FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以字節為單位改寫數據，因此不能取代RAM。它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。

　　Flash 儲存器的特點

　　1、Flash 儲存器的標準物理結構，稱之為基本位（cell）；一般MOS閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gate oxide），而Flash 儲存器的特色是在控制閘（Control gate）與通道間多了一層稱為“浮閘”（floating gate）的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內存的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。

　　2、Flash 儲存器芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash 儲存器采用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用于整個芯片，還可以預先設定“區塊”（Block）。在設定區塊的同時就將芯片中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節，而Flash 儲存器每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash 儲存器的工作速度大幅領先于傳統EEPROM芯片。

　? 3、從技術面觀之，根據內存晶體管設計架構之不同可分為Cell Type以及Operation Type兩種，后者依功能別又可區分為Code Flash（儲存程序代碼）以及Data Flash（儲存一般數據）；其中Code Flash驅動方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驅動方式則有NAND及AND。