-01-25 07:33:07
問題是很難避免的。于是在實踐中交叉點陣列間的尺寸長度不能超過一定的限度，這樣單位面積上的單元數(密度)受到限制。雖然當前的半導體集成電路早已突破了這一尺寸極限值，但MRAM技術中如何突破有待時日。
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的后端工藝生產，下面英尚微電子介紹關于MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
產品會取代獨立存儲器目前各廠商已經基本掌握了用于實現第一階段應用的關鍵技術。在車載MCU中,通常是將設備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠將自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31
在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規模，廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。MRAM以及PCRAM和ReRAM已經達到了一個臨界點
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統中。MRAM因具有許多優點,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技術進入汽車應用
2021-01-11 07:26:02
印刷電路板設計解決方案供貨商明導國際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術，這種業界首創的拓樸布線(topology router)技術，能把工程師知識、電路板設計人
2018-08-31 11:53:50
核心板用的贏鵬飛Com335x_II的128MRAM，nand flash版，底板自己設計的，之前操作移植沒有問題，今天在測試io輸出以后，重啟系統發現無法正確從nand flash引導了，通過SD
2020-05-06 03:37:43
Eversipn STT-MRAM的MJT細胞
2021-02-24 07:28:54
的先進技術，在節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。其產品包裝和測試業務遍及中國，***和其他亞洲國家。 那Everspin MRAM內存技術是如何工作
2020-08-31 13:59:46
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
STT-MRAM技術的優點
2020-12-16 06:17:44
求大神詳細介紹一下STT-MRAM的存儲技術
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉矩MRAM技術
2020-12-25 07:53:15
flyingstart 即 捕捉再啟動功能，電機在未完全停止的情況下，變頻器仍可直接啟動。使能flyingstart功能，變頻器找到當前電機的轉速，在頻率范圍內和電機耦合，即可控制電機達到指定頻率
2021-09-03 07:50:32
windows內存管理技術是怎么回事
2012-06-09 18:04:30
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念從磁性隨機存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
（這是 一種直流鏈路已經完全崩潰的長時間電源中斷）。設置參數參數功能設置P1210自動再啟動此參數可對自動再啟動功能進行配置。= 0: 禁止= 1: 上電后跳閘復位，P1211 禁止= 2: 電源掉電后再
2020-12-22 15:41:10
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
有何布局？設計人員又將迎來哪些全新機遇與重重挑戰？作為中國電子產業的一份子，你缺的是一個提供最新市場探析，展現技術全貌的平臺。鑒此，電子發燒友團隊傾情打造的《可穿戴技術特刊》將是你的最佳選擇，在這里你
2014-03-06 08:56:06
、燃料電池、太陽能、鋰離子電池、新材料應用、能源提取。站在媒體角度來看，2017年的上半年可以稱之為技術的升級之年。無論是出行能耗的應用，還是能源制取，還是能源利用率上，新技術的聚焦點都在如何更快捷、低成本的提高新能源利用率上。這釋放了一個非常明顯的市場信號--能源市場的轉型。中順動力電池
2017-08-17 15:13:01
市場，受到了用記的一致好評，創造了良好的社會效益和經濟效益。可以說，每一款產品都有特色，“河南全新”每一種電機軟啟動柜產品都是電機節電產品中的明星。河南全新軟啟動柜、軟啟動控制柜、軟啟動綜合柜，技術上采用了液態
2011-08-04 14:14:05
在半導體技術中，與數字技術隨著摩爾定律延續神奇般快速更新迭代不同，模擬技術的進步顯得緩慢，其中電源半導體技術尤其波瀾不驚，在十年前開關電源就已經達到90+%的效率下，似乎關鍵指標難以有大的突破，永遠離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術面市。
2019-07-16 06:06:05
視頻監控技術在火災報警領域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II測試系統的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統的APG及其他模塊實現對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試，全空間讀寫
2019-07-23 07:25:23
MRAM的優異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內存及EEPROM閃存，作為新一代計算機的內存。MRAM目前是新一代計算機內存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
工研院與佳世達宣布簽約，將共同開發下一代便攜式超聲波系統與芯片，期望能突破歐美日壟斷的高階醫材技術，發展自主核心技術及專利，以帶動ICT產業與高階醫療器材整合。
2012-12-06 08:43:501289 MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構，在這當中最為關鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，并可由電流來控制旋轉方向。方向相同
2013-07-09 09:33:461004 去年有報道稱，蘋果將在iPhone8上配備三星的存儲芯片。今年四月，Patently Apple又報道稱三星將為2018年的設備發布全新MRAM存儲芯片，標志著一項技術性突破。
2017-07-01 10:46:22540 ， 臺灣公平會重罰高通，高通當天就火速向臺灣研發團隊告知暫停一切合作進行事項。 工研院坦言，5Ｇ是重要的技術發展，高通突喊暫停，工研院研發腳步絕不可能停；
2017-11-27 06:20:41277 隨著越來越多具成本效益的應用選擇磁阻隨機存取內存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業界生態系統也開始支持這一新興內存選擇。
2018-05-15 09:24:494004 臺工業技術研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議（IEDM）中發表鐵電存儲器（FRAM）、磁阻隨機存取存儲器（MRAM）等6篇技術論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺積電、三星的MRAM技術更具穩定、快速存取優勢。
2019-12-10 14:15:492685 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻內存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋轉傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化
2020-04-07 17:06:30459 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持
2020-04-09 09:13:145683 在新型 RAM 技術中，MRAM對物聯網和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實現比目前這類硬件上的首選存儲類內存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時實現非易失性數據存儲。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17720 MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。Everspin代理商英尚微電子提供產品技術支持及解決方案。 主要的嵌入式半導體制造商為工業和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 市場份額。下一代MRAM技術（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應用。 圖1 內存制造過程
2020-07-13 11:25:581037 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
并行MRAM是大多數手機、移動設備、膝上機、PC等數字產品的存儲器的潛在替代產品。從MRAM芯片技術的特性上來看，可以預計它將能解決包括計算機或手機啟動慢、數據丟失、數據裝載緩慢、電池壽命短
2020-07-20 15:33:52616 第一代MRAM是toggle MRAM，采取磁場寫入數據的方式，其特點是容易設計制造，缺點在于尺寸大，難以微縮。
2020-07-23 11:32:573606 的領先趨勢來增強動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 了基礎。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求如下: 技術指標: 具有sram芯片的隨機存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲密度; 具有EEPROM芯片存入數據的非易失性。 產品目標: 取代計算機的DRAM內存，
2020-09-07 18:19:335079 
寫入數據，同時在發生總功耗之前保留數據。Everspin一級代理英尚微電子本文介紹MRAM與其他內存技術的相比較。 MRAM與內存 內存選項的比較與其他內存技術選項相比，MRAM具有明顯的優勢（下表1）。 表格1 MRAM與其他內存技術相比具有相對優勢 Flash 這項技術
2020-09-18 14:25:181049 
Everspin MRAM內存技術是如何工作的？ Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規模，廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已經達到
2020-09-19 10:49:551437 經常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器（NVRAM）未來的關鍵性技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數據并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰不斷涌現。通過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術的領先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內存測試和修復解決方案，設計人員需
2020-10-14 15:52:19536 
一段不短的時間進行啟動才能正式使用，而無法像其他家電一樣即開即用。然而MRAM卻是一種全新的技術，甚至有望令PC的應用方式徹底改變。 一、斷電也能保存MRAM技術精髓 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，所謂非易失性是指關掉電源后，
2020-10-27 13:59:12563 的非易失性，這的確是很誘人的，畢竟它讓使用MRAM內存的電腦可以像電視或者收音機那樣能夠馬上啟動。除了MRAM，目前也有不少非易失性存儲器，其中包括大家最為熟悉的磁盤〔硬盤、軟盤）、Flash Memory（閃存）和EPROM。 作為內存儲器，
2020-10-30 14:27:281188 安卓卡頓不卡頓，內存是關鍵，頻繁清理后臺的話又會導致常駐APP減少，所以在Mate40系列手機上，華為推出了全新的內存擴展技術，可以讓內存的等效容量變大四分之一，8GB等效10GB，12GB等效14GB。
2020-10-30 15:55:587185 是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。此磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做內存和硬盤的新型存儲介質。寫入速度可達NAND閃存的數千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 在 MRAM 這類內存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數據的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡。這意味著即使STT?MRAM技術已經接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 MRAM是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRA...
2022-01-26 17:59:13
1 高密度MRAM作為新興內存的潛力取代DRAM和閃存等現有設備,通常使它已經成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術的陰影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技術中，MRAM 對物聯網和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實現比目前這類硬件上的首選存儲類內存 -NAND閃存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 加速科技在廈門地區上演“帽子戲法”，與廈門工研院達成正式合作。
2021-05-12 09:51:17654 
作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發的重點。
2024-01-18 14:44:00838 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044839 臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346
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